1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，該方法包括：
在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝依次制作柵極和柵極絕緣層；
在所述柵極絕緣層上通過構(gòu)圖工藝制作源極和漏極；
在所述源極和所述漏極上沉積一層半導體薄膜，對所述半導體薄膜進行構(gòu)圖工藝，形成半導體有源層；
在所述半導體有源層上通過構(gòu)圖工藝制作鈍化層以及貫穿所述鈍化層和所述半導體有源層的過孔，在所述鈍化層上通過構(gòu)圖工藝制作像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述源極和所述漏極上沉積一層半導體薄膜之前，所述方法還包括：
在所述源極和所述漏極上沉積一層導電膜層；
對所述導電膜層進行構(gòu)圖工藝，在所述源極的正上方形成第一歐姆接觸層，在所述漏極的正上方形成第二歐姆接觸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在制作有所述半導體有源層的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作柵極引線，所述柵極引線與所述柵極電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述柵極引線與所述像素電極同層制作。
5.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的柵極、位于所述柵極上的柵極絕緣層、位于所述柵極絕緣層上的源極和漏極、位于所述源極和漏極上的半導體有源層、位于所述半導體有源層上的鈍化層，以及位于所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過貫穿所述鈍化層和所述半導體有源層的過孔與所述漏極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述源極正上方的第一歐姆接觸層和位于所述漏極正上方的第二歐姆接觸層，所述半導體有源層通過所述第一歐姆接觸層與所述源極電連接，所述半導體有源層通過所述第二歐姆接觸層與所述漏極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的陣列基板，其特征在于，還包括與所述像素電極同層絕緣設(shè)置的柵極引線，所述柵極引線與所述柵極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層的材料為摻雜非晶硅。
9.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求5-8任一權(quán)利要求所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的顯示面板。