技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種具有良好散熱結(jié)構(gòu)的LED芯片，所述LED芯片包括襯底，所述襯底上依次生成有外延層、N型層、發(fā)光層、P型層，所述N型層和P型層上分別設(shè)置有電極，所述N型層的N電極設(shè)置在LED芯片側(cè)壁，所述P型層的P電極覆蓋P型層整個上表面。所述LED芯片外設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層對應(yīng)N電極和P電極開設(shè)有電極導孔。本發(fā)明還公開了上述LED芯片的封裝方法。與現(xiàn)有的LED芯片相比，本發(fā)明的提供的LED芯片將N電極設(shè)置在LED芯片側(cè)壁，使得P電極可覆蓋P型層整個上表面，絕緣層針對P電極整體開孔，電極導孔的面積大，散熱性能好。

技術(shù)研發(fā)人員：劉洋;李玉珠;易翰祥
受保護的技術(shù)使用者：廣東德力光電有限公司
文檔號碼：201610736985
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.26
技術(shù)公布日：2017.01.11