技術(shù)總結(jié)
一種含有空穴阻擋層的銻化鎵基2?4um量子阱激光器結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)為多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：一N?型GaSb襯底；一N型GaSb緩沖層，該緩沖層生長在襯底上；一N型AlGaAsSb覆蓋層，該覆蓋層生長在N型GaSb緩沖層上；一AlGaAsSb下波導(dǎo)層，該下波導(dǎo)層生長在N型AlGaAsSb覆蓋層上；一AlGaAsSb下勢壘層，該下勢壘層生長在AlGaAsSb下波導(dǎo)層上；一InPSb空穴阻擋層，該空穴阻擋層生長在AlGaAsSb下勢壘層上；一InGaAsSb量子阱層，該量子阱層生長在InPSb空穴阻擋層上；一AlGaAsSb上勢壘層，該上勢壘層生長在InGaAsSb量子阱層上；一AlGaAsSb上波導(dǎo)層，該上波導(dǎo)層生長在AlGaAsSb上勢壘層上；一P型AlGaAsSb覆蓋層，該覆蓋層生長在AlGaAsSb上波導(dǎo)層上；一P型GaSb歐姆接觸層，該接觸層生長在P型AlGaAsSb覆蓋層上。

技術(shù)研發(fā)人員：于春滿;朱海軍;張興
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都斯科泰科技有限公司
文檔號碼：201610660268
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.12
技術(shù)公布日：2017.01.04