1.一種熱處理方法，其特征在于，向基板照射閃光來形成硅化物或鍺化物，所述熱處理方法包括：
搬入工序，將形成有金屬膜的基板搬入腔室內(nèi)，
減壓工序，將所述腔室內(nèi)的壓力減壓至比大氣壓低的第一壓力，
恢復(fù)壓力工序，將所述腔室內(nèi)的壓力從第一壓力恢復(fù)至比第一壓力高的第二壓力，
照射工序，一邊將所述腔室內(nèi)的壓力維持為第二壓力，一邊從閃光燈向所述基板的表面照射閃光。
2.如權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
所述第二壓力比所述第一壓力高且比大氣壓低。
3.如權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
所述第二壓力為大氣壓。
4.如權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
所述第二壓力比大氣壓高。
5.如權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
在所述減壓工序中，使來自所述腔室供給的排氣流量隨著時間的推移而增加。
6.如權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
在所述恢復(fù)壓力工序中，使向所述腔室的供氣流量隨著時間的推移而增加。
7.如權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
在所述照射工序后，將所述腔室內(nèi)的壓力變?yōu)榇髿鈮?，并使非活性氣體以50L/min至100L/min的流量流入所述腔室內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，
在所述搬入工序中，一邊打開所述腔室的搬送開口部，一邊向所述腔室內(nèi)供給非活性氣體。
9.一種熱處理方法，其特征在于，向基板照射閃光來形成硅化物或鍺化物，所述熱處理方法包括：
搬入工序，將形成有金屬膜的基板搬入腔室內(nèi)，
減壓工序，將所述腔室內(nèi)的壓力減壓至比大氣壓低的第一壓力，
照射工序，一邊將所述腔室內(nèi)的壓力維持為第一壓力，一邊從閃光燈向所述基板的表面照射閃光。
10.一種熱處理裝置，其特征在于，向基板照射閃光來形成硅化物或鍺化物，所述熱處理裝置具有：
腔室，其容納形成有金屬膜的基板，
閃光燈，其向容納于所述腔室內(nèi)的所述基板照射閃光，
排氣部，其排出所述腔室內(nèi)的氣體，
氣體供給部，其向所述腔室供給規(guī)定的處理氣體，
控制部，其對所述排氣部以及所述氣體供給部進(jìn)行控制，使得在將所述腔室內(nèi)的壓力減壓至比大氣壓低的第一壓力后，恢復(fù)至比第一壓力高的第二壓力的狀態(tài)下，從所述閃光燈向所述基板的表面照射閃光。
11.如權(quán)利要求10所述的熱處理裝置，其特征在于，
所述第二壓力比所述第一壓力高且比大氣壓低。
12.如權(quán)利要求10所述的熱處理裝置，其特征在于，
所述第二壓力為大氣壓。
13.如權(quán)利要求10所述的熱處理裝置，其特征在于，
所述第二壓力比大氣壓高。
14.如權(quán)利要求10所述的熱處理裝置，其特征在于，
所述控制部對所述排氣部進(jìn)行控制，使得在將所述腔室內(nèi)的壓力減壓至所述第一壓力時，來自所述腔室的排氣流量隨著時間的推移而增加。
15.如權(quán)利要求10所述的熱處理裝置，其特征在于，
所述控制部對所述氣體供給部進(jìn)行控制，使得在將所述腔室內(nèi)的壓力從所述第一壓力恢復(fù)至所述第二壓力時，向所述腔室的供氣流量隨著時間的推移而增加。
16.如權(quán)利要求10所述的熱處理裝置，其特征在于，
所述控制部對所述排氣部以及所述氣體供給部進(jìn)行控制，使得在照射所述閃光后，將所述腔室內(nèi)變?yōu)榇髿鈮?，并使非活性氣體以50L/min至100L/min的流量流入所述腔室內(nèi)。
17.一種熱處理裝置，其特征在于，向基板照射閃光來形成硅化物或鍺化物，所述熱處理裝置具有：
腔室，其容納形成有金屬膜的基板，
閃光燈，其向容納于所述腔室內(nèi)的所述基板照射閃光，
排氣部，其排出所述腔室內(nèi)的氣體，
氣體供給部，其向所述腔室供給規(guī)定的處理氣體，
控制部，其對所述排氣部以及所述氣體供給部進(jìn)行控制，使得在將所述腔室內(nèi)的壓力減壓至比大氣壓低的第一壓力后，一邊維持為第一壓力，一邊從所述閃光燈向所述基板的表面照射閃光。