技術(shù)總結(jié)
提供能夠抑制硅化物的高電阻化的熱處理方法以及熱處理裝置。在硅的半導體晶片的表面上形成有金屬膜。在該半導體晶片容納于腔室內(nèi)后，腔室內(nèi)的壓力被減壓至比大氣壓低的氣壓(P1)。然后，向腔室內(nèi)供給氮氣而恢復至常壓(Ps)，并向半導體晶片的表面照射閃光來形成金屬膜與硅的化合物即硅化物。由于一旦將腔室內(nèi)的壓力減壓至比大氣壓低的氣壓(P1)后就恢復壓力，因此，能夠使執(zhí)行硅化物形成的處理時的腔室內(nèi)的氧氣濃度顯著地降低，從而能夠抑制因腔室內(nèi)氣體環(huán)境中的氧氣進入金屬膜與基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高電阻化。

技術(shù)研發(fā)人員：青山敬幸;河原崎光;古川雅志;布施和彥;谷村英昭;加藤慎一
受保護的技術(shù)使用者：株式會社思可林集團
文檔號碼：201610736763
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.26
技術(shù)公布日：2017.03.08