技術(shù)編號：11810265
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)，特別適用于高亮度要求的LED芯片。背景技術(shù)目前，市場上一般的LED芯片只在水平方向上設(shè)置有反射層，反射效率不高，如果需要增加光源的發(fā)光亮度，則必須更換成具有更高發(fā)光效率的發(fā)光材料，或者使用提高電源功率的方法使得LED芯片具有更高的發(fā)光亮度，但這會造成增大耗能的情況，不滿足節(jié)能的要求。發(fā)明內(nèi)容為解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種帶側(cè)壁反射層的LED芯片結(jié)構(gòu)，設(shè)置于發(fā)光層與水平反射層之間并處于水平反射層邊緣的側(cè)壁反射層，能夠在不使用新的具有更高發(fā)光效率...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。