技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種集成肖特基二極管的超結(jié)功率VDMOS的版圖結(jié)構(gòu)，該版圖結(jié)構(gòu)包括N+襯底、N外延層以及在N外延層上形成的P+區(qū)域，所述P+區(qū)域由若干個矩形p?pillar構(gòu)成并且相鄰兩個矩形p?pillar之間設(shè)置有間距，所述間距的區(qū)域內(nèi)勢壘金屬Ti在p?pillar之間的N外延層形成肖特基接觸，構(gòu)成肖特基二極管；還公開了一種集成肖特基二極管的超結(jié)功率VDMOS的版圖結(jié)構(gòu)的制作方法，通過本發(fā)明比傳統(tǒng)的線性原胞設(shè)計(jì)的超結(jié)VDMOS體二極管正向壓降更低，從而降低器件的開通損耗；本發(fā)明設(shè)計(jì)的超結(jié)VDMOS體二極管反向恢復(fù)電流峰值更小，使得體二極管的di/dt變小，從而減少器件的失效率。

技術(shù)研發(fā)人員：周宏偉;任文珍;張園園;徐西昌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安龍騰新能源科技發(fā)展有限公司
文檔號碼：201610793478
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.11.16