本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝也越來越復(fù)雜，很多新工藝被引入，比如原子層薄膜沉積工藝，因其良好的階梯覆蓋率等優(yōu)點在28nm以下產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用。

然而，原子層氧化物薄膜沉積由于其工藝與機臺特性，容易在晶背邊緣沉積多余的氧化物薄膜，這層多余的氧化物薄膜會對晶背的整體薄膜結(jié)構(gòu)產(chǎn)生巨大影響，并導(dǎo)致晶圓在后段工藝多層金屬工藝后，導(dǎo)致晶圓邊緣與晶圓中心區(qū)域厚度的巨大差異，進(jìn)而產(chǎn)生光刻倒膠與散焦等問題，對良率造成巨大影響。在某些情況下，晶背邊緣位置與中心位置氧化物薄膜厚度會存在明顯差異。造成此問題的原因是，當(dāng)晶圓被基座上的晶圓支撐栓頂起后，等離子體會通過基座和墊圈之間的空隙，擴(kuò)散到被頂起的晶圓背后邊緣區(qū)域，進(jìn)而生長氧化物薄膜。

針對以上問題，需要經(jīng)過復(fù)雜的工藝步驟才能克服其對后續(xù)工藝的影響，大大增加了工藝復(fù)雜度，同時會產(chǎn)生一些負(fù)面效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種晶背邊緣刻蝕方法，能夠有效地去除原子層沉積工藝過程中生長到晶背邊緣位置的氧化物薄膜，避免后續(xù)造成的良率損失，為半導(dǎo)體良率提升提供保障。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種刻蝕設(shè)備，包括：上屏蔽擋板、側(cè)面屏蔽擋板以及底部屏蔽擋板；其中，上屏蔽擋板覆蓋在將被刻蝕的晶圓的上表面；側(cè)面屏蔽擋板覆蓋在將被刻蝕的晶圓的側(cè)表面；底部屏蔽擋板布置在用于支撐將被刻蝕的晶圓的基座的側(cè)部，使得基座與底部屏蔽擋板一起覆蓋了將被刻蝕的晶圓的下表面的中心區(qū)域。

優(yōu)選地，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板三者相互單獨運動。

優(yōu)選地，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板分別與晶圓的上表面、晶圓的側(cè)表面以及晶圓的下表面的距離是可調(diào)整的。

優(yōu)選地，底部屏蔽擋板的大小是可調(diào)整的而且是可更換的。

而且，為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法，其特征在于包括：

第一步驟：對晶圓執(zhí)行原子層氧化物薄膜沉積；

第二步驟：將原子層氧化物薄膜沉積后的晶圓布置到晶背邊緣刻蝕機臺中；

第三步驟：在晶背邊緣刻蝕機臺中執(zhí)行刻蝕以去除晶背薄膜。

優(yōu)選地，在第二步驟中，利用上屏蔽擋板覆蓋將被刻蝕的晶圓的上表面；利用側(cè)面屏蔽擋板覆蓋將被刻蝕的晶圓的側(cè)表面；將底部屏蔽擋板布置在用于支撐將被刻蝕的晶圓的基座的側(cè)部，使得基座與底部屏蔽擋板一起覆蓋了將被刻蝕的晶圓的下表面的中心區(qū)域。

優(yōu)選地，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板三者相互單獨運動。

優(yōu)選地，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板分別與晶圓的上表面、晶圓的側(cè)表面以及晶圓的下表面的距離是可調(diào)整的。

優(yōu)選地，底部屏蔽擋板的大小是可調(diào)整的而且是可更換的。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了原子層沉積工藝機臺晶圓放置部件俯視示意圖。

圖2示意性地示出了等離子體擴(kuò)散到晶背邊緣區(qū)域側(cè)面示意圖。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的晶背邊緣刻蝕機臺設(shè)置示意圖。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法的流程圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明通過在原子層沉積薄膜沉積工藝后，增加晶圓背面邊緣刻蝕的方式，去除晶圓背面邊緣區(qū)域的薄膜，進(jìn)而避免簡化后續(xù)的工藝流程并改善良率。本發(fā)明能有效地去除原子層沉積工藝過程中生長到晶背邊緣位置的氧化物薄膜，避免后續(xù)造成的良率損失，為半導(dǎo)體良率提升提供保障。

如圖1和圖2所示，造成晶背邊緣區(qū)域多余氧化物沉積的根本原因是等離子體會無任何阻礙的擴(kuò)散到晶背邊緣區(qū)域，從而沉積上氧化物薄膜。由于原子層沉積過程中，晶圓被6個晶圓支撐拴頂起約3mm，等離子體通過墊圈與晶圓間的空隙鉆入晶圓背面，導(dǎo)致晶背有原子層氧化物生成。

為了從去除晶背邊緣的氧化物薄膜，本發(fā)明的方式是對其進(jìn)行晶背邊緣刻蝕。

與常規(guī)的刻蝕方式不同，常規(guī)方法需要晶圓表面有光阻阻擋，以保護(hù)不需要被刻蝕的區(qū)域；同時與晶邊刻蝕不同，其會刻蝕到晶面區(qū)域，同時晶背區(qū)域刻蝕主要集中在晶邊區(qū)域很小距離。本發(fā)明所用的設(shè)備進(jìn)行如圖4的設(shè)置，以便自如的調(diào)整晶背刻蝕的距離等。所用設(shè)備可以集成到原子層沉積工藝機臺或者為單獨的刻蝕設(shè)備。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的晶背邊緣刻蝕機臺設(shè)置示意圖。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的晶背邊緣刻蝕機臺包括：上屏蔽擋板、側(cè)面屏蔽擋板以及底部屏蔽擋板；其中，上屏蔽擋板覆蓋在將被刻蝕的晶圓的上表面；側(cè)面屏蔽擋板覆蓋在將被刻蝕的晶圓的側(cè)表面；底部屏蔽擋板布置在用于支撐將被刻蝕的晶圓的基座的側(cè)部，使得基座與底部屏蔽擋板一起覆蓋了將被刻蝕的晶圓的下表面的中心區(qū)域。

由此，晶背刻蝕機臺在晶面正面、晶圓側(cè)面以及晶圓背面的中心區(qū)域等應(yīng)用屏蔽裝置進(jìn)行保護(hù)，阻止在被保護(hù)區(qū)域產(chǎn)生等離子體，以便保護(hù)其不被刻蝕。

優(yōu)選地，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板三者相互單獨運動，不受相互干擾。

優(yōu)選地，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板分別與晶圓的上表面、晶圓的側(cè)表面以及晶圓的下表面的距離是可調(diào)整的。

優(yōu)選地，底部屏蔽擋板的大小可以調(diào)整與更換。

優(yōu)選地，屏蔽擋板與晶圓的距離保持在一定距離，其標(biāo)準(zhǔn)為避免被保護(hù)區(qū)域產(chǎn)生等離子體。

最終，根據(jù)晶背額外生長的薄膜距離晶邊的距離，調(diào)整所需的擋板大小，并進(jìn)行晶背刻蝕工藝，以便去除晶背的多余薄膜。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法的流程圖。

如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法包括：

第一步驟S1：對晶圓執(zhí)行原子層氧化物薄膜沉積；

第二步驟S2：將原子層氧化物薄膜沉積后的晶圓布置到晶背邊緣刻蝕機臺中；

晶背邊緣刻蝕機臺的設(shè)置如圖3所示。即，在第二步驟S2中，利用上屏蔽擋板覆蓋將被刻蝕的晶圓的上表面；利用側(cè)面屏蔽擋板覆蓋將被刻蝕的晶圓的側(cè)表面；將底部屏蔽擋板布置在用于支撐將被刻蝕的晶圓的基座的側(cè)部，使得基座與底部屏蔽擋板一起覆蓋了將被刻蝕的晶圓的下表面的中心區(qū)域。

第三步驟S3：在晶背邊緣刻蝕機臺中執(zhí)行刻蝕以去除晶背薄膜。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法能夠在簡化工藝流程的同時避免其它負(fù)面效果產(chǎn)生，為良率提升做出貢獻(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法能夠有效地去除原子層沉積工藝過程中生長到晶背邊緣位置的氧化物薄膜，避免后續(xù)造成的良率損失，為半導(dǎo)體良率提升提供保障。

例如，在具體實施時，可以選擇28nm產(chǎn)品應(yīng)用此方法，可以有效改善晶背邊緣氧化物薄膜厚度不均的問題，為良率提升做出貢獻(xiàn)。

需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。