專利名稱：半導(dǎo)體器件的布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的布線結(jié)構(gòu)，布線具有應(yīng)力集中部。
背景技術(shù)：
在一種半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)中，有可能由于應(yīng)力轉(zhuǎn)移而在布線(如一個(gè)通路或通路底)內(nèi)出現(xiàn)空洞。另外，此空洞可能造成布線中斷路而使半導(dǎo)體器件的可靠性變壞。
為避免出現(xiàn)空洞，在日本特許公報(bào)7-106323和9-213800中所描述的半導(dǎo)體器件內(nèi)，在布線的側(cè)面做了一個(gè)具有壓應(yīng)力的絕緣膜，而在布線的頂面做了一個(gè)具有張應(yīng)力的絕緣膜，兩個(gè)膜都沿著布線的縱向。這些布線結(jié)構(gòu)的目的是使布線內(nèi)的應(yīng)力釋放，并通過張應(yīng)力和壓應(yīng)力之間的相互緩沖作用而防止應(yīng)力轉(zhuǎn)移。
另外，在日本特許公報(bào)8-264647所描述的一種半導(dǎo)體器件中，在半導(dǎo)體器件內(nèi)提供了一個(gè)替代區(qū)，它不用作電路的一個(gè)元件。此替代區(qū)做得很接近布線又和它分開。這種結(jié)構(gòu)的目的是通過在替代(dummy)區(qū)內(nèi)優(yōu)先產(chǎn)生空洞而防止在布線結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)空洞。
在日本特許公報(bào)7-106323中所描述的那種半導(dǎo)體器件內(nèi)，設(shè)置了具有壓應(yīng)力的絕緣膜和具有張應(yīng)力的絕緣膜，使它們直接接觸布線而通過壓應(yīng)力和張應(yīng)力間的相互緩沖作用使應(yīng)力釋放。但是，這種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)不足以防止在通路底等處局部出現(xiàn)空洞。此外，有可能由于都是用來使應(yīng)力釋放的在布線側(cè)面具有壓應(yīng)力的絕緣膜和在布線頂面具有張應(yīng)力的絕緣膜，反而會(huì)促進(jìn)在通路底處和布線內(nèi)部形成空洞。舉例來說，當(dāng)布線是一個(gè)通路(via)時(shí)，在布線側(cè)面具有壓應(yīng)力的絕緣膜對(duì)通路施加一張應(yīng)力，因而容易在通路底形成空洞。還有，在布線層內(nèi)部的布線中，由于壓應(yīng)力和張應(yīng)力作用于布線上，應(yīng)力收集中在布線內(nèi)一個(gè)薄弱的部位如結(jié)晶顆粒邊界等處，從而降低了在結(jié)晶顆粒邊界等內(nèi)的接合強(qiáng)度。結(jié)果可以預(yù)料在結(jié)晶顆粒邊界等處容易出現(xiàn)空洞。
在日本特許公報(bào)9-213800中描述的那種半導(dǎo)體器件內(nèi)，具有壓應(yīng)力的絕緣膜直接形成在布線上，而具有張應(yīng)力的埋入用絕緣膜埋入具有壓應(yīng)力的絕緣膜。在這種結(jié)構(gòu)中，由于這兩種絕緣膜的相互作用將促使應(yīng)力釋放。至于直接形成在布線上的絕緣膜，它垂直方向的壓應(yīng)力已經(jīng)在其形成過程中釋放。因而這個(gè)絕緣膜是在水平方向的布線施加張應(yīng)力。另外，埋入用的絕緣膜在水平和垂直兩個(gè)方向?qū)Σ季€施加張應(yīng)力。這樣一來，在布線內(nèi)將產(chǎn)生很大的張應(yīng)力，因而有可能容易在結(jié)晶顆粒邊界內(nèi)出現(xiàn)空洞，這和日本特許公報(bào)7-106323中所描述的半導(dǎo)體器件內(nèi)的情況類似。
在日本特許公報(bào)8-264647中所描述的那種半導(dǎo)體器件內(nèi)，形成了一個(gè)替代區(qū)，它是不接觸布線的一個(gè)結(jié)構(gòu)上薄弱的部分，同時(shí)應(yīng)力通過這個(gè)替代區(qū)來釋放。不過，雖然這種結(jié)構(gòu)對(duì)于布層作為一個(gè)整體的應(yīng)力釋放是有效的，但它對(duì)于局部應(yīng)力的作用是不夠的，因?yàn)檫@個(gè)替代區(qū)離開應(yīng)力應(yīng)該得到釋放的布線很遠(yuǎn)。此外，由于替代區(qū)是形成在布線層內(nèi)部，它不足以釋放在通路底等處的局部應(yīng)力。再者，當(dāng)布線和替代區(qū)之間的部分是用機(jī)械強(qiáng)度差的低k材料等形成時(shí)，此替代區(qū)只對(duì)較窄范圍的應(yīng)力釋放有效，故其作用進(jìn)一步降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一個(gè)半導(dǎo)體器件的布線結(jié)構(gòu)，其中在一個(gè)布線內(nèi)任意位置出現(xiàn)空洞的可能性受到限制。
按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)，一個(gè)布線局部設(shè)有一個(gè)應(yīng)力集中部，其中所產(chǎn)生的張應(yīng)力高于布線其它部分的張應(yīng)力。
本發(fā)明上述及其它一些目的，特征，形式和優(yōu)點(diǎn)將從下面結(jié)合附圖所作的詳細(xì)描述中看得更清楚。


圖1是按本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)的橫截面圖，它是沿圖2的I-I線剖開并朝箭頭方向看過去的視圖。
圖2是按本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)的平面視圖。
圖3至8是按本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)的制造過程的剖視圖。
圖9是按本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)的平面視圖。
圖10至14是按本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)的制造過程的剖視圖，相當(dāng)于沿圖9XIV-XIV線剖開并按箭頭方向看去的剖面。
圖15是表示替代布線伸展方向的縱剖視圖。
圖16是表示替代布線伸展方向的平面視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將描述在圖實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)。
第一實(shí)施例現(xiàn)在參照?qǐng)D1-8來描述第一實(shí)施例。
參考圖1和2來描述一個(gè)半導(dǎo)體器件的布線結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例的布線結(jié)構(gòu)中，提供了一個(gè)具有與布線本體11相連的替代布線15的布線。整個(gè)替代布線15用作應(yīng)力集中部21，其中產(chǎn)生的張應(yīng)力比布線本體11的張應(yīng)力高。
布線本體11是構(gòu)成半導(dǎo)體器件內(nèi)的電路所需的布線并用銅制成。圖1顯示一個(gè)下層布線11A，一個(gè)上層布線11C，和一個(gè)連接上層布線11C和下層布線11A的通路11B，它們共同構(gòu)成布線本體11。
替代布線15是一個(gè)為構(gòu)成半導(dǎo)體器件內(nèi)的電路不需要的布線，同時(shí)是一個(gè)即使在其中出現(xiàn)空洞也對(duì)半導(dǎo)體器件的工作、性能等沒有什么影響的部分。替代布線15做成和布線本體11相連。這兒替代布線15是一個(gè)從下層布線11A向上伸展的圓柱形通路。替代布線15和布線本體11一樣用銅制成。它們也可以用除銅之外的材料如鋁、銀或金來做。還可以用含銅、鋁、銀或金的材料制造。
絕緣膜17做成通過一層厚約100nm的薄中間層膜13將替代布線15的周邊包圍起來。絕緣膜17是用高密度等離子體CVD(化學(xué)汽相淀積)法淀積的一個(gè)SiN膜，且有內(nèi)部壓應(yīng)力。張應(yīng)力通過絕緣膜17加在整個(gè)與它相接觸的替代布線15上。張(拉伸)應(yīng)力主要加在替代布線15的縱向(在圖1的垂直方向)。因而整個(gè)替代布線15用作應(yīng)力集中部21，其中產(chǎn)生的張應(yīng)力高于布線本體11的張應(yīng)力。
在本實(shí)施例中，空心圓柱形絕緣膜17將整個(gè)替代布線15圍住。具有內(nèi)部壓應(yīng)力的絕緣膜17可設(shè)在只與替代布線15一部分相應(yīng)的位置上，以便在該替代布線15部分產(chǎn)生一個(gè)應(yīng)力集中部21。具體地說，可把空心圓柱形絕緣膜17做成在其縱向(圖1的垂直方向)包圍只與替代布線15一部分相應(yīng)的那部分。此外，替代布線15可做成棱柱形或平板形等形狀，并在靠近其一個(gè)或一些側(cè)面處做上板形或柱形絕緣膜17。
通過在替代布線15內(nèi)形成具有高張應(yīng)力的應(yīng)力集中部21，促進(jìn)了在應(yīng)力集中部21內(nèi)形成空洞51。由于替代布線15與布線本體11相連而產(chǎn)生應(yīng)力轉(zhuǎn)移，并在應(yīng)力集中部21集中了布線本體11內(nèi)的空洞和微空洞。因而在布線本體11內(nèi)的空洞和微空洞減少了。所以我們希望在應(yīng)力集中部21形成空洞51。與此相反，在靠近與替代布線15相連的那部分布線本體11處空洞的產(chǎn)生受到限制。因而限制了由于出現(xiàn)空洞51的質(zhì)量變壞，改善了半導(dǎo)體器件的可靠性。
至于從空心圓柱形絕緣膜17作用到替代布線15上的應(yīng)力，是在替代布線15的縱向(圖1的垂直方向)產(chǎn)生張應(yīng)力。另一方面，在替代布線15的徑向?qū)a(chǎn)生壓應(yīng)力。為通過應(yīng)力轉(zhuǎn)移使空洞51集中在應(yīng)力集中部21，在應(yīng)力集中部21內(nèi)應(yīng)產(chǎn)生張應(yīng)力。因而絕緣膜17相對(duì)它的徑向厚度而言具有足夠長的軸向長度。通過充分降低空心圓柱形絕緣膜17的徑向厚度也可以得到類似的效果。
在應(yīng)力集中部21產(chǎn)生的張應(yīng)力最好不小于200MPa且不大于400MPa。若張應(yīng)力小于200MPa，則不足以限制在布線本體11內(nèi)產(chǎn)生空洞。如果張應(yīng)力大于400MPa，則替代布線15可能被破壞。用作布線主要材料的鋁和銅的抗張強(qiáng)度分別為47MPa和210MPa左右。因此，在用大塊鋁或銅塊作張力測(cè)試時(shí)，鋁和銅將在上述值下破損。但是，用于小型結(jié)構(gòu)且由絕緣膜包圍的材料(例如在LSI布線中)的抗張強(qiáng)度比大塊材料的情況要高。在銅的情況下，雖然張應(yīng)力在400MPa以下幾乎不會(huì)出現(xiàn)破損，但替代布線15可能只在張應(yīng)力超過400MPa時(shí)破損。當(dāng)替代布線15破損時(shí)，其中的應(yīng)力完全釋放，因而對(duì)應(yīng)力集中部21內(nèi)的集中空洞和微空洞沒有影響。為了使空洞和微空洞有效地集中，在布線11A和替代布線15之間應(yīng)造成一個(gè)應(yīng)力梯度(變化)而不破壞替代布線。為了形成這樣一個(gè)應(yīng)力梯度，張應(yīng)力最好不要超過400MPa，這時(shí)不會(huì)造成替代布線15的破損。
當(dāng)超過400MPa的強(qiáng)張應(yīng)力加到替代布線15上時(shí)，圍繞替代布線15的層間膜13也將承受類似大的應(yīng)力。加上這么強(qiáng)的應(yīng)力可能在包圍的層間膜內(nèi)引起裂痕。從這方面來說，也不希望在應(yīng)力集中部21內(nèi)的張應(yīng)力超過400MPa。
建議把替代布線15和應(yīng)力集中部21設(shè)置在容易出現(xiàn)空洞51的那部分布線本體11處。容易出現(xiàn)空洞51的部分的例子包括靠近具有大絕對(duì)量空洞和微空洞的厚布線的一部分，以及結(jié)構(gòu)上鄰近高張應(yīng)力的一部分。由于替代布線15和應(yīng)力集中部21可以局部地設(shè)置在布線本體11內(nèi)的任何位置，故可以在布線本體11的任何位置防止空洞51出現(xiàn)。另外，在本實(shí)施例中由于替代布線15是通路的形式，因而替代布線15和應(yīng)力集中部21的形成并不會(huì)增加半導(dǎo)體器件的面積。
另外，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)對(duì)用銅做的布線特別有效，這時(shí)由于下面要講到的原因容易出現(xiàn)空洞。為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的加速，布線的延遲，即RC(阻容)延遲是一個(gè)問題。RC延遲決定于布線的電阻和電容之積。因此，當(dāng)需要加速時(shí)，將采用電阻率比Al制或Al合金制布線低的Cu制或Cu合金制布線。和Al不一樣，含Cu的布線很難用刻蝕方法處理。因此我們采用所謂的鑲嵌法的布線填充方法來形成這種布線。
在鑲嵌(damascene)過程中，絕緣膜內(nèi)形成一個(gè)象連接孔或布線溝槽之類的凹部，并用Cu將它填滿。因此，要進(jìn)行CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)平面化處理。在用Cu填充凹部時(shí)采用電場(chǎng)鍍ECP(電化學(xué)鍍)，CVD等方法，且主要用ECP法，因?yàn)樗诔杀镜确矫娓邇?yōu)勢(shì)。
用ECP法形成的鍍Cu膜的特征是，它包含一些空洞和微空洞，有張應(yīng)力，而且在低溫(100℃或以下)下就能觀察到晶粒生長。由于這些特征，當(dāng)這樣一個(gè)膜保持在低溫時(shí)，能在晶粒生長的同時(shí)釋出空洞或微空洞。空洞和微空洞擴(kuò)散到(應(yīng)力轉(zhuǎn)移)具有高張應(yīng)力的那部分含Cu布線內(nèi)(那些容易形成空洞)。所以對(duì)于容易出現(xiàn)空洞的材料，例如用ECP法形成的由鍍Cu膜制成的布線，每隔一個(gè)適當(dāng)距離局部設(shè)置替代布線15和應(yīng)力集中部21特別有效。這樣空洞51可以集中在應(yīng)力集中部21，同時(shí)可以限制在含Cu的布線本體11內(nèi)出現(xiàn)空洞51。
下面參照?qǐng)D3-8來描述一種本實(shí)施例的布線結(jié)構(gòu)的制造方法。參考圖3，在含Cu的布線本體11上迭放著一個(gè)蓋膜12。蓋膜12用作刻蝕阻擋膜以防止Cu的擴(kuò)散，在這里它是一個(gè)用等離子體CVD法形成的SiN膜。層間膜13層疊在蓋膜12上面。層間膜13是一個(gè)低k膜，它是一個(gè)具有低介質(zhì)常數(shù)的絕緣膜。在對(duì)加速無特殊要求的半導(dǎo)體器件中，可以用其它的絕緣材料(如SiO2)來做層間膜13。
參看圖4，對(duì)層間膜13進(jìn)行刻蝕形成一個(gè)開口14，并在以后用替代布線15填充。這時(shí)蓋膜12也和層間膜13一起被刻蝕掉。
參看圖5，在開口14的內(nèi)表面上形成一個(gè)阻滯膜和一個(gè)Cu晶(seed)膜(未示)?？梢杂肨a膜，TaN膜，WN膜等來做阻滯膜。Cu晶膜是通過濺射法堆迭Cu而形成。接下來，用Cu膜通過ECP填充開口14，使成為替代布線15。然后，通過CMP將不需要的Cu膜和阻滯膜部分除掉。
參看圖6，通過刻蝕在替代布線15周圍形成一個(gè)空心圓柱形開口16，圍繞替代布線15留下約100nm厚的層間膜13。在此步驟中蓋膜12仍然保留。
參看圖7，通過高密度等離子體CVD，用SiN膜做的絕緣膜17填充開口16。利用高密度等離子體CVD法可以在絕緣膜17內(nèi)保留高的內(nèi)部壓應(yīng)力。在此階段可利用下面要講到的方法調(diào)節(jié)保留在絕緣膜17內(nèi)的內(nèi)部應(yīng)力大小。在高密度等離子體CVD裝置的情況下，可通過增加源功率和偏置功率來增加絕緣膜17的壓應(yīng)力。在平行平板等離子體CVD裝置的情況下，可通過減少SiH4氣體的流量和降低淀積過程中的壓力來增加絕緣膜17的壓應(yīng)力。此外，在雙頻激發(fā)平行平板等離子體CVD裝置的情況下，可通過增大KHz量級(jí)的低激發(fā)頻率的功率來增加絕緣膜17的壓應(yīng)力。
最后參看圖8，通過CMP將層間膜13表面上不需要的SiN膜部分除掉。利用上面各步驟，可以形成與布線本體11相連的替代布線15和應(yīng)力集中部21。
如上所述，在本實(shí)施例中絕緣膜17是通過厚約100nm的層間膜13而提供給替代布線15。換句話說，絕緣膜17與替代布線15很接近。在這種情況下，替代布線15不必直接和絕緣膜17彼此接觸，而且只要絕緣膜17靠近替代布線15使它的應(yīng)力完全作用于替代布線15上就可以。
第二實(shí)施例下面將參照?qǐng)D9-14描述第二個(gè)實(shí)施例。
參看圖9，我們來描述一種半導(dǎo)體器件的布線結(jié)構(gòu)。應(yīng)指出，與第一實(shí)施例中相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)將用與第一實(shí)施例中相同的參數(shù)數(shù)字標(biāo)識(shí)，而且這里不再重復(fù)說明。在本實(shí)施例的布線結(jié)構(gòu)中，布線是從布線本體11橫向伸出的，它可作為與布線本體11相連的替代布線15?；旧险麄€(gè)替代布線15都用作應(yīng)力集中部21，其中作用的張應(yīng)力比布線本體11的張應(yīng)力要高。
在本實(shí)施例中，替代布線15處于和布線本體11的同一層內(nèi)。雖然布線本體11和替代布線15是由Cu或含Cu的金屬(如Cu合金)做的，但它們也可以只用除Cu之外的金屬來制造。在替代布線15上層做上絕緣膜17以與替代布線15直接接觸。絕緣膜17是用高密度等離子體CVD法形成的SiN膜，且具有內(nèi)部壓應(yīng)力。因此，絕緣膜17的張應(yīng)力通過與絕緣膜17接觸的替代布線15的上表面而作用，而且在幾乎整個(gè)替代布線15內(nèi)部產(chǎn)生張應(yīng)力。
如圖9所示，絕緣膜17將除替代布線15底部之外的全部上表面蓋住，而且它的三個(gè)側(cè)面伸出替代布線15上面之外。這樣一來，基本上全部替代布線15用作應(yīng)力集中部21，其中的張應(yīng)力高于布線本體11的張應(yīng)力。在本實(shí)施例中，由于絕緣膜17未將替代布線15的底部蓋住，布線本體11和絕緣膜17不相互接觸。這樣絕緣膜17的壓應(yīng)力很難作用到布線本體11上。另外，具有內(nèi)壓應(yīng)力的絕緣膜17可做成只接觸替代布線15的一部分以在該部分形成應(yīng)力集中部21。例如，可把絕緣膜17做成只接觸遠(yuǎn)離布線本體11的替代布線15的頂部，以進(jìn)一步降低對(duì)布線本體11的影響。
通過在替代布線15內(nèi)形成具有高張應(yīng)力的應(yīng)力集中部21，促進(jìn)了在應(yīng)力集中部21內(nèi)空洞51的形成，而且將產(chǎn)生應(yīng)力轉(zhuǎn)移。因此，可以限制在靠近與替代布線15相連的那部分布線本體11中出現(xiàn)空洞51，從而改善半導(dǎo)體器件的可靠性。
最好讓替代布線15和應(yīng)力集中部21局部形成于易出現(xiàn)空洞51的那部分布線本體11處。我們知道，空洞51容易出現(xiàn)在下層布線和通路相連的那一部分(即通路的底部)，因?yàn)樵诮Y(jié)構(gòu)上這部分承受著高張應(yīng)力。在本實(shí)施例中，由于替代布線15是沿橫向，即在設(shè)置布線本體11的同一層，故可將替代布線15連至構(gòu)成通路底面的布線本體11的側(cè)面。在這種情況下，可以限制在通路的底面出現(xiàn)空洞51。
我們參照?qǐng)D10-14來描述一種制造本實(shí)施例布線結(jié)構(gòu)的方法。首先，參看圖10，在與形成含Cu的布線本體11的同時(shí)形成替代布線15。
參看圖11，蓋膜12堆迭在布線本體11和替代布線15上。層間膜13是由等離子體CVD形成的SiN膜。層間膜13堆迭在蓋膜12上。層間膜13是由低k材料形成的，它是一種具有低介質(zhì)常數(shù)的絕緣膜。
參看圖12，層間膜13經(jīng)過刻蝕后形成開口16，它將被絕緣膜17填充。開口做成將除替代布線15底部之外的全部替代布線15的上表面蓋住。這時(shí)蓋膜12也同層間膜13一起經(jīng)刻蝕后被清除。
參看圖13，通過高密度等離子體CVD用由SiN膜做的絕緣膜17將開口16填滿。由于采用高密度等子體CVD，在絕緣膜17內(nèi)保留著高的內(nèi)壓應(yīng)力。
最后，參看圖14，通過CMP將層間膜13表面不需要的SiN膜部分除掉。利用以上各步驟，可以形成基本上與替代布線15整個(gè)上表面直接接觸的絕緣膜17。因此，絕緣膜17將產(chǎn)生張應(yīng)力，而且?guī)缀跽麄€(gè)替代布線15可用作應(yīng)力集中部21。
雖然在上面兩個(gè)實(shí)施例中是通過高密度等離子體CVDA堆積SiN膜而形成絕緣膜17，但也不一定要用這種方法。可以采用任何一種膜，只要它具有內(nèi)壓應(yīng)力并不損害含Cu的布線就行。例如，可以采用具有內(nèi)壓應(yīng)力的濺散膜，如通過濺散形成的TiN膜。絕緣膜也可以采用由等離子體CVD法淀積的TEOS(Tetra Etlyl Ortho Silicate)膜和由高密度等離子體CVD淀積的氧化物膜。
圖15是表示替代布線15延伸方向的一個(gè)垂直剖面圖。如圖15所示，在第二實(shí)施例中，替代布線15是處在與布線本體11同一層內(nèi)，以致能沿橫向延伸。此外，在第一實(shí)施例中，替代布線15B是沿垂直方向延伸的。例如，可以形成沿斜方向延伸的替代布線15A。
圖16是顯示替代布線15延伸方向的一個(gè)平面圖。如圖16所示，在第二實(shí)施例中，替代布線15是沿著垂直于布線本體11延伸的方向而延伸的。替代布線15的方向并不只限于此，也可以讓替代布線15A或替代布線15B與布線本體11斜交。這時(shí)，可自由地設(shè)定替代布線15相對(duì)于布線本體11延伸方向的延伸方向。只要替代布線15和布線本體11在任何位置都彼此接觸就可以。
雖然上面已對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)描述和展示，但雖然它們只是作為一個(gè)示例而展示的，而不能看成是限制，本發(fā)明的思路和范疇僅由下面的權(quán)利要求書中各條款加以限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的布線結(jié)構(gòu)，布線中局部設(shè)置應(yīng)力集中部，在該應(yīng)力集中部內(nèi)的張應(yīng)力高于該布線其它部分的張應(yīng)力。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)，其中布線具有與布線本體相連的替代布線，所述替代布線帶應(yīng)力集中部。
3.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)，其中替代布線是由通路形成的。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)，其中通過在鄰近應(yīng)力集中部或和應(yīng)力集中部相接觸處提供具有內(nèi)壓應(yīng)力的絕緣膜而在應(yīng)力集中部產(chǎn)生張應(yīng)力。
5.如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)，其中絕緣膜是由等離子體CVD法淀積的SiN膜。
6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)，其中應(yīng)力集中部內(nèi)的張應(yīng)力不低于200MPa，不高于400MPa。
全文摘要
一個(gè)布線設(shè)置了一個(gè)與布線本體相連的替代布線，而該替代布線設(shè)有一個(gè)應(yīng)力集中部，其中產(chǎn)生的張應(yīng)力高于布線本體的張應(yīng)力。在鄰近應(yīng)力集中部通過高密度等離子體CVD形成一個(gè)絕緣膜，后者在應(yīng)力集中部產(chǎn)生張應(yīng)力。采用這種結(jié)構(gòu)，可以避免在布線本體內(nèi)任何位置出現(xiàn)空洞。
文檔編號(hào)H01L23/52GK1574333SQ20041000388
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月10日
發(fā)明者淺井孝祐, 飛松博, 川田宏幸, 澤田真人 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技