1.一種垂直結(jié)構(gòu)LED紫光外延的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：在1070～1090℃溫度下、壓力為150torr下通N2烘烤10～30min，氮化藍(lán)寶石、SiC或Si襯底，襯底厚度為430～450μm；
步驟2：將步驟1氮化后的藍(lán)寶石、SiC或Si襯底降溫至515～535℃、壓力為800torr，然后在襯底上生長厚度為15～35nm的基底，隨后升溫至1030～1050℃、壓力為400torr使基底重新結(jié)晶，再生長1.8～2.5μm的u-GaN修復(fù)層；
步驟3：升溫至1070～1090℃、壓力為200torr先生長輕Si摻雜的n-GaN層，厚度為500～600nm，再生長重Si摻雜的n-GaN層，厚度為300～400nm；
步驟4：在所述重Si摻雜n-GaN層的基礎(chǔ)上生長n-AlGaN電流擴展層，厚度為80～240nm；
步驟5：在n-AlGaN層的基礎(chǔ)上生長Si摻雜的n+GaN層，厚度為2～4μm，隨后生長不摻Si的n-GaN層500～600nm；
步驟6：在阱的生長溫度740～760℃，壘的生長溫度為820-840℃、壓力為200torr下生長10～20個周期的不摻雜Al的InGaN/GaN超晶格，再生長8個周期Al摻雜的InGaN/AlGaN；所述多量子阱層厚度為250～350nm；
步驟7：升溫至960～980℃，壓力為150torr生長PAlGaN層，厚度為1～200nm；
降溫至920～940℃，壓力為150torr生長輕Mg摻雜的P+GaN層，厚度為0.1～0.2μm；
生長重Mg摻雜的P++GaN層，厚度為5～20nm；
步驟8：生長CTL層，厚度為10～30nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)LED紫光外延的制備方法，其特征在于，步驟1中，所述襯底厚度為430μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)LED紫光外延的制備方法，其特征在于，步驟2中，所述u-GaN修復(fù)層厚度為2μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)LED紫光外延的制備方法，其特征在于，步驟4中，n-AlGaN電流擴展層厚度為200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)LED紫光外延的制備方法，其特征在于，所述步驟6中先生長10～20個周期厚度為80～120nm的不摻雜Al的InGaN/GaN超晶格，具體為：
先生長30～40nm的GaN-cap層，再生長5～15nm的barrierGaN層，最后生長1.5～5nm的InGaN阱層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種垂直結(jié)構(gòu)LED紫光外延的制備方法，其特征在于，所述步驟6中，再生長8個周期厚度為100～150nm的Al摻雜的InGaN/AlGaN，具體為：
先生長5～15nm的barrierInGaN層，再生長1.5～5nm的AlGaN阱層，最后生長30～40nm的GaN-cap層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)LED紫光外延的制備方法，其特征在于，步驟8中，CTL層生長完畢后，降溫至710～730℃進行退火60-120min，之后隨爐冷卻。
8.一種垂直結(jié)構(gòu)LED紫光外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括依次生長的以下各層：藍(lán)寶石襯底；u-GaN修復(fù)層及基底；n-GaN輕摻過渡層；n-GaN重?fù)剑籲-AlGaN層；重?fù)絥-GaN層；n-GaN輕摻電流擴展層；MQWS層；摻雜p型AlGaN阻擋層；摻雜p型GaN層；摻雜pp型GaN層；CTL層，其中，所述外延結(jié)構(gòu)的波長分布區(qū)間為360～410nm。