本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種線路結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種重布線路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

由于不同電子組件(例如是晶體管、二極管、電阻、電容等)的集成密度持續(xù)地增進(jìn)，半導(dǎo)體工業(yè)經(jīng)歷了快速成長(zhǎng)。大部分而言，集成密度的增進(jìn)是來(lái)自于最小特征尺寸(featuresize)上不斷地縮減，這允許更多的較小組件整合到給定區(qū)域內(nèi)。較小的電子組件會(huì)需要面積比以往的封裝更小的較小封裝。半導(dǎo)體組件的其中一部分較小型式的封裝包括有四面扁平封裝(quadflatpackages，qfps)、引腳陣列封裝(pingridarray，pga)、球柵陣列封裝(ballgridarray，bga)等等。

目前，整合扇出型封裝(integratedfan-outpackage)由于其密實(shí)度而趨于熱門，在整合扇出型封裝中，重布線路結(jié)構(gòu)的形成在封裝過(guò)程中扮演著重要的角色。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明一實(shí)施例的一種重布線路結(jié)構(gòu)，電性連接于位于其下方的至少一導(dǎo)體。重布線路結(jié)構(gòu)包括介電層、對(duì)位標(biāo)記及重布導(dǎo)電層。介電層覆蓋導(dǎo)體且包括用來(lái)暴露該導(dǎo)體的至少一接觸開口。對(duì)位標(biāo)記配置在介電層上，對(duì)位標(biāo)記包括位于介電層上的基部及位于基部上的凸出部，其中凸出部的最大厚度與基部的厚度的比值小于25％。重布導(dǎo)電層配置在介電層上，重布導(dǎo)電層包括導(dǎo)通孔，且導(dǎo)通孔通過(guò)接觸開口電性連接至導(dǎo)體。

附圖說(shuō)明

圖1至15是依照本發(fā)明的一些實(shí)施例的重布線路結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

α1：第一鈍角；

α2：第二鈍角；

α3：第三鈍角；

α4：第四鈍角；

a、a’：最小距離；

b、b’：深度；

c1、c’：直徑；

c：載具；

d：厚度；

db：剝離層；

di：介電層；

dp、dp’：凹陷；

e：最大厚度；

o1、o2、o3、o4、o5：接觸開口；

pr：圖案化光刻膠層；

tv：導(dǎo)電穿孔；

tr：溝渠；

rdl：重布線路結(jié)構(gòu)；

100：集成電路；

100a：有源表面；

102：接墊；

104：鈍化層；

110：導(dǎo)電柱；

120、120’：保護(hù)層；

130：絕緣材料；

130’：絕緣包封體；

140：介電層；

150：種子層；

150’：圖案化種子層；

150a：第一種子圖案；

150b：第二種子圖案；

160：圖案化導(dǎo)電層；

162：重布導(dǎo)電層；

162a、162b：導(dǎo)通孔；

164：對(duì)位標(biāo)記；

164a：基部；

164b：凸出部；

170：球底金屬層圖案；

172：連接接墊；

174、180：導(dǎo)電球；

176：無(wú)源元件；

190：封裝。

具體實(shí)施方式

以下發(fā)明內(nèi)容提供用于實(shí)施所提供的目標(biāo)的不同特征的許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?。以下所描述的?gòu)件及配置的具體實(shí)例是為了以簡(jiǎn)化的方式傳達(dá)本發(fā)明為目的。當(dāng)然，僅僅為實(shí)例而非用以限制。此外，本發(fā)明在各種實(shí)例中可使用相同的組件標(biāo)記和/或字母來(lái)指代相同或類似的部件。組件標(biāo)記的重復(fù)使用是為了簡(jiǎn)單及清楚起見，且并不表示所欲討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置本身之間的關(guān)系。

另外，為了易于描述附圖中所示出的一個(gè)構(gòu)件或特征與另一組件或特征的關(guān)系，本文中可使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在…上”、“在…上方”、“上部”及類似術(shù)語(yǔ)的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)。除了附圖中所示出的定向之外，所述空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意欲涵蓋組件在使用或操作時(shí)的不同定向。設(shè)備可被另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他定向)，而本文所用的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)相應(yīng)地作出解釋。

此處所發(fā)明的實(shí)施例是采用具體用語(yǔ)進(jìn)行發(fā)明。其他實(shí)施例考慮到其他應(yīng)用，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀本發(fā)明內(nèi)容之后已經(jīng)可以輕易地聯(lián)想到其他應(yīng)用。值得注意的是，此處所揭示的實(shí)施例并無(wú)必要說(shuō)明所有出現(xiàn)于結(jié)構(gòu)中的組件或特征。舉例而言，單個(gè)組件的復(fù)數(shù)形式可能在附圖中省略，例如單個(gè)組件的說(shuō)明將足以傳達(dá)多個(gè)實(shí)施例中的不同樣態(tài)。此外，此處所討論的方法實(shí)施例可依照特定的順序進(jìn)行；然而，其他方法實(shí)施例亦可依照任何一種符合邏輯的順序進(jìn)行。

圖1至15是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一些實(shí)施例的一種重布線路結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。圖10b是重布線路結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通孔與對(duì)位標(biāo)記的剖面示意圖。

請(qǐng)參考圖1，提供載具c，此載具c具有形成于其上的剝離層db及介電層di，其中剝離層db位于載具c及介電層di之間。在一些實(shí)施例中，載具c例如為玻璃基板，剝離層db例如為形成于玻璃基板上的光熱轉(zhuǎn)換(light-to-heatconversion，lthc)釋放層，且介電層di例如為形成于剝離層db上的光敏聚苯并惡唑(photosensitivepolybenzoxazole，pbo)層。

在提供具有剝離層db及介電層di形成于其上的載板c之后，在介電層di上多個(gè)導(dǎo)電穿孔tv形成。在一些實(shí)施例中，這些導(dǎo)電穿孔tv通過(guò)光刻技術(shù)、電鍍及去光刻膠工藝所形成。導(dǎo)電穿孔tv例如包括銅柱(copperpost)。

請(qǐng)參考圖2，集成電路100包括至少一導(dǎo)電柱110及形成于其上的保護(hù)層120，集成電路100被拾起并且放置在介電層di上。在本實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)電柱110通過(guò)光刻技術(shù)、電鍍及去光刻膠工藝形成在集成電路100上。導(dǎo)電柱110被保護(hù)層120包封。在一些實(shí)施例中，集成電路100可包括有源表面100a、分布在有源表面100a上的多個(gè)接墊102及鈍化層104，其中鈍化層104覆蓋集成電路100的有源表面100a，且接墊102部分外露于鈍化層104。導(dǎo)電柱110形成在集成電路100的接墊102上，且保護(hù)層120覆蓋導(dǎo)電柱110及鈍化層104。導(dǎo)電柱110例如是電鍍銅柱，且鈍化層104例如是光敏聚苯并惡唑(photosensitivepolybenzoxazole，pbo)層。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2所示，保護(hù)層120的上表面低于導(dǎo)電穿孔tv的上表面，且保護(hù)層120的上表面高于導(dǎo)電柱110的上表面，但本發(fā)明并不以此為限制。

在其他的實(shí)施例中，保護(hù)層120的上表面會(huì)實(shí)質(zhì)上齊平于導(dǎo)電穿孔tv的上表面，且保護(hù)層120的上表面會(huì)高于導(dǎo)電柱110的上表面。

如圖1及圖2所示，可在形成導(dǎo)電穿孔tv之后，將集成電路100拾起并且放置在介電層di上。但本發(fā)明并不以此為限制。在其他實(shí)施例中，也可以是在形成導(dǎo)電穿孔tv之前，將集成電路100拾起并且放置在介電層di上。

請(qǐng)參考圖3，在介電層di上形成絕緣材料130以覆蓋集成電路100及導(dǎo)電穿孔tv。在一些實(shí)施例中，絕緣材料130為由模塑方式(molding)所形成的復(fù)合成型化合物(moldingcompound)。集成電路100的導(dǎo)電柱110及保護(hù)層120被絕緣材料130覆蓋。換句話說(shuō)，集成電路100的導(dǎo)電柱110及保護(hù)層120在絕緣材料130形成的過(guò)程中未被外露且被絕緣材料130妥善地保護(hù)。在一些實(shí)施例中，絕緣材料130包括環(huán)氧化合物或其他適當(dāng)?shù)臉渲?/p>

請(qǐng)參考圖4，研磨(grinded)絕緣材料130直到導(dǎo)電柱110的上表面、導(dǎo)電穿孔tv的上表面及保護(hù)層120的上表面外露。在研磨絕緣材料130之后，形成絕緣包封體130’。在絕緣材料130的研磨過(guò)程中，部分的保護(hù)層120被研磨以形成保護(hù)層120’。在一些實(shí)施例中，在絕緣材料130與保護(hù)層120的研磨過(guò)程中，部分的導(dǎo)電穿孔tv也被研磨。絕緣材料130及保護(hù)層120例如是通過(guò)化學(xué)式機(jī)械研磨法(chemicalmechanicalpolishingprocess，cmpprocess)研磨。如圖4所示，需注意的是，導(dǎo)電穿孔tv的上表面、絕緣包封體130’的上表面、導(dǎo)電柱110的上表面及保護(hù)層120’的上表面實(shí)質(zhì)上共平面。

請(qǐng)參考圖5至圖11，在形成絕緣包封體130’及保護(hù)層120’之后，電性連接于集成電路100的導(dǎo)電柱110的重布線路結(jié)構(gòu)rdl(顯示于圖11)形成在導(dǎo)電穿孔tv的上表面、絕緣包封體130’的上表面、導(dǎo)電柱110的上表面及保護(hù)層120’的上表面。重布線路結(jié)構(gòu)rdl(顯示于圖11)被制造來(lái)電性連接于下方的至少一導(dǎo)體。在此，前述的導(dǎo)體可以是集成電路100的導(dǎo)電柱110和/或嵌埋于絕緣包封體130’的導(dǎo)電穿孔tv。重布線路結(jié)構(gòu)rdl(顯示于圖11)的制造將在下面圖5至圖11的敘述中被詳細(xì)介紹。

請(qǐng)參考圖5，介電層140形成于導(dǎo)電穿孔tv的上表面、絕緣包封體130’的上表面、導(dǎo)電柱110的上表面及保護(hù)層120’的上表面上。介電層140包括至少一接觸開口o1及至少一接觸開口o2。在本實(shí)施例中，于介電層140內(nèi)形成用來(lái)暴露導(dǎo)電柱110的上表面的多個(gè)接觸開口o1及用來(lái)暴露導(dǎo)電穿孔tv的上表面的多個(gè)接觸開口o2。需注意的是，接觸開口o1的數(shù)量對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電柱110的數(shù)量，且接觸開口o2的數(shù)量對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電穿孔tv的數(shù)量。在一些實(shí)施例中，介電層140例如是光敏聚苯并惡唑(photosensitivepolybenzoxazole，pbo)層。

請(qǐng)參考圖6，在形成具有接觸開口o1及接觸開口o2的介電層140之后，種子層150例如共型地濺鍍?cè)诮殡妼?40、導(dǎo)電柱110的被接觸開口o1所暴露的上表面及導(dǎo)電穿孔tv被接觸開口o2所暴露的上表面。在一些實(shí)施例中，種子層150例如是為鈦或銅復(fù)合層，其中鈦濺鍍薄膜接觸介電層140、導(dǎo)電柱110的被接觸開口o1所暴露的上表面及導(dǎo)電穿孔tv被接觸開口o2所暴露的上表面。此外，銅濺鍍薄膜形成在鈦濺鍍薄膜上。

請(qǐng)參考圖7，圖案化光刻膠層pr形成在種子層150上，其中圖案化光刻膠層pr包括至少一開口o3、至少一開口o4及至少一溝渠tr。在本實(shí)施例中，在圖案化光刻膠層pr中形成多個(gè)開口o3及多個(gè)開口o4。需注意的是，開口o3的數(shù)量對(duì)應(yīng)于接觸開口o1的數(shù)量，且開口o4的數(shù)量對(duì)應(yīng)于接觸開口o2的數(shù)量。本發(fā)明一實(shí)施例不限定溝渠tr的數(shù)量。開口o3位于接觸開口o1的上方，且開口o4位于接觸開口o2的上方。如圖7所示，部分的種子層150被開口o3、開口o4及溝渠tr暴露。

請(qǐng)參考圖8，在形成圖案化光刻膠層pr之后，進(jìn)行多步驟電鍍工藝以在種子層150被開口o3、開口o4及溝渠tr所暴露的部分上形成圖案化導(dǎo)電層160。利用多步驟電鍍工藝形成的圖案化導(dǎo)電層160可包括重布導(dǎo)電層162及至少一對(duì)位標(biāo)記164，其中重布導(dǎo)電層162形成在開口o3及開口o4內(nèi)，且對(duì)位標(biāo)記164形成在溝渠tr內(nèi)。重布導(dǎo)電層162包括通過(guò)接觸開口o1電性連接于導(dǎo)電柱110的至少一導(dǎo)通孔162a及通過(guò)接觸開口o2電性連接于導(dǎo)電穿孔tv的至少一導(dǎo)通孔162b。在本實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)通孔162a及導(dǎo)通孔162b被電鍍?cè)诜N子層150外露于圖案化光刻膠層pr的部分。需注意的是，導(dǎo)通孔162a的數(shù)量對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電柱110的數(shù)量，且導(dǎo)通孔162b的數(shù)量對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電穿孔tv的數(shù)量。此外，對(duì)位標(biāo)記164的數(shù)量對(duì)應(yīng)于溝渠tr的數(shù)量。

如圖8所示，在種子層150外露于接觸開口o1及開口o3的部分上電鍍導(dǎo)通孔162a，在種子層150外露于接觸開口o2及開口o4的部分上電鍍導(dǎo)通孔162b，且在種子層150外露于溝渠tr的部分上電鍍對(duì)位標(biāo)記164。導(dǎo)通孔162a形成在導(dǎo)電柱110上方，且導(dǎo)通孔162b形成在導(dǎo)電穿孔tv上方。

在一些實(shí)施例中，形成圖案化導(dǎo)電層160的多步驟電鍍工藝可包括兩電鍍工藝，例如，進(jìn)行第一電鍍工藝以在種子層150外露于開口o3、開口o4及溝渠tr的部分形成第一電鍍導(dǎo)電層，且接著進(jìn)行第二電鍍工藝以在第一電鍍導(dǎo)電層上形成第二電鍍導(dǎo)電層。即便是第一電鍍導(dǎo)電層與第二電鍍導(dǎo)電層是利用不同的電鍍工藝所形成，第一電鍍導(dǎo)電層與第二電鍍導(dǎo)電層之間可沒有明顯的接口。

需注意的是，第一電鍍工藝在較高電鍍電流密度(例如大于2asd)及/或低擾動(dòng)(weakagitation)下進(jìn)行，且第二電鍍工藝在較低電鍍電流密度(例如小于2asd)及/或高擾動(dòng)下進(jìn)行。

在其他的實(shí)施例中，多步驟電鍍工藝包括超過(guò)兩個(gè)電鍍步驟，且超過(guò)兩個(gè)堆棧且電鍍導(dǎo)電層形成在種子層150上。

請(qǐng)參考圖9，在進(jìn)行多步驟電鍍工藝之后，剝除圖案化光刻膠層pr，以使種子層150上未被重布導(dǎo)電層162及對(duì)位標(biāo)記164覆蓋的部分外露。

請(qǐng)參考圖10a，通過(guò)使用重布導(dǎo)電層162及對(duì)位標(biāo)記164作為硬掩膜(hardmask)，移除種子層150尚未被重布導(dǎo)電層162及對(duì)位標(biāo)記164覆蓋的部分，以形成圖案化種子層150’。圖案化種子層150’包括至少一第一種子圖案150a及至少一第二種子圖案150b，其中第一種子圖案150a形成于集成電路100的導(dǎo)電柱110及重布導(dǎo)電層162的導(dǎo)通孔162a之間，且第二種子圖案150b形成于集成電路100的介電層140及對(duì)位標(biāo)記164之間。在一些實(shí)施例中，種子層150利用蝕刻來(lái)圖案化，直到介電層140外露。

在種子層150的圖案化過(guò)程中，由于通過(guò)多步驟電鍍工藝所形成的重布導(dǎo)電層162的上表面及對(duì)位標(biāo)記164的上表面是平坦且光滑的，重布導(dǎo)電層162及對(duì)位標(biāo)記164受蝕刻工藝所造成的損害狀況可最小化。換句話說(shuō)，應(yīng)用于圖案化種子層150的蝕刻工藝不會(huì)造成重布導(dǎo)電層162的上表面及對(duì)位標(biāo)記164的上表面的嚴(yán)重?fù)p害。據(jù)此，重布導(dǎo)電層162的導(dǎo)通孔162a及162b具有良好的穿孔填充能力(viafillingcapability)，且在進(jìn)行對(duì)位過(guò)程中，對(duì)位標(biāo)記164能輕易地被辨識(shí)出來(lái)。

在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電柱110至導(dǎo)通孔162a的上表面的最小距離大于對(duì)位標(biāo)記164的最大厚度；且導(dǎo)電穿孔tv至導(dǎo)通孔162b的上表面的最小距離大于對(duì)位標(biāo)記164的最大厚度。

在一些實(shí)施例中，通過(guò)多步驟電鍍工藝所形成的導(dǎo)通孔162a及導(dǎo)通孔162b可包括平坦且光滑的上表面，且在導(dǎo)通孔162a及導(dǎo)通孔162b的上表面上幾乎沒有明顯的凹陷。然而，本發(fā)明并不以此為限制。在其他的實(shí)施例中，如圖10b所示，在進(jìn)行多步驟電鍍工藝之后，在導(dǎo)通孔162a及導(dǎo)通孔162b的上表面形成凹陷，且對(duì)位標(biāo)記164可具有穹頂型(dome-shaped)上表面。

請(qǐng)參考圖10b，導(dǎo)通孔162a包括在其上表面上的凹陷dp，且導(dǎo)電柱110至導(dǎo)通孔162a的上表面或是導(dǎo)電柱110至凹陷dp的底部的最小距離a大于凹陷dp的深度b。例如，導(dǎo)電柱110至導(dǎo)通孔162a的上表面或是導(dǎo)電柱110至凹陷dp底部的最小距離a在2微米至12微米之間，且凹陷dp的深度b小于0.5微米。導(dǎo)電柱110的暴露區(qū)域外露于接觸開口o1，且此暴露區(qū)域的直徑c1例如是小于等于50微米。

同樣地，在一些實(shí)施例中，導(dǎo)通孔162b包括在其上表面上的凹陷dp’，且導(dǎo)電穿孔tv至導(dǎo)通孔162b的上表面或是導(dǎo)電穿孔tv至凹陷dp’的底部的最小距離a’大于凹陷dp’的深度b’。例如，導(dǎo)電穿孔tv至導(dǎo)通孔162b的上表面或是導(dǎo)電穿孔tv至凹陷dp’的底部的最小距離a’在2微米至12微米之間，且凹陷dp’的深度b’小于0.5微米。導(dǎo)電穿孔tv的暴露區(qū)域外露于接觸開口o2，且此暴露區(qū)域的直徑c’例如是小于等于50微米。

如圖10b所示，凹陷dp分布于接觸開口o1的上方與外部，且凹陷dp’分布于接觸開口o2的上方與外部。

如圖10b所示，其中一個(gè)導(dǎo)電柱110的暴露區(qū)域外露于接觸開口o1，介電層140具有環(huán)繞接觸開口o1的第一側(cè)墻，導(dǎo)電柱110的暴露區(qū)域與第一側(cè)墻之間夾有第一鈍角α1。導(dǎo)通孔162a具有環(huán)繞凹陷dp的第二側(cè)墻，凹陷dp的底部與第二側(cè)墻之間夾有第二鈍角α2，且第二鈍角α2大于第一鈍角α1。同樣地，其中一個(gè)導(dǎo)電穿孔tv的暴露區(qū)域外露于接觸開口o2，介電層140具有環(huán)繞接觸開口o2的第三側(cè)墻，導(dǎo)電穿孔tv的暴露區(qū)域與第三側(cè)墻之間夾有第三鈍角α3，導(dǎo)通孔162a具有環(huán)繞凹陷dp’的第四側(cè)墻，凹陷dp’的底部與第四側(cè)墻之間夾有第四鈍角α4，且第四鈍角α4大于第三鈍角α3。

請(qǐng)參考圖10b，對(duì)位標(biāo)記164可包括介電層140上的基部164a及基部164a上的凸出部164b，其中凸出部164b包括穹頂型上表面，且凸出部164b的最大厚度e與基部164a的厚度d的比值小于25％。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電柱110至導(dǎo)通孔162a的上表面或?qū)щ娭?10至凹陷dp的底部的最小距離a大于凸出部164b的最大厚度e及基部164a的厚度d的總和(即d+e)。換句話說(shuō)，最小距離a大于對(duì)位標(biāo)記164的最大厚度。舉例來(lái)說(shuō)，凸出部164b的最大厚度e小于0.5微米，且基部164a的厚度d在1.5微米至27微米之間。

在前述實(shí)施例中，由于重布導(dǎo)電層162及對(duì)位標(biāo)記164通過(guò)多步驟電鍍工藝所形成，重布導(dǎo)電層162的導(dǎo)通孔162a及162b可具有良好的穿孔填充能力、高印刷分辨率(lithographyresolution)及短信號(hào)傳遞路徑的優(yōu)點(diǎn)；且對(duì)位標(biāo)記164可具有高印刷分辨率及良好的表面輪廓(surfaceprofile)的優(yōu)點(diǎn)。

請(qǐng)參考圖11，在形成介電層140及圖案化導(dǎo)電層160之后，圖5至圖10a的步驟可再重復(fù)至少一次，以在集成電路100及絕緣包封體130’上制作重布線路結(jié)構(gòu)rdl。重布線路結(jié)構(gòu)rdl包括交替堆棧的多個(gè)介電層及多個(gè)圖案化導(dǎo)電層。在一些實(shí)施例中，重布線路結(jié)構(gòu)rdl的最上層圖案化導(dǎo)電層可包括用來(lái)電性連接于導(dǎo)電球的多個(gè)球底金屬層圖案170和/或用來(lái)電性連接于至少一無(wú)源元件的至少一連接接墊172。在本實(shí)施例中，形成多個(gè)連接接墊172。本發(fā)明一實(shí)施例不限定球底金屬層圖案170及連接接墊172的數(shù)量。

請(qǐng)參考圖12，在形成重布線路結(jié)構(gòu)rdl之后，在球底金屬層圖案170上放置多個(gè)導(dǎo)電球174，且在連接接墊172上裝配(mounted)多個(gè)無(wú)源元件176。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電球174可通過(guò)植球工藝(ballplacementprocess)放置在球底金屬層圖案170上，且無(wú)源元件176可通過(guò)回焊工藝裝配在連接接墊172上。

請(qǐng)參考圖12及圖13，在形成導(dǎo)電球174及無(wú)源元件176之后，將介電層di從剝離層db移除，以使介電層di分離于載板c。在一些實(shí)施例中，剝離層db(例如，光熱轉(zhuǎn)換釋放層)可被紫外光激光照射，而使介電層di剝離于載板c。如圖13所示，接著圖案化介電層di，以形成暴露導(dǎo)電穿孔tv的底表面的多個(gè)接觸開口o5。接觸開口o5的數(shù)量對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電穿孔tv的數(shù)量。

請(qǐng)參考圖14，在接觸開口o5形成于介電層di之后，在被接觸開口o5所暴露的導(dǎo)電穿孔tv的底表面放置多個(gè)導(dǎo)電球180。并且，導(dǎo)電球180例如是通過(guò)回焊以連接于導(dǎo)電穿孔tv的底表面。如圖14所示，在形成導(dǎo)電球174及導(dǎo)電球180之后，具有雙側(cè)端子的集成電路100的整合扇出型封裝完成。

請(qǐng)參考圖15，其提供另一種封裝190。在一些實(shí)施例中，封裝190例如是存儲(chǔ)器裝置。封裝190堆棧且通過(guò)導(dǎo)電球180電性連接于圖14的整合扇出型封裝，以制造出疊層封裝(packageonpackage，pop)結(jié)構(gòu)。

一種重布線路結(jié)構(gòu)，電性連接于位于其下方的至少一導(dǎo)體。重布線路結(jié)構(gòu)包括介電層、對(duì)位標(biāo)記及重布導(dǎo)電層。介電層覆蓋導(dǎo)體且包括用來(lái)暴露該導(dǎo)體的至少一接觸開口。對(duì)位標(biāo)記配置在介電層上，對(duì)位標(biāo)記包括位于介電層上的基部及位于基部上的凸出部，其中凸出部的最大厚度與基部的厚度的比值小于25％。重布導(dǎo)電層配置在介電層上，重布導(dǎo)電層包括導(dǎo)通孔，且導(dǎo)通孔通過(guò)接觸開口電性連接至導(dǎo)體。

一種扇出型集成電路封裝，包括集成電路、絕緣包封體、重布線路結(jié)構(gòu)。集成電路包括至少一導(dǎo)電柱。絕緣包封體包封集成電路且外露集成電路的導(dǎo)電柱。重布線路結(jié)構(gòu)設(shè)置在集成電路與絕緣包封體上，且電性連接至集成電路的導(dǎo)電柱。重布線路結(jié)構(gòu)包括介電層、對(duì)位標(biāo)記及重布導(dǎo)電層。介電層覆蓋集成電路與絕緣包封體且包括用來(lái)暴露導(dǎo)電柱的至少一接觸開口。對(duì)位標(biāo)記配置在介電層上，對(duì)位標(biāo)記包括位在介電層上的一基部及位在基部上的凸出部，其中凸出部的最大厚度與基部的厚度的比值小于25％。重布導(dǎo)電層配置在介電層上，重布導(dǎo)電層包括導(dǎo)通孔，且導(dǎo)通孔透過(guò)接觸開口電性連接至導(dǎo)體。

一種電性連接于位于其下方的至少一導(dǎo)體的重布線路結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：形成覆蓋于導(dǎo)體的介電層，介電層包括用來(lái)暴露該導(dǎo)體的至少一接觸開口；形成種子層以覆蓋介電層與導(dǎo)體。于種子層上形成圖案化光阻層，圖案化光阻層包括至少一開口及至少一溝渠，種子層外露于開口及溝渠；進(jìn)行多步驟電鍍制程以在種子層被開口及溝渠所暴露的部分上形成圖案化導(dǎo)電層，圖案化導(dǎo)電層包括形成在開口的至少一重布導(dǎo)電層及形成在溝渠的至少一對(duì)位標(biāo)記，重布導(dǎo)電層包括至少一導(dǎo)通孔，且導(dǎo)通孔透過(guò)接觸開口電性連接至導(dǎo)體，其中對(duì)位標(biāo)記包括位在介電層上的基部及位在基部上的凸出部，其中凸出部的最大厚度與基部的厚度的比值小于25％；移除圖案化光阻層；在移除圖案化光阻層之后，移除未被重布導(dǎo)電層與對(duì)位標(biāo)記所覆蓋的種子層以形成圖案化種子層。

以上概述了多個(gè)實(shí)施例的特征，使本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可更佳了解本發(fā)明的態(tài)樣。本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)理解，其可輕易地使用本發(fā)明作為設(shè)計(jì)或修改其他工藝與結(jié)構(gòu)的依據(jù)，以實(shí)行本文所介紹的實(shí)施例的相同目的和/或達(dá)到相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者還應(yīng)理解，這種等效的配置并不悖離本發(fā)明的精神與范疇，且本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者在不悖離本發(fā)明的精神與范疇的情況下可對(duì)本文做出各種改變、置換以及變更。