技術編號：11955985
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。背景技術非晶硅(a-Si)陣列基板目前是主流的平板顯示技術，但是目前的a-Si陣列基板存在薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，TFT)的開態(tài)電流(Ion)過低，漏電流(Ioff)過大等問題。a-Si厚度和狀態(tài)是影響TFT電學特性的主要因素，a-Si厚度不均，則TFT電學均一性較差，從而導致顯示不均，TFT的溝道內a-Si表面越粗糙，漏電流越大，影響產品的特性。如圖1所示，現(xiàn)有技術a-Si陣列基板的制作方法...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。