技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明溝槽引出的集成型低壓雙向瞬時電壓抑制器，包括第一導(dǎo)電類型襯底；在襯底上有第二導(dǎo)電類型的外延層；在第二導(dǎo)電類型外延層上有第一導(dǎo)電類型外延層；第一隔離溝槽進(jìn)入第一導(dǎo)電類型襯底，并形成第一區(qū)域和第二區(qū)域；第一區(qū)域中由第一導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)、第二導(dǎo)電類型擴(kuò)散區(qū)及第一類型的外延形成二極管Z1，第一導(dǎo)電類型外延和第二導(dǎo)電類型外延形成二極管D1；第二區(qū)域中由第一導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)、第二導(dǎo)電類型擴(kuò)散區(qū)及第一類型的外延形成二極管Z2，第一導(dǎo)電類型外延和第二導(dǎo)電類型外延形成二極管D2；第二引出溝槽，進(jìn)入第二導(dǎo)電類型外延層，內(nèi)填高濃度第二導(dǎo)電類型多晶硅；由第一金屬線IO1連接所述二極管Z1和D2，第二金屬線IO2連接所述二極管Z2和D1。

技術(shù)研發(fā)人員：呂海鳳;趙德益;趙志方;王允;霍田佳;張嘯;蘇亞兵;蘇海偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海長園維安微電子有限公司
文檔號碼：201610732260
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.27
技術(shù)公布日：2016.11.16