專利名稱：雙層ito的布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ITO的布線結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
所謂ITO (銦錫氧化物)是一種用于生產(chǎn)液晶顯示器的關(guān)鍵材料，目前，其在儀器儀表、計(jì)算機(jī)、電子表、游戲機(jī)和家用電器等領(lǐng)域都有了極為廣泛的應(yīng)用。近年來市場上大熱的電容式觸摸屏也是利用ITO來完成偵測觸摸的動(dòng)作，而電容觸摸屏上ITO的布線一般是雙層，其主要原理是利用人體電場，當(dāng)使用者觸摸時(shí)，表面行或列的交叉處感應(yīng)單元的互電容(也稱耦合電容)會(huì)有變化，根據(jù)上述變化最終可檢測出觸摸點(diǎn)的具體位置。常見的雙層ITO的結(jié)構(gòu)是菱形結(jié)構(gòu)，其雙層ITO分別布設(shè)在玻璃基板的同側(cè)面上，為了避免電極之間的互相導(dǎo)通，所以需要在玻璃基板上設(shè)置橋接點(diǎn)，這樣就可將雙層ITO 布設(shè)在玻璃基板的同一側(cè)面上。雖然上述方法實(shí)現(xiàn)了偵測觸摸的動(dòng)作，但由于采用菱形結(jié)構(gòu)，難免會(huì)帶來多指觸控偵測不穩(wěn)定、電源噪聲干擾較大、畫線效果不佳的問題，因此亟需加以改善，為廣大用戶提供一種感應(yīng)更加靈敏的ITO的布線結(jié)構(gòu)來解決以上問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結(jié)構(gòu)偵測靈敏度不高的問題，線性度更高。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，所述每層ITO上設(shè)有若干行及若干列觸控電極，每行或每列觸控電極由若干個(gè)相同的菱形電極相連組成，所述菱形電極的對(duì)角線方向分別向內(nèi)凹陷形成兩個(gè)空隙。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結(jié)構(gòu)偵測靈敏度不高的問題，明顯提高了 ITO層的靈敏度和線性度。


圖I是本發(fā)明雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意 圖2是所示菱形電極的結(jié)構(gòu)示意附圖中各部件的標(biāo)記如下1、ITO層，10、觸控電極，101、菱形電極，102、空隙。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。請(qǐng)參閱圖I和圖2，本發(fā)明實(shí)施例包括
一種雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，所述每層ITO上設(shè)有若干行及若干列觸控電極10，每行及每列觸控電極10相互交叉相間排列，所述觸控電極10之間具有一定的空隙。所述每行或每列觸控電極10由若干個(gè)相同的菱形電極101相連組成，所述菱形電極101的對(duì)角線方向分別向內(nèi)凹陷形成兩個(gè)空隙102，每層ITO上的所述每行及每列觸控電極10呈中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)排布。所述每行或每列觸控電極10中的菱形電極101之間以長條狀電極相互連接，在所述每行及每列觸控電極的交叉處，所述菱形電極101以橋接的方式相互連接，即每行觸控電極10與每列觸控電極10之間保持電氣絕緣。下面具體介紹所述菱形電極101的結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參閱圖2，所述菱形電極101的一對(duì)對(duì)角沿對(duì)角線方向向內(nèi)凹陷形成兩個(gè)空隙102，所述空隙102呈長方 形，其寬度與該觸摸屏的保護(hù)層厚度相同，兩個(gè)空隙102之間的距離與所述菱形電極101之間的連接部的寬度相同。所述空隙102的頂端可以是直線型、弧形或者梯形等形狀，根據(jù)設(shè)計(jì)工藝的不同需求而定，而不限于如圖2所示的形狀。所述菱形電極101向內(nèi)凹陷的方向與相鄰兩個(gè)菱形電極101相連的方向相互垂直。與傳統(tǒng)的觸控電極10的菱形結(jié)構(gòu)相比,所述菱形電極101的結(jié)構(gòu)有效降低了觸控電極10的負(fù)載電容，減少了觸控電極10的充放電時(shí)間，進(jìn)而提高了 ITO層I的偵測靈敏度和線性度。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，所述每層ITO上設(shè)有若干行及若干列觸控電極，其特征在于，每行或每列觸控電極由若干個(gè)相同的菱形電極相連組成，所述菱形電極的對(duì)角沿對(duì)角線方向分別向內(nèi)凹陷形成兩個(gè)空隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，每行觸控電極與每列觸控電極相互交叉相間排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，每層ITO層上的所述若干行及若干列觸控電極的排布呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，在每行或每列觸控電極的交叉處，所述菱形電極以橋接的方式相互連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述菱形電極向內(nèi)凹陷的方向與相鄰兩個(gè)菱形電極相連的方向相互垂直。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述空隙的形狀呈長方形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述空隙的頂端可以是直線型、弧形或者梯形等形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，兩個(gè)空隙之間的距離與所述菱形電極之間的連接部的寬度相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，所述每層ITO上設(shè)有若干行及若干列觸控電極，每行或每列觸控電極由若干個(gè)相同的菱形電極相連組成，所述菱形電極的對(duì)角沿對(duì)角線方向分別向內(nèi)凹陷形成兩個(gè)空隙。通過上述方式，本發(fā)明能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結(jié)構(gòu)偵測靈敏度不高的問題，明顯提高了ITO層的靈敏度和線性度。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102778973SQ20121022081
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者張開立 申請(qǐng)人:蘇州瀚瑞微電子有限公司