本發(fā)明涉及照明領(lǐng)域，尤其涉及一種基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

目前大家所熟知的LED電視，都是使用藍(lán)光芯片加上黃色熒光粉產(chǎn)生白光的發(fā)光模式。LED電視就是利用白光通過(guò)彩色濾光器紅、綠、藍(lán)光來(lái)生成圖像，透過(guò)這樣的背光源讓人眼感受到白光。但問(wèn)題在白光LED色彩范圍有限，并不足以產(chǎn)生足夠的飽和顏色，且單色光的精準(zhǔn)度也不算高，產(chǎn)生的結(jié)果就是LED電視的色域范圍不高，色彩鮮艷度不夠鮮明。

背光一直是LCD屏幕不可或缺的一環(huán)，好的背光源一定需要有好頻譜表現(xiàn)，基本就決定了一片LCD面板的好壞。一般使用白光LED的液晶電視背光通，是通過(guò)濾光片所顯示的紅色、綠色不僅亮度低而且不夠純凈。這就導(dǎo)致了液晶電視的色域，受到背光的極大限制。雖然精準(zhǔn)的調(diào)光技術(shù)，能夠一定幅度上提升電視的色域范圍，但是提升的空間有限，NTSC色域值能夠達(dá)到72%左右，一般最多也就能夠提升5~10%左右。

從近幾年的研究發(fā)現(xiàn)，與太陽(yáng)光比較，現(xiàn)在的白光LED燈是有缺陷的，這種人造白光有很多的高能光子(即藍(lán)光過(guò)多)現(xiàn)象。已經(jīng)有一些醫(yī)學(xué)證據(jù)表明藍(lán)光過(guò)多對(duì)人類健康的影響是不利的。

低色溫、大功率白光LED仍是商品化GaN基白光LED發(fā)展的總體趨勢(shì)。為適應(yīng)這種趨勢(shì)，就要加快紅光熒光粉的研發(fā)進(jìn)程，這對(duì)提升白光LED的顯色指數(shù)具有重要意義。然而，令人遺憾的是，到目前為止，所有紅色熒光粉的性能與藍(lán)、綠色熒光粉相比在光通量性能維持方面還相差甚遠(yuǎn)，這是白光LED發(fā)展的最大瓶頸所在。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件及其制備方法。

本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：

一種基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件，包括載體和設(shè)于載體上的LED藍(lán)光芯片，所述LED藍(lán)光芯片上依次覆有熒光粉膠層、透明膠層和量子點(diǎn)膠層，所述量子點(diǎn)膠層是具有阻水阻氧性能的量子點(diǎn)顆粒和透明凝膠材料混合后涂覆得到，其中，所述量子點(diǎn)顆粒包括量子點(diǎn)、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)膠層上還覆有透明膠層。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述透明膠層為硅膠層或環(huán)氧樹(shù)脂層。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述透明凝膠材料為硅膠或環(huán)氧樹(shù)脂。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)膠層的厚度為0.01-1mm。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述LED藍(lán)光芯片正裝、倒裝或垂直裝于所述載體上。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述載體為陶瓷基板、高分子材料基板或金屬基板中的任一種。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)顆粒還包括金屬納米顆粒，所述金屬納米顆粒分布在所述介孔材料中。

在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述金屬納米顆粒為納米金、納米銀或納米鉑。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述阻水阻氧材料為氧化聚乙烯蠟、聚乙烯、聚苯乙烯、聚對(duì)二甲苯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述介孔材料為介孔二氧化硅材料、介孔二氧化鈦材料、介孔二氧化鋅材料、分子篩或金屬有機(jī)骨架化合物。

本發(fā)明還提供了一種如上所述的基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件的制備方法，包括以下步驟：

S1：將LED芯片裝于載體上；

S2：在所述LED藍(lán)光芯片上涂覆一層熒光粉膠層；

S3：在所述熒光粉膠層上覆一層透明膠層；

S4：取量子點(diǎn)顆粒和透明凝膠材料混合，涂覆于所述透明膠層上，得到一層量子點(diǎn)膠層，其中，所述量子點(diǎn)顆粒包括量子點(diǎn)、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，實(shí)施S4所述的涂覆是采用噴涂工藝、點(diǎn)膠工藝或模具工藝涂覆。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，實(shí)施S2所述的涂覆是采用噴涂工藝、點(diǎn)膠工藝、點(diǎn)膠沉積工藝或模具工藝涂覆。

在一些優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述S4后還包括S5：在所述量子點(diǎn)膠層上涂覆一層透明膠層。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明提供了一種基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件，包括載體，設(shè)于載體上的LED藍(lán)光芯片，所述LED藍(lán)光芯片上依次覆有熒光粉膠層、透明膠層和量子點(diǎn)膠層，所述量子點(diǎn)膠層是具有阻水阻氧性能的量子點(diǎn)顆粒和透明凝膠材料混合后涂覆得到，其中，所述量子點(diǎn)顆粒包括量子點(diǎn)、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料；本發(fā)明將量子點(diǎn)顆粒分散于透明凝膠材料后直接涂覆，采用芯片直接接觸式封裝，大大提高了LED的光效；將所述量子點(diǎn)顆粒用于直接進(jìn)行藍(lán)光LED芯片接觸式封裝，制成白光LED器件，其飽和紅色的顯示指數(shù)R9值為47-99，市場(chǎng)上較優(yōu)質(zhì)的白光LED器件的R9值為通常在-110~-90，本發(fā)明所述LED封裝器件可以完全地表現(xiàn)飽和廣色域顏色，并能在高色溫底下達(dá)到高顯色指數(shù)與高R9和高R11值，使用量子點(diǎn)LED封裝器件可使NTSC色域值能夠達(dá)到110%左右，不僅色彩鮮艷，亮度和能效明顯的大幅度提高。本發(fā)明所述LED封裝器件能發(fā)射出全光譜，即涵蓋整個(gè)可見(jiàn)光和紅外光區(qū)，它們能局限量子發(fā)旋光性質(zhì)，并釋放出較小頻寬的色光，發(fā)射出的波長(zhǎng)半寬度在20 nm以下，因而呈現(xiàn)出更加飽和的光色，量子效率可達(dá)80%，以后還將會(huì)有更高的提升空間。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例1的量子點(diǎn)復(fù)合熒光顆粒的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為實(shí)施例1的量子點(diǎn)顆粒隨LED點(diǎn)亮?xí)r間的衰退示意圖；

圖3為實(shí)施例1的LED封裝器件的截面圖；

圖4為實(shí)施例2的量子點(diǎn)顆粒的熒光強(qiáng)度曲線；

圖5為實(shí)施例2的LED封裝器件的截面圖；

圖6為實(shí)施例3的LED封裝器件的截面圖；

圖7為實(shí)施例4的LED封裝器件的截面圖；

圖8為實(shí)施例5的LED封裝器件的截面圖；

圖9為實(shí)施例6的LED封裝器件的截面圖；

圖10為市場(chǎng)所售4K電視所使用的白光LED燈珠的光譜測(cè)試報(bào)告；

圖11為基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件的光譜測(cè)試報(bào)告。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1：

量子點(diǎn)顆粒的制備，要實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)嵌入介孔材料可以采用以下三種方法，但不限于以下方法：

1、使用物理法將量子點(diǎn)通過(guò)物理腫脹和溶劑揮發(fā)的方式嵌入介孔材料；

2、原位生長(zhǎng)量子點(diǎn)，即在介孔材料中原位生長(zhǎng)量子點(diǎn)；

3、原位生長(zhǎng)介孔材料，即在量子點(diǎn)溶液中原位生長(zhǎng)介孔材料。

在本實(shí)施例中，采用物理法制備量子點(diǎn)顆粒，將量子點(diǎn)通過(guò)物理腫脹和溶劑揮發(fā)的方式嵌入介孔材料，具體步驟如下：

1、取介孔材料，介孔材料為介孔二氧化硅，粒徑為30~60μm，介孔孔徑為7~8nm，取1g介孔二氧化硅材料分散在100mL正己烷中，浸泡和活化介孔二氧化硅表面，然后加熱回流，保溫10h，加惰性氣氛保護(hù)；

2、量子點(diǎn)為CdSe，平均尺寸為4~6nm，取10mg量子點(diǎn)分散到10mL正己烷中，再將量子點(diǎn)溶液分散到介孔二氧化硅溶液，快速攪拌2h，讓量子點(diǎn)能夠進(jìn)入介孔二氧化硅；然后撤掉回流設(shè)備，鼓入惰性氣氛，使得溶液幾乎完全揮發(fā)，再加入新的溶液，通過(guò)不斷改變濃度的方式，介孔二氧化硅在加熱溶液中腫脹，使得量子點(diǎn)由于濃度差、有效率的進(jìn)入介孔二氧化硅，反復(fù)腫脹-溶劑揮發(fā)操作，時(shí)間為1~10h；正己烷徹底揮發(fā)后，在惰性氣體保護(hù)下，自然冷卻，然后在真空干燥箱中干燥，得到量子點(diǎn)-介孔材料粉末；

3、取200mg氧化聚乙烯蠟分散至50mL甲苯，加熱至固體融化，得到澄清透明的溶液；

4、將步驟2的量子點(diǎn)-介孔材料粉末加入到氧化聚乙烯蠟溶液中，快速攪拌，氧化聚乙烯蠟由于濃度差會(huì)進(jìn)入介孔材料，填充量子點(diǎn)和介孔材料之間的間隙，待溶劑蒸發(fā)完全，得到量子點(diǎn)復(fù)合熒光顆粒。其結(jié)構(gòu)如圖1所示，1是量子點(diǎn)，2是介孔材料（介孔二氧化硅），3是阻水阻氧材料（氧化聚乙烯蠟）。

另外按照步驟1、2制備沒(méi)有填充阻水阻氧材料的量子點(diǎn)復(fù)合熒光顆粒作為對(duì)比產(chǎn)品。

制備LED封裝器件：取藍(lán)光LED芯片垂直裝于載體的碗杯內(nèi)，首先使用銀膠、助焊劑等固晶，所述載體為氮化鋁陶瓷基板，烘烤，然后焊線；再采用點(diǎn)膠工藝將熒光粉和透明凝膠材料混合材料涂覆在藍(lán)光LED芯片上和載體的碗杯內(nèi)，所述透明凝膠材料為硅膠，得到覆蓋在藍(lán)光LED芯片上的一層熒光粉膠層，烤箱烘烤；再采用點(diǎn)膠的工藝在熒光粉膠層上涂覆一層硅膠層，烤箱烘烤；取上述制備所得的量子點(diǎn)顆粒與硅膠混合，所述量子點(diǎn)顆粒包括量子點(diǎn)、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料，所述介孔材料為介孔二氧化硅材料，所述阻水阻氧材料為氧化聚乙烯蠟，采用點(diǎn)膠工藝將量子點(diǎn)顆粒和硅膠混合材料涂覆在硅膠層上，烤箱烘烤，得到LED封裝器件，其結(jié)構(gòu)截面圖如圖3。

參照?qǐng)D3，可以看到，所得的基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件包括載體4和垂直裝于所述載體4碗杯內(nèi)的LED藍(lán)光芯片5，所述LED藍(lán)光芯片5上依次覆有熒光粉膠層6、透明膠層7和量子點(diǎn)膠層8，所述量子點(diǎn)膠層8的厚度為0.2mm，所述透明膠層7為硅膠層。

將對(duì)比產(chǎn)品按照上述步驟制備LED封裝器件，分析根據(jù)本發(fā)明所述量子點(diǎn)顆粒和對(duì)比產(chǎn)品的光轉(zhuǎn)化效率衰退情況，得到光轉(zhuǎn)換效率衰退比率如圖2所示，隨著點(diǎn)亮?xí)r間增加，圖中實(shí)心圓點(diǎn)表示本發(fā)明所述量子點(diǎn)顆粒（填充有阻水阻氧材料的量子點(diǎn)顆粒），本發(fā)明所述量子點(diǎn)顆粒在一個(gè)月內(nèi)光轉(zhuǎn)換效率基本沒(méi)有衰退，圖中空心圓點(diǎn)表示對(duì)比產(chǎn)品（沒(méi)有填充阻水阻氧材料的量子點(diǎn)顆粒）光轉(zhuǎn)換效率逐步消退，一個(gè)月后剩余60%左右，這證明在量子點(diǎn)和介孔材料之間的間隙填充阻水阻氧材料后，提高了量子點(diǎn)復(fù)合熒光顆粒的阻隔特性，進(jìn)而提升其穩(wěn)定性。在量子點(diǎn)和介孔材料之間的間隙填充阻水阻氧材料，可以使得量子點(diǎn)的載體材料更加致密，大大提高了量子點(diǎn)顆粒的阻隔特性，因此提升了量子點(diǎn)顆粒的穩(wěn)定性；所得量子點(diǎn)顆粒具有很高的量子效率；量子點(diǎn)顆粒具有介孔結(jié)構(gòu)，從而大大減小了量子點(diǎn)在量子點(diǎn)顆粒中的聚集帶來(lái)的效率衰退或者猝滅；量子點(diǎn)顆粒具有阻擋層結(jié)構(gòu)，提升了量子點(diǎn)能承受的溫度，提高了使用效率，使得量子點(diǎn)顆粒及其LED封裝器件具有優(yōu)異的使用壽命。

實(shí)施例2：

含金屬納米顆粒的量子點(diǎn)顆粒的制備，具體步驟為：

1、取1g介孔二氧化鈦和1mL三角形納米金顆粒分散在100mL正己烷中，浸泡和活化介孔二氧化鈦表面，然后加熱回流，保溫10h，加惰性氣氛保護(hù)，撤掉回流系統(tǒng)，讓溶劑蒸發(fā)，得到白色的金屬-介孔二氧化鈦復(fù)合顆粒粉末；

2、將得到的復(fù)合顆粒粉末在200℃、惰性氣氛保護(hù)下煅燒處理，然后重新分散到50mL甲苯中；

3、取10mg發(fā)射波長(zhǎng)在530nm的CdSe/ZnS量子點(diǎn)分散到10mL甲苯，再將量子點(diǎn)溶液分散到步驟2的金屬-介孔二氧化鈦，快速攪拌2h，讓量子點(diǎn)能夠進(jìn)入介孔二氧化硅；然后撤掉回流設(shè)備，鼓入惰性氣氛，使得溶液幾乎完全揮發(fā)，再加入新的溶液，通過(guò)不斷改變濃度的方式，介孔二氧化硅在加熱溶液中腫脹，使得量子點(diǎn)由于濃度差、有效率的進(jìn)入介孔二氧化鈦，反復(fù)腫脹-溶劑揮發(fā)操作，時(shí)間為1~10h；正己烷徹底揮發(fā)后，在惰性氣體保護(hù)下，自然冷卻，然后在真空干燥箱中干燥，得到量子點(diǎn)-介孔材料粉末；

4、取100mg聚乙烯分散至50mL氯仿，加熱至固體融化，得到澄清透明的溶液；

5、將步驟3的量子點(diǎn)-介孔材料粉末加入到聚乙烯溶液中，快速攪拌，聚乙烯由于濃度差會(huì)進(jìn)入介孔材料，填充量子點(diǎn)和介孔材料之間的間隙，待溶劑蒸發(fā)完全，得到含納米金的量子點(diǎn)復(fù)合熒光顆粒。

另外參照以上步驟制備沒(méi)有加入納米金的量子點(diǎn)顆粒，當(dāng)納米金的吸收波長(zhǎng)和量子點(diǎn)的發(fā)射波長(zhǎng)匹配，且納米金和量子點(diǎn)的間距合適時(shí)，金屬顆?？梢酝ㄟ^(guò)等離子共振的方式參與發(fā)光，分別分析本發(fā)明所述量子點(diǎn)顆粒（加入納米金的量子點(diǎn)顆粒）和未加入納米金的量子點(diǎn)顆粒，得到圖4，本發(fā)明所述量子點(diǎn)顆粒（加入納米金的量子點(diǎn)顆粒）的熒光強(qiáng)度如曲線1所示，未加入納米金的量子點(diǎn)顆粒的熒光強(qiáng)度如曲線2所示，從圖4中可以看到，本發(fā)明所述量子點(diǎn)顆粒的熒光強(qiáng)度（曲線1）比沒(méi)有加入納米金的量子點(diǎn)顆粒（曲線2）要強(qiáng)1.7倍。金屬納米顆?？梢詭椭孔狱c(diǎn)俘獲更多的藍(lán)光，提高藍(lán)光的利用率。在實(shí)際生產(chǎn)中，增加金屬納米顆?？梢垣@得同樣的光轉(zhuǎn)換效果，可以減少量子點(diǎn)的使用，從而降低量子點(diǎn)中重金屬的使用，更加綠色環(huán)保。金屬納米顆粒對(duì)提高量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度有兩種作用機(jī)理：（1）納米金屬顆粒的自由電子在外界電磁場(chǎng)作用下規(guī)則運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的表面等離子體可極大地增強(qiáng)粒子周圍的電磁場(chǎng)，當(dāng)入射光頻率與金屬顆粒自由電子固有頻率一致時(shí)，產(chǎn)生表面等離子體共振，使局域場(chǎng)增強(qiáng)達(dá)到最大，這一增強(qiáng)的局域場(chǎng)使金屬顆粒表面附近的量子點(diǎn)的激發(fā)速率得到增強(qiáng)，發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)；（2）金屬納米顆粒與量子點(diǎn)的耦合輻射過(guò)程，量子點(diǎn)與金屬顆粒之間發(fā)生非輻射能量轉(zhuǎn)移，由激發(fā)的量子點(diǎn)耦合為L(zhǎng)SPR能量，LSPR反過(guò)來(lái)輻射到遠(yuǎn)場(chǎng)。

制備LED封裝器件：取藍(lán)光LED芯片倒裝于載體的碗杯內(nèi)，首先使用銀膠、助焊劑等固晶，所述載體為氧化鋁陶瓷基板，烘烤，然后焊線；再采用點(diǎn)膠沉積工藝將熒光粉和透明凝膠材料混合材料涂覆在藍(lán)光LED芯片上和載體的碗杯內(nèi)，即點(diǎn)膠之后采用離心機(jī)高速離心讓熒光粉在透明凝膠材料中快速沉淀，讓熒光粉快速均勻沉積在藍(lán)光LED芯片表面附近，所述透明凝膠材料為環(huán)氧樹(shù)脂，得到覆蓋在藍(lán)光LED芯片上的一層熒光粉膠層，烤箱烘烤；再采用點(diǎn)膠的工藝在熒光粉膠層上涂覆一層環(huán)氧樹(shù)脂層，烤箱烘烤；取上述制備所得的量子點(diǎn)顆粒與環(huán)氧樹(shù)脂混合，采用點(diǎn)膠工藝將量子點(diǎn)顆粒和環(huán)氧樹(shù)脂混合材料涂覆在環(huán)氧樹(shù)脂層上，烤箱烘烤，得到量子點(diǎn)膠層，所述量子點(diǎn)顆粒包括量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)和所述金屬納米顆粒分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料，所述介孔材料為介孔二氧化鈦材料，所述阻水阻氧材料為聚乙烯，所述金屬納米顆粒為納米金；再采用點(diǎn)膠的工藝在所述量子點(diǎn)膠層上涂覆一層環(huán)氧樹(shù)脂層，得到LED封裝器件，其結(jié)構(gòu)截面圖如圖5。

參照?qǐng)D5，可以看到，所得的基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件，包括載體4和倒裝于所述載體4碗杯內(nèi)的LED藍(lán)光芯片5，所述LED藍(lán)光芯片5上依次覆有熒光粉膠層6、透明膠層7、量子點(diǎn)膠層8和透明膠層7，所述量子點(diǎn)膠層8的厚度為1mm，所述透明膠層7為環(huán)氧樹(shù)脂層。所述熒光粉膠層6用于是采用點(diǎn)膠沉積工藝涂覆得到，所以熒光粉均勻沉積在藍(lán)光LED芯片表面附近，一方面，能夠更好地接收LED芯片所發(fā)射的光線，另一方面，由于熒光粉沉積在所述熒光粉膠層6的底部，相較于普通點(diǎn)膠工藝制備得到的熒光粉膠層，熒光粉與所述量子點(diǎn)膠層相隔較遠(yuǎn)，能夠降低所述量子點(diǎn)膠層8的溫度，能夠使得所述量子點(diǎn)膠層中的量子點(diǎn)顆粒使用壽命更長(zhǎng)。在所述量子點(diǎn)膠層8上制備一層透明膠層7可以更好地將量子點(diǎn)與外界隔離，能夠增強(qiáng)阻氧阻水效果，進(jìn)一步提高LED封裝器件的使用壽命。

實(shí)施例3：

采用如實(shí)施例2所述的量子點(diǎn)顆粒的制備方法，采用介孔二氧化鋅材料作為介孔材料，金屬納米顆粒選用納米銀，阻水阻氧材料為聚苯乙烯，制備得到的所述量子點(diǎn)顆粒，包括量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)和所述金屬納米顆粒分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料。

制備LED封裝器件：藍(lán)光LED芯片正裝于載體的碗杯內(nèi)，首先使用銀膠、白膠等固晶，所述載體為銅基板，烘烤，然后焊線；再采用點(diǎn)膠工藝將熒光粉和透明凝膠材料混合材料涂覆在藍(lán)光LED芯片上和載體的碗杯內(nèi)，所述透明凝膠材料為硅膠，得到覆蓋在藍(lán)光LED芯片上的一層熒光粉膠層，烤箱烘烤；再采用點(diǎn)膠的工藝在熒光粉膠層上涂覆一層硅膠層，烤箱烘烤；取上述制備所得的量子點(diǎn)顆粒與硅膠混合，采用點(diǎn)膠工藝將量子點(diǎn)顆粒和硅膠混合材料涂覆在硅膠層上，烤箱烘烤，得到量子點(diǎn)膠層；再采用點(diǎn)膠的工藝在所述量子點(diǎn)膠層上涂覆一層硅膠層，得到LED封裝器件，其結(jié)構(gòu)截面圖如圖6。

參照?qǐng)D6，可以看到，所得的基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件，包括載體4和正裝于所述載體4碗杯內(nèi)的LED藍(lán)光芯片5，所述LED藍(lán)光芯片5上依次覆有熒光粉膠層6、透明膠層7、量子點(diǎn)膠層8和透明膠層7，所述量子點(diǎn)膠層8的厚度為0.3mm，所述透明膠層7為硅膠層。在所述量子點(diǎn)膠層8上再制備一層透明膠層7可以更好地將量子點(diǎn)與外界隔離，能夠增強(qiáng)阻氧阻水效果，進(jìn)一步提高LED封裝器件的使用壽命。

實(shí)施例4：

采用如實(shí)施例2所述的量子點(diǎn)顆粒的制備方法，采用分子篩作為介孔材料，金屬納米顆粒選用納米鉑，阻水阻氧材料為聚對(duì)二甲苯，制備得到的所述量子點(diǎn)顆粒，包括量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)和所述金屬納米顆粒分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料。

制備LED封裝器件：藍(lán)光LED芯片垂直裝于載體上，首先使用銀膠、共金等固晶，所述載體為鋁基板，烘烤，然后焊線；再采用噴涂工藝將熒光粉和透明凝膠材料混合材料涂覆在藍(lán)光LED芯片上，所述透明凝膠材料為硅膠，得到覆蓋在藍(lán)光LED芯片上的一層熒光粉膠層，烤箱烘烤；再采用噴涂的工藝在熒光粉膠層上涂覆一層硅膠層，烤箱烘烤；取上述制備所得的量子點(diǎn)顆粒與硅膠混合，采用噴涂工藝將量子點(diǎn)顆粒和硅膠混合材料涂覆在硅膠層上，烤箱烘烤，得到量子點(diǎn)膠層；再采用噴涂的工藝在所述量子點(diǎn)膠層上涂覆一層硅膠層，得到LED封裝器件，其結(jié)構(gòu)截面圖如圖7。

采用噴涂工藝將量子點(diǎn)顆粒和硅膠混合材料涂覆在硅膠層上，較其他的涂覆工藝有一個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)，其他涂覆工藝是制備得到的量子點(diǎn)膠層中量子點(diǎn)是隨機(jī)分布的，自熒光粉膠層射來(lái)的光線并不會(huì)百分之百射到量子點(diǎn)上，而采用噴涂可以將量子點(diǎn)顆粒整齊致密地排布在硅膠層的上表面，因此所述量子點(diǎn)顆粒能夠接收接近百分百的光線，能夠提高量子點(diǎn)顆粒的效率。

參照?qǐng)D7，可以看到，所得的基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件，包括載體4和垂直裝于所述載體4上的LED藍(lán)光芯片5，所述LED藍(lán)光芯片5上依次覆有熒光粉膠層6、透明膠層7、量子點(diǎn)膠層8和透明膠層7，所述量子點(diǎn)膠層8的厚度為0.01mm，所述透明膠層7為硅膠層。

實(shí)施例5：

采用如實(shí)施例2所述的量子點(diǎn)顆粒的制備方法，采用金屬有機(jī)骨架化合物作為介孔材料，金屬納米顆粒選用納米鉑，阻水阻氧材料為聚碳酸酯，制備得到的所述量子點(diǎn)顆粒，包括量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)和所述金屬納米顆粒分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料。

制備LED封裝器件：藍(lán)光LED芯片倒裝于載體上，首先使用銀膠、錫膏、共金等固晶，所述載體為PPA基板，烘烤，然后焊線；再采用噴涂工藝將熒光粉和透明凝膠材料混合材料涂覆在藍(lán)光LED芯片上，所述透明凝膠材料為硅膠，得到覆蓋在藍(lán)光LED芯片上的一層熒光粉膠層，烤箱烘烤；制作模具，采用直接壓模成型工藝在熒光粉膠層上制備一層硅膠層，即，制備一個(gè)模具，將透明凝膠材料注入模具中，然后將所述S2得到的LED單元倒扣于所述模具中，所述LED藍(lán)光芯片完全沒(méi)入透明凝膠材料中，固化脫模，在所述熒光粉膠層上覆了一層透明膠層，烤箱烘烤；取上述制備所得的量子點(diǎn)顆粒與硅膠混合，制作模具，采用直接壓模成型工藝用量子點(diǎn)顆粒和硅膠混合材料在硅膠層上制備一層量子點(diǎn)膠層，烤箱烘烤；再制作模具，采用直接壓模成型工藝在所述量子點(diǎn)膠層上制備一層硅膠層，得到LED封裝器件，其結(jié)構(gòu)截面圖如圖8。

參照?qǐng)D8，可以看到，所得的基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件，包括載體4和倒裝于所述載體4上的LED藍(lán)光芯片5，所述LED藍(lán)光芯片5上依次覆有熒光粉膠層6、透明膠層7、量子點(diǎn)膠層8和透明膠層7，所述量子點(diǎn)膠層8的厚度為1mm，所述透明膠層7為硅膠層。

實(shí)施例6：

采用如實(shí)施例2所述的量子點(diǎn)顆粒的制備方法，采用介孔二氧化硅材料作為介孔材料，金屬納米顆粒選用納米金，阻水阻氧材料為聚甲基丙烯酸甲酯，制備得到的所述量子點(diǎn)顆粒，包括量子點(diǎn)、金屬納米顆粒、介孔材料和阻水阻氧材料，所述量子點(diǎn)和所述金屬納米顆粒分布在所述介孔材料中，在所述量子點(diǎn)和所述介孔材料之間的間隙填充有所述阻水阻氧材料。

制備LED封裝器件：藍(lán)光LED芯片正裝于載體上，首先使用銀膠、白膠等固晶，所述載體為PCT基板，烘烤，然后焊線；再采用模具工藝將熒光粉和透明凝膠材料混合材料涂覆在藍(lán)光LED芯片上，所述透明凝膠材料為硅膠，得到覆蓋在藍(lán)光LED芯片上的一層熒光粉膠層，烤箱烘烤；再采用模具工藝在熒光粉膠層上制備一層硅膠層，烤箱烘烤；取上述制備所得的量子點(diǎn)顆粒與硅膠混合，制作模具，采用直接壓模成型工藝用量子點(diǎn)顆粒和硅膠混合材料在硅膠層上制備一層量子點(diǎn)膠層，烤箱烘烤；再制作模具，采用直接壓模成型工藝在所述量子點(diǎn)膠層上制備一層硅膠層，得到LED封裝器件，其結(jié)構(gòu)截面圖如圖9。

參照?qǐng)D9，可以看到，所得的基于量子點(diǎn)顆粒的LED封裝器件，包括載體4和倒裝于所述載體4上的LED藍(lán)光芯片5，所述LED藍(lán)光芯片5上依次覆有熒光粉膠層6、透明膠層7、量子點(diǎn)膠層8和透明膠層7，所述量子點(diǎn)膠層8的厚度為0.1mm，所述透明膠層7為硅膠層。

取市場(chǎng)所售4K電視所使用的白光LED燈珠和依據(jù)本發(fā)明所述方法制備得到的LED封裝器件進(jìn)行光譜測(cè)試，得到光譜測(cè)試結(jié)果如圖10和如圖11，可以看到，市場(chǎng)所售白光LED燈珠在高色溫下的Ra值為56.3，R9值為-113，R11值為40，而本發(fā)明所述方法制備得到的LED封裝器件在高色溫下的Ra值為90.8，R9值為87，R11值為94。本發(fā)明所述LED器件R9和R11值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于常規(guī)白光LED器件，可以完全地表現(xiàn)飽和廣色域顏色，并能在高色溫底下達(dá)到高顯色指數(shù)與高R9值，使用量子點(diǎn)LED封裝器件可使NTSC色域值能夠達(dá)到110%左右，不僅色彩鮮艷，亮度和能效明顯的大幅度提高，解決了目前常規(guī)的白光LED的R9(紅光)和R11(綠光)的波段的缺失問(wèn)題。