1.一種晶片封裝體，其特征在于，包含：
晶片，具有感測區(qū)、相對的第一表面與第二表面，其中該感測區(qū)位于該第一表面上；
粘膠層，覆蓋該晶片的該第一表面；以及
支撐件，位于該粘膠層上且圍繞該感測區(qū)，該支撐件的厚度介于20μm至750μm，且該支撐件圍繞該感測區(qū)的壁面為粗糙面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該支撐件的材質(zhì)與該晶片的材質(zhì)相同，均包含硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片具有位在該第一表面與該第二表面間的通孔，該晶片封裝體還包含：
重布線層，位于該通孔中，且延伸至該第二表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含：
阻隔層，位于該重布線層與該第二表面上，該阻隔層具有開口使部分的該重布線層裸露。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含：
導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于該開口中的該重布線層上，且凸出該阻隔層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為錫球或?qū)щ娡箟K。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該支撐件的材質(zhì)包含玻璃、氮化鋁、膠帶或藍(lán)寶石。
8.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包含：
(a)研磨載體；
(b)圖案化該載體，使該載體具有凹槽，其中該凹槽由該載體的槽底與支撐件定義，且該支撐件圍繞該槽底；
(c)使用粘膠層將該載體貼附于晶圓的第一表面上，且該凹槽位于該粘 膠層與該槽底之間；
(d)研磨該槽底，使該槽底的厚度介于10μm至250μm；
(e)同步撞擊與吸附該槽底，使該槽底脫離該支撐件，并使該支撐件原本連接該槽底的壁面形成粗糙面；以及
(f)切割該晶圓與該支撐件，以形成晶片封裝體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該步驟(e)包含：
使用連接泵的噴嘴頭撞擊該槽底；以及
該泵抽氣，使該噴嘴頭吸附從該支撐件脫離的該槽底。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：
研磨該晶圓背對該第一表面的第二表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：
于該晶圓的該第二表面形成通孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：
形成圖案化的重布線層于該通孔中與該第二表面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：
形成阻隔層于該重布線層與該晶圓的該第二表面上；以及
圖案化該阻隔層，使該阻隔層具有開口使部分的該重布線層裸露。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：
形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于該開口中的該重布線層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包 含：
將該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)貼附于保護(hù)膠帶上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：
將該支撐件貼附于切割膠帶上；以及
移除該保護(hù)膠帶。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該步驟(f)包含：
在該切割膠帶上切割該晶圓與該支撐件；以及
從該切割膠帶上取下該晶圓與該支撐件切割后所形成的該晶片封裝體。