專利名稱：Ito的布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種ITO的布線結(jié)構(gòu)，尤其是指應(yīng)用在電容式觸摸屏上ITO的布線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，觸控技術(shù)已經(jīng)日趨完善，觸摸屏已經(jīng)逐漸取代機(jī)械式按鈕面板成為手機(jī)、筆記本等電子設(shè)備新的操作界面?，F(xiàn)有觸摸屏包括電阻式觸摸屏、紅外線觸摸屏、電容式觸摸屏等，根據(jù)它們自身的性質(zhì)就可以通過不同的方式獲得觸碰點(diǎn)的坐標(biāo)，而電容式觸摸屏由于其透光率、清晰度和可靠性更好，而被應(yīng)用于越來越多的產(chǎn)品中。電容式觸摸屏的ー個(gè)重要組成部分是感應(yīng)基板，現(xiàn)有的感應(yīng)基板大都包括基底和兩層ITO感應(yīng)層，其中ー種方式是將ITO鋪設(shè)在基板的兩側(cè)，ー側(cè)ITO為X軸檢測層，另ー側(cè) ITO為Y軸檢測層；另ー種為兩層感應(yīng)層均鋪設(shè)在基板的同一側(cè)，為了避免電極之間的相互導(dǎo)通，在所述基底上設(shè)置橋接點(diǎn)，從而有效的避免了電極之間的短路。無論哪種方式，現(xiàn)有 ITO的布線結(jié)構(gòu)一般為菱形，其雖然可以很好的減少寄生電容(所謂寄生電容是在驅(qū)動和感應(yīng)單元之間形成的邊緣電容)，増大感應(yīng)電容等優(yōu)點(diǎn)，但是其抗干擾能力有限，如在環(huán)境溫度、濕度改變的條件下，環(huán)境電場比較容易發(fā)生改變，極易引起漂移，造成不必要的誤操作。因此需要為廣大用戶提供一種全新的ITO布線結(jié)構(gòu)來解決以上問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)際所要解決的技術(shù)問題是如何提供ー種抗干擾能力更強(qiáng)的ITO布線結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了ー種ITO的布線結(jié)構(gòu)，涉及兩層ΙΤ0， 且兩層ITO之間是絕緣層，均布設(shè)在基底上，所述基底上設(shè)置橋接點(diǎn)，若在ー個(gè)方向上所述電極塊相互連接，那么在另ー個(gè)方向上所述電極塊就通過橋接的方式相互連接，所述電極塊的內(nèi)部被挖空形成空隙。本發(fā)明所述的ITO布線結(jié)構(gòu)，不但簡單，而且將傳統(tǒng)電極塊的內(nèi)部挖空了一部分， 所以增強(qiáng)了電容耦合，若在挖空的內(nèi)部塞有填充物也一祥可以增加電容耦合，增強(qiáng)所述整個(gè)ITO層的抗干擾能力。


圖1是本發(fā)明所述ITO布線結(jié)構(gòu)的第一種實(shí)施例；圖2是本發(fā)明所述ITO布線結(jié)構(gòu)的第二種實(shí)施例； 圖3是本發(fā)明所述ITO布線結(jié)構(gòu)的第三種實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)ー步的說明。本發(fā)明所述的ITO布線結(jié)構(gòu)中，涉及兩層ΙΤ0，所述兩層ITO之間是絕緣層，均布設(shè)在基底上。為了避免電極塊之間的相互導(dǎo)通，在所述基底上設(shè)置橋接點(diǎn)，若在ー個(gè)方向上所述電極塊相互連接，那么在另ー個(gè)方向上所述電極塊就通過橋接的方式相互連接。請參考圖1所示是本發(fā)明涉及的第一種ITO布線結(jié)構(gòu)，所述ITO層1無論在X軸方向上還是Y軸方向上均由回字形的電極塊10組成。所述回字形的電極塊10的外形呈菱形，內(nèi)部被挖空形成空隙，如此以來可以增加電容耦合，增強(qiáng)所述ITO層的抗干擾能力。由于所述電極塊10的內(nèi)部被挖空形成空隙，所以電容耦合增加很多，因?yàn)闊o論電極塊10的外形如何，只要內(nèi)部被挖空都可達(dá)到相同的效果，因此對于圖2所示意的第二種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)也一樣能增強(qiáng)所述ITO層的抗干擾能力，只是此時(shí)所述電極塊10的外形呈花形，其四個(gè)邊由相同的曲線組成，且所述曲線中間寬兩頭窄。為了到達(dá)抗干擾性能，本發(fā)明還提供了一種新的電容耦合方式，請參考圖3所示的第三中實(shí)施例，所述電極塊10呈六邊形，其中六邊形的兩個(gè)對角邊較其它邊長。所述相鄰電極塊10之間形成空隙，且在空隙處塞有填充物11，且所述填充物11也是ΙΤ0，如此以來也可以增加電容耦合，增強(qiáng)所述整個(gè)ITO層的抗干擾能力。本發(fā)明所述的ITO布線結(jié)構(gòu)，將傳統(tǒng)電極塊的內(nèi)部挖空了一部分，所以增強(qiáng)了電容耦合，若在挖空的內(nèi)部塞有填充物也一祥可以增加電容耦合，增強(qiáng)所述整個(gè)ITO層的抗干擾能力。
權(quán)利要求
1.ー種ITO的布線結(jié)構(gòu)，涉及兩層ΙΤ0，且兩層ITO之間是絕緣層，均布設(shè)在基底上， 所述基底上設(shè)置橋接點(diǎn)，若在ー個(gè)方向上所述電極塊相互連接，那么在另ー個(gè)方向上所述電極塊就通過橋接的方式相互連接，其特征在干所述電極塊的內(nèi)部被挖空形成空隙。
2.如權(quán)利要求1所述的ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極塊呈回字形。
3.如權(quán)利要求2所述的ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極塊的外形呈菱形。
4.如權(quán)利要求1所述的ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極塊的外形呈花形，其四個(gè)邊由相同的曲線組成。
5.如權(quán)利要求4所述的ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述曲線中間寬兩頭窄。
6.如權(quán)利要求1所述的ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極塊呈六邊形，其中六邊形的兩個(gè)對角邊較其它邊長。
7.如權(quán)利要求6所述的ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述相鄰電極塊之間形成空隙， 且在空隙處塞有填充物。
8.如權(quán)利要求7所述的ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述填充物也是ΙΤ0。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種ITO的布線結(jié)構(gòu)，涉及兩層ITO，且兩層ITO之間是絕緣層，均布設(shè)在基底上，所述基底上設(shè)置橋接點(diǎn)，若在一個(gè)方向上所述電極塊相互連接，那么在另一個(gè)方向上所述電極塊就通過橋接的方式相互連接，所述電極塊的內(nèi)部被挖空形成空隙。本發(fā)明所述的ITO布線結(jié)構(gòu)，不但簡單，而且將傳統(tǒng)電極塊的內(nèi)部挖空了一部分，所以增強(qiáng)了電容耦合，若在挖空的內(nèi)部塞有填充物也一樣可以增加電容耦合，增強(qiáng)所述整個(gè)ITO層的抗干擾能力。
文檔編號G06F3/044GK102541378SQ20111038088
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
發(fā)明者卓龍材, 張開立, 雷奧納﹒波特曼 申請人:蘇州瀚瑞微電子有限公司