1.一種金屬氧化物薄膜晶體管，其包括：
柵電極層，其位于靠近玻璃基板一側的上表面；
柵絕緣層，其位于所述柵電極層上表面以及未被所述柵電極層覆蓋的玻璃基板上表面；
有源層，其位于靠近玻璃基板一側的柵絕緣層上表面；
源漏極層，其位于所述有源層上表面以及靠近玻璃基板一側的未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層上表面；
保護層，其位于所述源漏極層上表面以及未被所述源漏極層覆蓋的柵絕緣層上表面；
TiO2薄膜層，其位于所述保護層上表面；
平坦化層，其位于所述TiO2薄膜層上表面；所述平坦化層設有接觸孔，所述接觸孔的位置靠近玻璃基板的另一側，所述接觸孔從所述平坦化層的上表面延伸到所述源漏極層的上表面；
陽極層，其形成于所述平坦化層的接觸孔內以及覆蓋接觸孔的平坦化層的上表面；
像素定義區(qū)有機層，其位于所述陽極層上靠近玻璃基板兩側的上表面以及未被所述陽極層覆蓋的平坦化層上表面。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述柵電極層所用材料為鈦、鉻、鋁、鉬或銅。
3.根據(jù)權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述柵絕緣層為氮化硅層、氧化硅層或氮氧化硅層。
4.根據(jù)權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述有源層所用材料為銦鎵鋅氧化物。
5.根據(jù)權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述TiO2薄膜層的厚度為5nm～60nm。
6.一種金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法，其包括以下步驟：
a)采用物理氣相沉積在靠近玻璃基板一側的上表面沉積柵電極層，然后通過標準光刻工藝，形成所需的柵電極圖案；
b)采用化學氣相沉積在所述柵電極層上表面以及未被所述柵電極層覆蓋的玻璃基板上表面沉積柵絕緣層；
c)采用物理氣相沉積在靠近玻璃基板一側的柵絕緣層上表面沉積有源層，通過涂覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕工藝，形成所需的有源層圖案；
d)采用物理氣相沉積在所述有源層上表面以及靠近玻璃基板一側的未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層上表面沉積源漏極層，然后通過標準光刻工藝，形成所需的源漏極圖案；
e)采用化學氣相沉積在所述源漏極層上表面以及未被所述源漏極層覆蓋的柵絕緣層上表面沉積保護層；
f)采用化學氣相沉積或溶膠凝膠法在所述保護層上表面沉積致密的納米TiO2薄膜層；
g)在所述TiO2薄膜層上表面涂覆平坦化層并形成連通平坦化層、TiO2薄膜層以及源漏極層上表面上的保護層的接觸孔，然后通過曝光、顯影、刻蝕工藝，形成接觸孔圖案；
h)采用物理氣相沉積在所述平坦化層上的接觸孔內以及覆蓋接觸孔的平坦化層的上表面沉積形成陽極層；
i)在所述陽極層上靠近玻璃基板兩側的上表面以及未被所述陽極層覆蓋的平坦化層上表面涂覆像素定義區(qū)有機層，定義像素區(qū)，得到所述金屬氧化物薄膜晶體管。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述柵電極層所用材料為鈦、鉻、鋁、鉬或銅。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述柵絕緣層為氮化硅層、氧化硅層或氮氧化硅層。
9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述有源層所用材料為銦鎵鋅氧化物。
10.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述TiO2薄膜層的厚度為5nm～60nm。