1.一種含有空穴阻擋層銻化鎵基量子阱激光器的外延生長方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：先在N型GaSb襯底上以較高溫度生長N型GaSb緩沖層和N型AlGaAsSb覆蓋層；
步驟2：降溫后以較低溫度依次生長AlGaAsSb下波導(dǎo)層、AlGaAsSb下勢壘層、InPSb空穴阻擋層、InGaAsSb量子層、AlGaAsSb上勢壘層、AlGaAsSb上波導(dǎo)層；
步驟3：升溫后以較高溫度依次生長P型AlGaAsSb覆蓋層和P型GaSb歐姆接觸層；
步驟4：退火處理，完成外延生長。
2.按權(quán)利要求1所述的銻化鎵基量子阱激光器的外延生長方法，其特征在于，在較高溫度生長N型GaSb緩沖層和N型AlGaAsSb覆蓋層。
3.按權(quán)利要求1所述的銻化鎵基量子阱激光器的外延生長方法，其特征在于，量子阱區(qū)和覆蓋層生長溫度不同。
4.按權(quán)利要求1所述的銻化鎵基量子阱激光器的外延生長方法，其特征在于，量子阱區(qū)插入一層空穴阻擋層，其厚度為4-8nm。
5.按權(quán)利要求1所述的銻化鎵基量子阱激光器的外延生長方法，其特征在于，需退火處理。
6.按權(quán)利要求2所述的在較高溫度生長N型GaSb緩沖層和N型AlGaAsSb覆蓋層，其特征在于，溫度范圍為500℃到600℃，優(yōu)選的500℃到550℃。
7.按權(quán)利要求3所述的量子阱區(qū)和覆蓋層生長溫度不同，其特征在于，量子阱區(qū)的生長溫度為400℃到500℃。