1.一種集成肖特基二極管的超結(jié)功率VDMOS的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，該版圖結(jié)構(gòu)包括N+襯底、N外延層以及在N外延層上形成的P+區(qū)域，所述P+區(qū)域由若干個矩形p-pillar構(gòu)成并且相鄰兩個矩形p-pillar之間設(shè)置有間距，所述間距的區(qū)域內(nèi)勢壘金屬Ti在p-pillar之間的N外延層形成肖特基接觸，構(gòu)成肖特基二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的超結(jié)功率VDMOS的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述P+區(qū)域與 contact區(qū)域的第一交疊區(qū)域進(jìn)行Pplus注入，并且所述交疊區(qū)域在Ti/TiN/AlCu的淀積后形成歐姆接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成肖特基二極管的超結(jié)功率VDMOS的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述間距內(nèi)N外延層與contact區(qū)域的第二交疊區(qū)域在Ti/TiN/AlCu的淀積后形成肖基特接觸。
4.一種集成肖特基二極管的超結(jié)功率VDMOS的版圖結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該方法通過以下步驟實現(xiàn)：
步驟1：在N+襯底上形成N外延層；
步驟2：對N外延層進(jìn)行注入或者溝槽刻蝕和回填形成形成由若干個矩形p-pillar構(gòu)成的P+區(qū)域；
步驟3：body 注入并退火；
步驟4：Poly gate淀積并回刻；
步驟5：nsource注入和退火；
步驟6：層間介質(zhì)淀積；
步驟7：contact區(qū)域的刻蝕；
步驟8：通過光刻版在P+區(qū)域與contact區(qū)域注入pplus，在P+區(qū)域表面形成歐姆接觸；
步驟9：進(jìn)行Ti/TiN/AlCu的淀積和光刻，勢壘金屬Ti/TiN/AlCu在相鄰矩形結(jié)構(gòu)之間的N外延層形成肖特基接觸。