技術編號：11869730
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及溝槽引出的集成型低壓雙向瞬時電壓抑制器及其制造方法，為低壓雙向瞬時電壓抑制器的改良結構，屬半導體制造技術領域。背景技術瞬時電壓抑制器（TVS）被廣泛的應用在集成電路上，以保護集成電路內(nèi)部不受突發(fā)的過電壓帶來的損害。目前應用于手機、汽車電子和安防各行業(yè)的TVS器件不僅要求具有小的結電容，而且數(shù)據(jù)端口間或者數(shù)據(jù)端口和地間還要能承受差分的大電壓信號，解決這兩個問題傳統(tǒng)的做法是在瞬時電壓抑制器上串接一個低電容的正向二極管，并用多顆芯片合封，其結果造成封裝成本高，產(chǎn)品面積大。隨著集成電路工藝尺寸...
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