本發(fā)明涉及一種帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)，特別適用于高亮度要求的LED芯片。
背景技術(shù)：
目前，市場上一般的LED芯片只在水平方向上設(shè)置有反射層，反射效率不高，如果需要增加光源的發(fā)光亮度，則必須更換成具有更高發(fā)光效率的發(fā)光材料，或者使用提高電源功率的方法使得LED芯片具有更高的發(fā)光亮度，但這會造成增大耗能的情況，不滿足節(jié)能的要求。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
為解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)，設(shè)置于發(fā)光層與水平反射層之間并處于水平反射層邊緣的側(cè)壁反射層，能夠在不使用新的具有更高發(fā)光效率的發(fā)光材料的情況下，大大提高對光源的反射效率，從而能夠增加光源的發(fā)光亮度，并且不需要提高LED芯片的電源功率就能得到更高的發(fā)光亮度，起到節(jié)能的效果。
本發(fā)明解決其問題所采用的技術(shù)方案是：
一種帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底、設(shè)置于襯底中的發(fā)光層、設(shè)置于發(fā)光層下方用于反射由發(fā)光層發(fā)出的亮光的水平反射層、設(shè)置于水平反射層邊緣用于反射由發(fā)光層發(fā)出的亮光的側(cè)壁反射層和設(shè)置于反射層下方的芯片引腳。側(cè)壁反射層能夠在原本水平反射層的反射效率基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高對光源的反射效率，因此能夠在不改變LED芯片的使用環(huán)境就可以獲得更高的光源發(fā)光亮度，起到了節(jié)能的效果。
進(jìn)一步，側(cè)壁反射層與水平反射層形成鈍角。形成鈍角的側(cè)壁反射層與水平反射層能夠極大地增加反射面積，從而極大地反射由光源發(fā)出的亮光，提高反射效率。
優(yōu)選的，側(cè)壁反射層與水平反射層為由DBR材料、Ag材料和AI材料中的一種構(gòu)成的反射層。DBR材料具有很高的反射率，并且沒有吸收光源的問題，十分適合應(yīng)用于LED芯片的反射層；Ag材料是一種金屬材料，在可見光范圍內(nèi)是最好的用于反射的金屬，具有很好的反射率，適用于LED芯片的反射層；AI材料是一種金屬材料，具有比較好的反射率，同樣適用于LED芯片的反射層。
本發(fā)明的有益效果是：一種帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)，其側(cè)壁反射層能夠在不使用新的具有更高發(fā)光效率的發(fā)光材料的情況下，大大提高對光源的反射效率，從而能夠增加光源的發(fā)光亮度，并且不需要提高LED芯片的電源功率就能得到更高的發(fā)光亮度，起到了節(jié)能的效果。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和實例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
圖1是本發(fā)明帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實施方式
參照圖1，本發(fā)明的一種帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底1、設(shè)置于襯底1中的發(fā)光層2、設(shè)置于發(fā)光層2下方用于反射由發(fā)光層2發(fā)出的亮光的水平反射層3、設(shè)置于水平反射層3邊緣用于反射由發(fā)光層2發(fā)出的亮光的側(cè)壁反射層4和設(shè)置于反射層下方的芯片引腳5。側(cè)壁反射層4能夠在原本水平反射層3的反射效率基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高對光源的反射效率，因此能夠在不改變LED芯片的使用環(huán)境就可以獲得更高的光源發(fā)光亮度，起到了節(jié)能的效果。
其中，側(cè)壁反射層4與水平反射層3形成鈍角。形成鈍角的側(cè)壁反射層4與水平反射層3能夠極大地增加反射面積，從而極大地反射由光源發(fā)出的亮光，提高反射效率。
其中，側(cè)壁反射層4與水平反射層3為由DBR材料、Ag材料和AI材料中的一種構(gòu)成的反射層。DBR材料具有很高的反射率，并且沒有吸收光源的問題，十分適合應(yīng)用于LED芯片的反射層；Ag材料是一種金屬材料，在可見光范圍內(nèi)是最好的用于反射的金屬，具有很好的反射率，適用于LED芯片的反射層；AI材料是一種金屬材料，具有比較好的反射率，同樣適用于LED芯片的反射層。
本發(fā)明采用的一種帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)，能夠適用于各種需要提高發(fā)光亮度的LED芯片或者具有節(jié)能效果的LED芯片，不需要使用新的具有更高發(fā)光效率的發(fā)光材料，也不需要提高LED芯片的電源功率，就能夠獲得更高的發(fā)光亮度，能夠起到節(jié)能的效果。
以上是對本發(fā)明的較佳實施進(jìn)行了具體說明，但本發(fā)明并不局限于上述實施方式，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明精神的前提下還可作出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。