技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種刻蝕設(shè)備以及用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法。根據(jù)本發(fā)明的刻蝕設(shè)備包括：上屏蔽擋板、側(cè)面屏蔽擋板以及底部屏蔽擋板；其中，上屏蔽擋板覆蓋在將被刻蝕的晶圓的上表面；側(cè)面屏蔽擋板覆蓋在將被刻蝕的晶圓的側(cè)表面；底部屏蔽擋板布置在用于支撐將被刻蝕的晶圓的基座的側(cè)部，使得基座與底部屏蔽擋板一起覆蓋了將被刻蝕的晶圓的下表面的中心區(qū)域。此外，根據(jù)本發(fā)明的晶背邊緣刻蝕方法包括：對晶圓執(zhí)行原子層氧化物薄膜沉積；將原子層氧化物薄膜沉積后的晶圓布置到晶背邊緣刻蝕機臺中；在晶背邊緣刻蝕機臺中執(zhí)行刻蝕以去除晶背薄膜。

技術(shù)研發(fā)人員：范榮偉;陳宏璘;龍吟;王愷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號碼：201610776793
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.30
技術(shù)公布日：2016.12.07