本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物體，由于其導(dǎo)電性可受控制，范圍從絕緣體至導(dǎo)體之間，其在電子技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，如收音機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話當(dāng)中的核心單元與半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。

現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝一般為單面貼片類元件金屬底部導(dǎo)電導(dǎo)熱散熱封裝以及單面插件類元件金屬底部導(dǎo)電導(dǎo)熱散熱封裝。單面貼片類元件金屬底部導(dǎo)電導(dǎo)熱散熱封裝主要通過金屬底面導(dǎo)熱散熱，并通過芯片自帶金屬片傳導(dǎo)至PCB板熱量，將熱量導(dǎo)到周邊的電子元件，從而影響到整個(gè)產(chǎn)品的工作性能與效率，且芯片易受熱量影響，使芯片的工作性能達(dá)不到最佳。單面插件類元件金屬底部導(dǎo)電導(dǎo)熱散熱封裝只有一面導(dǎo)熱散熱，需要通過外加散熱片做散熱處理，容易造成與散熱片的短路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，散熱效果好。

本發(fā)明公開的半導(dǎo)體器件所采用的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體器件，包括襯基、晶片、絕緣固化體和第一功能腳，所述晶片設(shè)于襯基上，所述絕緣固化體設(shè)于襯基和第一功能腳之間，將襯基和第一功能腳固定連接，所述第一功能腳與晶片之間通過第一導(dǎo)體連接，所述襯基包括底部和凸部，所述凸部設(shè)于底部的側(cè)面，并高于底部，所述第一功能腳與襯基的底部平齊。

作為優(yōu)選方案，所述第一功能腳設(shè)于襯基底部的一側(cè)，所述第一功能腳的長邊與襯基的底部相對設(shè)置，所述第一功能腳與晶片之間通過兩個(gè)以上的第一導(dǎo)體連接。

作為優(yōu)選方案，半導(dǎo)體器件還包括第二功能腳，所述第二功能腳與第一功能腳設(shè)于襯基底部的同一側(cè)，所述第一功能腳和第二功能腳由絕緣固化體隔開且固定連接，所述第二功能腳與晶片之間通過第二導(dǎo)體連接。

作為優(yōu)選方案，半導(dǎo)體器件還包括第三功能腳和第四功能腳，所述第三功能腳和第四功能腳設(shè)于襯基底部的同一側(cè)，與第一功能腳和第二功能腳分別位于襯基底部的不同側(cè)，所述第三功能腳、第四功能腳和襯基底部之間由絕緣固化體隔開且固定連接，所述第三功能腳與晶片通過第三導(dǎo)體連接，所述第四功能腳通過第四導(dǎo)體連接，所述凸部包括第一凸部和第二凸部。

作為優(yōu)選方案，所述第一功能腳、第二功能腳、第三功能腳、第四功能腳和襯基底部的厚度相同，所述第一功能腳、第二功能腳、第三功能腳和第四功能腳的底面均與襯基底部的底面平齊。

作為優(yōu)選方案，所述襯基、第一功能腳、第二功能腳、第三功能腳、第四功能腳、晶片和絕緣固化體組成方體。

作為優(yōu)選方案，所述凸部設(shè)有若干個(gè)，所述第一功能腳位于其中兩凸部之間。

作為優(yōu)選方案，所述絕緣固化體為環(huán)氧樹脂材料固化形成。

作為優(yōu)選方案，所述凸部上設(shè)有扣合面。

本發(fā)明公開的半導(dǎo)體器件的有益效果是：所述襯基包括底部和凸部，所述凸部設(shè)于底部的側(cè)面，并高于底部，襯基凸部將底部部分熱量傳導(dǎo)上來，通過上面的空氣散發(fā)，散熱效果好，且避免襯基底部的熱量在芯片聚集。

附圖說明

圖1是本發(fā)明半導(dǎo)體器件實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1的背面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明半導(dǎo)體器件實(shí)施例一的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明半導(dǎo)體器件實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4的背面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例和說明書附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述和說明：

實(shí)施例一：請參考圖1-3，一種半導(dǎo)體器件，包括襯基10、絕緣固化體20、第一功能腳30、第二功能腳40和晶片70。

所述襯基10包括底部11和凸部12，所述凸部12設(shè)于底部11的側(cè)面，并高于底部11，所述凸部11包括扣合面。所述第一功能腳30、第二功能腳40和底部11的厚度相同，所述第一功能腳30和第二功能腳40設(shè)于襯基底部11的同一側(cè)，所述第一功能腳30和第二功能腳40分別正對襯基底部11，并與襯基底部11平齊，所述第一功能腳30和第二功能腳40的寬度相同，所述第一功能腳30和第二功能腳40在寬度方向也平齊，所述第一功能腳30為長條形，其長邊正對襯基底部11。

所述晶片70設(shè)于襯基10的底部11表面，所述晶片70通過四根第一導(dǎo)體80與第一功能腳30連接，所述晶片70通過第二導(dǎo)體90與第二功能腳40連接。則第一功能腳30和襯基10導(dǎo)通時(shí)，通過的電流大，所述絕緣固化體20為環(huán)氧樹脂材料制成，所述絕緣固化體20設(shè)于第一功能腳30、第二功能腳40和襯基10之間，將第一功能腳30、第二功能腳40和襯基10相互隔離并固定，所述絕緣固化體20、第一功能腳30、第二功能腳40和襯基10構(gòu)成長方體。

所述襯基10的凸部12將底部11部分熱量傳導(dǎo)上來，通過上面的空氣散發(fā)，散熱效果好，且避免襯基10的底部11將全部或絕大部分熱量傳導(dǎo)至芯片，導(dǎo)致芯片的溫度過高而影響其功能。

實(shí)施例二：請參考圖4和圖5，一種半導(dǎo)體器件，包括襯基10、絕緣固化體20、第一功能腳30、第二功能腳40、第三功能腳50、第四功能腳60和晶片。

所述襯基10包括底部11、第一凸部12和第二凸部13，所述第一凸部12和第二凸部13分別設(shè)于底部11的兩側(cè)，所述第一功能腳30、第二功能腳40設(shè)于底部11的一端，所述第三功能腳50和第四功能腳60設(shè)于底部11的另一端。

所述晶片設(shè)于襯基底部11表面，通過第一導(dǎo)體與第一功能腳30連接，通過第二導(dǎo)體與第二功能腳40連接，通過第三導(dǎo)體與第三功能腳50連接，通過第四導(dǎo)體與第四功能腳60連通。

所述第一凸部12和第二凸部13將底部11的熱量傳導(dǎo)上來，將其釋放至空氣中，避免襯基10的底部11將全部或絕大部分熱量傳導(dǎo)至芯片，導(dǎo)致芯片的溫度過高而影響其功能。

最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。