外延片取片器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體外延生長設(shè)備領(lǐng)域，具體地說是一種外延片取片器。
【背景技術(shù)】
[0002]外延是半導(dǎo)體工藝當(dāng)中的一種。外延片最底層是襯底硅(有的加點(diǎn)埋層)，然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層，再后來在外延層上注入基區(qū)、發(fā)射區(qū)等等。外延片就是在襯底上做好外延層的外延片。因有些制造商只做外延之后的工藝生產(chǎn)，所以購買做好外延工藝的外延片來接著做后續(xù)工藝。
[0003]外延爐是用來生長外延片的主要設(shè)備之一，使用范圍相當(dāng)廣泛，具有全自動(dòng)，易操作，易維護(hù)，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，產(chǎn)品品質(zhì)高的主要特征。隨著市場的不斷發(fā)展，客戶的要求不管是尺寸，還是外延層厚度，都在不斷地增大和增厚。外延片直徑逐步從4寸，5寸，6寸，到8寸，甚至12寸大尺寸方向發(fā)展，而6寸，8寸外延層生長厚度也從正常40-50um到如今10um多，甚至到150um。從而對(duì)機(jī)臺(tái)提出了更高的要求，原有機(jī)臺(tái)的一些隱性缺點(diǎn)也就慢慢地突顯出來。特別是8寸外延片厚外延，在現(xiàn)有的取片方式上，外延片的邊緣壓傷、撞傷很嚴(yán)重。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的之一是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種取片效果更好的外延片取片器。
[0005]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0006]外延片取片器，包括吸盤，所述的吸盤上具有容腔，所述的容腔具有開口，所述的容腔內(nèi)開設(shè)有至少一個(gè)第一氣孔，所述吸盤拿取外延片時(shí)容腔開口邊緣貼靠在外延片上，且外延片密封容腔，所述的容腔開口邊緣尺寸大于外延片且均覆蓋外延片。
[0007]在上述的外延片取片器中，所述的多個(gè)第一氣孔等間距周向排列在容腔內(nèi)。
[0008]在上述的外延片取片器中，還包括手柄，所述的手柄與吸盤一體式連接。手柄用于拿取吸盤，更加方便。
[0009]在上述的外延片取片器中，所述的吸盤為圓盤，所述的圓盤外徑大于外延片外徑。
[0010]在上述的外延片取片器中，所述的吸盤包括連為一體的底盤和上蓋盤，所述容腔開設(shè)在上蓋盤內(nèi)，所述的底盤和上蓋盤之間具有空腔，所述的第一氣孔與空腔連通，所述的底盤上開設(shè)有第二氣孔，所述的第二氣孔與空腔連通。
[0011]在上述的外延片取片器中，所述的容腔開口邊緣具有與外延片接觸的環(huán)形工作部，所述的環(huán)形工作部具有坡度，形成倒錐形。
[0012]在上述的外延片取片器中，所述的第二氣孔與任一第一氣孔錯(cuò)位設(shè)置。
[0013]本實(shí)用新型的吸盤邊緣均覆蓋外延片且尺寸大于外延片，拿取時(shí)覆蓋外延片四周，邊緣較硬的部分不會(huì)接觸外延片，保證了外延片不會(huì)受傷害。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2為本實(shí)用新型的剖視圖。
[0016]圖中標(biāo)號(hào)說明:
[0017]1、吸盤；2、容腔；3、第一氣孔；4、手柄；5、底盤；6、上蓋盤；7、空腔；8、第二氣孔。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0019]如圖1-2所示，一種外延片取片器，包括吸盤1，所述的吸盤I上具有容腔2，所述的容腔2具有開口，所述的容腔2內(nèi)開設(shè)有多個(gè)第一氣孔3，所述的多個(gè)第一氣孔3等間距周向排列在容腔2內(nèi)，抽取容腔2內(nèi)氣體時(shí)更加均勻，效果更好。所述吸盤I拿取外延片時(shí)容腔2開口邊緣貼靠在外延片上，且外延片密封容腔2，通過第一氣孔3抽掉容腔2內(nèi)的氣體形成負(fù)壓使吸盤I吸起外延片，所述的容腔2開口邊緣尺寸大于外延片且均覆蓋外延片。吸盤I上連接有手柄4，所述的手柄4與吸盤I 一體式連接，手柄4用于拿取吸盤1，更加方便。
[0020]所述的吸盤I為圓盤，所述的圓盤外徑大于外延片外徑，所述的吸盤I包括連為一體的底盤5和上蓋盤6，所述容腔2開設(shè)在上蓋盤6內(nèi)，所述的底盤5和上蓋盤6之間具有空腔7，所述的第一氣孔3與空腔7連通，所述的底盤5上開設(shè)有第二氣孔8，所述的第二氣孔8與空腔7連通。容腔2開口邊緣具有與外延片接觸的環(huán)形工作部，所述的環(huán)形工作部具有坡度，形成倒錐形。
[0021]用吸盤I拿起外延片時(shí)，容腔2開口邊緣的環(huán)形工作部覆蓋在外延片上，倒錐形環(huán)形工作部與外延片的邊緣接觸，接觸面小，更加不會(huì)傷害外延片，且密封效果更好。容腔2被外延片覆蓋后，通過第二氣孔8抽氣，空腔7內(nèi)的氣體被抽走后即可通過第一氣孔3抽取容腔2內(nèi)的氣體，此時(shí)容腔2內(nèi)形成負(fù)壓使吸盤I吸起外延片，第二氣孔8與任一第一氣孔3錯(cuò)位設(shè)置，能夠使第二氣孔8首先抽走空腔7內(nèi)的氣體，然后通過空腔7與第一氣孔3連通抽取腔體7內(nèi)的氣體，而不會(huì)直接通過第二氣孔8連通第一氣孔3抽取容腔2內(nèi)的氣體，效果更好。
[0022]本實(shí)用新型中的實(shí)施例僅用于對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說明，并不構(gòu)成對(duì)權(quán)利要求范圍的限制，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實(shí)質(zhì)上等同的替代，均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.外延片取片器，其特征在于，包括吸盤，所述的吸盤上具有容腔，所述的容腔具有開口，所述的容腔內(nèi)開設(shè)有至少一個(gè)第一氣孔，所述吸盤拿取外延片時(shí)容腔開口邊緣貼靠在外延片上，且外延片密封容腔，所述的容腔開口邊緣尺寸大于外延片且均覆蓋外延片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片取片器，其特征在于，所述的多個(gè)第一氣孔等間距周向排列在容腔內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片取片器，其特征在于，還包括手柄，所述的手柄與吸盤一體式連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片取片器，其特征在于，所述的吸盤為圓盤，所述的圓盤外徑大于外延片外徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的外延片取片器，其特征在于，所述的吸盤包括連為一體的底盤和上蓋盤，所述容腔開設(shè)在上蓋盤內(nèi)，所述的底盤和上蓋盤之間具有空腔，所述的第一氣孔與空腔連通，所述的底盤上開設(shè)有第二氣孔，所述的第二氣孔與空腔連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的外延片取片器，其特征在于，所述的容腔開口邊緣具有與外延片接觸的環(huán)形工作部，所述的環(huán)形工作部具有坡度，形成倒錐形。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的外延片取片器，其特征在于，所述的第二氣孔與任一第一氣孔錯(cuò)位設(shè)置。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種外延片取片器，包括吸盤，所述的吸盤上具有容腔，所述的容腔具有開口，所述的容腔內(nèi)開設(shè)有至少一個(gè)第一氣孔，所述吸盤拿取外延片時(shí)容腔開口邊緣貼靠在外延片上，且外延片密封容腔，所述的容腔開口邊緣尺寸大于外延片且均覆蓋外延片。本實(shí)用新型吸盤邊緣均覆蓋外延片且尺寸大于外延片，拿取時(shí)覆蓋外延片四周，邊緣較硬的部分不會(huì)接觸外延片，保證了外延片不會(huì)受傷害。
【IPC分類】C30B25-02, H01L21-683, C30B23-02
【公開號(hào)】CN204589371
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520201121
【發(fā)明人】樓琦江
【申請(qǐng)人】上海晶盟硅材料有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年4月3日