專利名稱：晶片封裝體及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體，且特別是有關(guān)于以晶圓級封裝制程所制得的晶片封裝體。
背景技術(shù)：
晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。在現(xiàn)行晶圓級封裝制程中，可能有接合度不佳及/或易受水氣入侵的問題，其影響所封裝的晶片的效能甚巨。此外，晶片封裝體還容易因切割制程而損壞。因此，業(yè)界亟需改進(jìn)的晶片封裝技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶片封裝體，包括:一基底，具有一第一表面及一第二表面；一兀件區(qū)，形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上；一介電層，設(shè)置于該基底的該第一表面上；至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)；一平坦層，設(shè)置于該介電層之上，其中該平坦層的一上表面與該導(dǎo)電墊的一上表面之間的一垂直距離大于約2微米；一透明基板，設(shè)置于該基底的該第一表面上；一第一間隔層，設(shè)置于該透明基板與該平坦層之間；以及一第二間隔層，設(shè)置于該透明基板與該基底之間，且延伸進(jìn)入該介電層的一開口而接觸該導(dǎo)電墊，其中該第二間隔層與該導(dǎo)電墊之間大抵無間隙。本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶片封裝體，包括:一基底，具有一第一表面及一第二表面；一兀件區(qū)，形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上；一介電層，設(shè)置于該基底的該第一表面上；至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)；一平坦層，設(shè)置于該介電層之上；一透明基板，設(shè)置于該基底的該第一表面上；一第一間隔層，設(shè)置于該透明基板與該平坦層之間；以及一第二間隔層，設(shè)置于該透明基板與該基底之間，其中該第二間隔層包括一本體部及一延伸部，該延伸部覆蓋于該本體部的表面且延伸至該介電層的一開口中而接觸該導(dǎo)電墊。本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶片封裝體的形成方法，包括:提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，其中一兀件區(qū)形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上，一介電層設(shè)置于該基底的該第一表面上，至少一導(dǎo)電墊設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)，及一平坦層設(shè)置于該介電層之上；提供一透明基板；于該透明基板的表面上形成一圖案化間隔層，該圖案化間隔層包括一第一間隔層及一第二間隔層，該第一間隔層于該透明基板上圍繞一區(qū)域，且該第二間隔層圍繞該第一間隔層；于該第二間隔層的一上表面設(shè)置一間隔層材料；以及將該基底設(shè)置于該透明基板上，其中該第一間隔層接合于該平坦層上，且該間隔層材料接合于該介電層，并填入該介電層的一開口中而接觸該導(dǎo)電墊。本發(fā)明使得透明基板穩(wěn)固地接合于基底之上，且在后續(xù)切割制程不會損壞晶片封裝體。


圖1顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖2A-圖2F顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。附圖中符號的簡單說明如下:100:基底；IOOaUOOb:表面；102:元件區(qū)；104:介電層；106:導(dǎo)電墊;108、109:平坦層；110:濾光層；112:透鏡；114:透明基板；116、116’、116”:間隔層；116a、116b、116c:間隔層材料；117:凹陷；202:遮罩；204:涂布制程；d:距離；SC:切割道。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定形式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間必然具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝各種晶片。例如，在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passiveelements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electronic components),例如是有關(guān)于光電兀件(opto electronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems) >或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級封裝(wafer scale package;WSP)制程對影像感測元件、發(fā)光二極管(light-emitting diodes;LEDs)、太陽能電池(solar cells)、射頻兀件(RF circuits)、力口速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、表面聲波元件(surface acoustic wave devices)、壓力感測器(process sensors)噴墨頭(ink printerheads)、或功率金氧半場效電晶體模組(power MO SFET modules)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。其中上述晶圓級封裝制程主要是指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級封裝制程。另外，上述晶圓級封裝制程亦適用于通過堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。在一實(shí)施中，上述切割后的封裝體為一晶片尺寸封裝體(CSP;chip scale package)。晶片尺寸封裝體(CSP)的尺寸可僅略大于所封裝的晶片。例如，晶片尺寸封裝體的尺寸不大于所封裝晶片的尺寸的120%。圖1顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。在一實(shí)施例中，提供基底100，其具有表面IOOa及表面100b?；?00可為半導(dǎo)體晶圓，例如硅晶圓?；?00可由多個(gè)預(yù)定切割道SC劃分成多個(gè)晶粒區(qū)域。每一晶粒區(qū)域中可形成有元件區(qū)102。元件區(qū)102可例如包括影像感測元件或發(fā)光元件。元件區(qū)102中的元件可電連接基底100上的介電層104中的導(dǎo)電墊106。例如，可于介電層104中形成多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)以電性連接元件區(qū)102中的元件與導(dǎo)電墊106。在介電層104上可形成有光學(xué)構(gòu)件，用以輔助光線進(jìn)入元件區(qū)102或自元件區(qū)102發(fā)出。例如，光學(xué)構(gòu)件可包括濾光層、彩色濾光層、偏光層、透鏡、或前述的組合。為了設(shè)置光學(xué)構(gòu)件，可能需于介電層104上形成平坦層以利各光學(xué)構(gòu)件的設(shè)置。例如，在圖1的實(shí)施例中，可于介電層104之上形成平坦層108，其材質(zhì)可例如為高分子材料，并具有大抵平坦的上表面。接著，可于平坦層108上設(shè)置濾光層110。濾光層110上可形成有另一平坦層109。平坦層109的大抵平坦的上表面上可設(shè)置有透鏡112，其例如是微透鏡陣列。在圖1的實(shí)施例中，可于基底100的表面IOOa上設(shè)置透明基板114。透明基板114可保護(hù)光學(xué)構(gòu)件，并可作為后續(xù)制程的支撐基板。為了避免透明基板114直接接觸光學(xué)構(gòu)件(例如，透鏡112)，可于透明基板114上設(shè)置間隔層116，并通過間隔層116而將透明基板114接合于基底100上的介電層104之上。在一實(shí)施例中，間隔層116可包括用以接合平坦層109的內(nèi)圈部分及用以接合介電層104的外圈部分。在將透明基板114設(shè)置于基底100上之后，間隔層116的內(nèi)圈部分可與基底100及透明基板114共同于元件區(qū)102的上圍繞出空腔，其可用以容納光學(xué)構(gòu)件。一般而言，間隔層116的外圈部分圍繞內(nèi)圈部分，并覆蓋導(dǎo)電墊106。間隔層116的外圈部分橫跨預(yù)定切割道SC，并沿著預(yù)定切割道SC設(shè)置。此外，間隔層116較佳能大抵及/或完全填滿介電層104的露出導(dǎo)電墊106的開口。如此，在后續(xù)沿著預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程時(shí)，由于間隔層116的外圈部分填滿介電層104中的開口而接觸導(dǎo)電墊106，可避免切割制程造成損傷。然而，在部分實(shí)施例中，平坦層109的上表面與導(dǎo)電墊106的上表面之間的垂直距離d可能大于約2微米，其造成間隔層116的外圈部分無法接合介電層104，并填滿介電層104的開口。如此，在后續(xù)進(jìn)行切割制程時(shí)，晶片封裝體可能遭遇損壞。為了減輕及/或解決上述問題，本申請發(fā)明人另提出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的制作方法。圖2A-圖2F顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或相似的元件。如圖2A所示，提供透明基板114。透明基板114可包括(但不限于)玻璃基板、石英基板、透明高分子基板、或前述的組合。接著，于透明基板114的表面上形成圖案化間隔層，其可包括間隔層116’及間隔層116”。間隔層116’可于透明基板114上圍繞一區(qū)域，而間隔層116”可圍繞間隔層116’。此外，在一實(shí)施例中，間隔層116”可包括凹陷117。凹陷117可為多個(gè)孔洞或溝槽。由于間隔層116”中具有凹陷117，在后續(xù)進(jìn)行切割制程時(shí)，凹陷117可用以釋放應(yīng)力而避免晶片封裝體受損。在一實(shí)施例中，圖案化間隔層可通過對形成于透明基板114上的光阻層進(jìn)行曝光制程及顯影制程而形成。圖案化間隔層的材質(zhì)例如可為娃氧基光阻(silicone-based photoresist)。在一實(shí)施例中，間隔層116，與間隔層116”的材質(zhì)相同。接著，于間隔層116”的上表面上設(shè)置間隔層材料。如圖2B所示，在一實(shí)施例中，可于圖案化間隔層上設(shè)置遮罩202。遮罩202可例如直接接觸圖案化間隔層。遮罩202可具有僅露出間隔層116”的孔洞。此外，遮罩202可覆蓋凹陷117。接著，可于遮罩202上進(jìn)行涂布制程204以涂布間隔層涂層，其中部分的間隔層涂層經(jīng)由遮罩202的孔洞而直接接觸間隔層116”的上表面。
接著，可移除遮罩202而于間隔層116”的上表面上留下間隔層材料116a，如圖2C所示。在一實(shí)施例中，間隔層材料116a的材質(zhì)可相同于間隔層116”。在一實(shí)施例中，間隔層材料116a可能具有流動(dòng)性而向間隔層116”的外側(cè)流動(dòng)而成為間隔層材料116b，如圖2D所示。間隔層材料116b可流入凹陷117而部分填充凹陷117。此外，間隔層材料116b還可流向間隔層116’。在一實(shí)施例中，間隔層材料116b可直接接觸間隔層116’。此外，由于間隔層116’的阻擋，間隔層材料116b將不會流入由間隔層116’所圍繞的區(qū)域。在一實(shí)施例中，間隔層材料116b覆蓋間隔層116”的側(cè)表面。應(yīng)注意的是，間隔層材料116b的形狀不限于圖2D所示的形式，間隔層材料116b的形狀可取決于間隔層材料116b的材質(zhì)與流動(dòng)性。在一實(shí)施例中，可接著對間隔層材料116b進(jìn)行固化制程。固化制程例如可包括對間隔層材料116b進(jìn)行軟烤制程、照光制程、或前述的組合。軟烤制程例如可于100°C下進(jìn)行。在一實(shí)施例中，可先以軟烤制程使間隔層材料116b固化，并接著使用照光制程而使間隔層材料116b中的高分子進(jìn)一步交聯(lián)。接著，如圖2E所示，可進(jìn)行類似于圖1所示的接合制程以將基底100設(shè)置于透明基板114之上，其中間隔層116’接合于平坦層109上，且間隔層材料116b接合于介電層104，并填入介電層104的開口中而接觸導(dǎo)電墊106。介電層104中的導(dǎo)電墊106可電連接基底100上的元件區(qū)102中的元件。例如，可于介電層104中形成多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)以電性連接元件區(qū)102中的元件與導(dǎo)電墊106。在一實(shí)施例中，間隔層材料116b(或間隔層材料116c)與導(dǎo)電墊106之間大抵無間隙。在一實(shí)施例中，間隔層116’直接接觸平坦層109而不接觸介電層104或基底100。在一實(shí)施例中，接合步驟可包括將基底100壓向透明基板114，并可包括兩段的加熱制程。例如，在第一段加熱制程中，可將溫度提升至120°C，接著于第二段加熱制程中，可將溫度提升至150°C以完成接合步驟。接著，可將如圖2E所示的結(jié)構(gòu)置于烤箱中，并加熱至約180°C以對圖案化間隔層(包括間隔層116’及間隔層116”)及間隔層材料116b進(jìn)行硬烤制程。間隔層材料116b經(jīng)硬烤制程后，可大抵完全固化而成為間隔層材料116c。間隔層材料116c中的高分子更進(jìn)一步地彼此交聯(lián)。在接合制程之后，間隔層116’、透明基板114及平坦層109共同于元件區(qū)102上圍繞出大抵密閉的空腔，且間隔層116”及間隔層材料116c圍繞間隔層116’及其所圍出的空腔。空腔可用以容納光學(xué)構(gòu)件，例如是濾光層110及透鏡112。雖然，在上述實(shí)施例中，間隔層材料116b的固化制程于接合步驟之前進(jìn)行，但本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在另一實(shí)施例中，間隔層材料116b的固化制程于接合步驟之后進(jìn)行。在此情形下，圖2D中的間隔層材料116b未經(jīng)固化制程便與基底100進(jìn)行接合而形成出類似于圖2E所示的結(jié)構(gòu)。接著，如圖2E所示，可于接合之后對間隔層材料116b進(jìn)行照光制程而使間隔層材料116b中的高分子更進(jìn)一步彼此交聯(lián)而固化。接著，進(jìn)行硬烤制程以形成間隔層材料116c。相似地，亦可對間隔層材料116b進(jìn)行軟烤制程。軟烤制程可于接合步驟之前或之后進(jìn)行。在一實(shí)施例中，由于間隔層材料116b在接合制程之前未經(jīng)固化而具有較大的流動(dòng)性，間隔層材料116b可更容易地將介電層104的開口填滿而接觸導(dǎo)電墊106。因此，在此實(shí)施例中，間隔層材料116b (或間隔層材料116c)與導(dǎo)電墊106之間大抵無間隙。即使在介電層104的開口的尺寸較小的情形中，間隔層材料116b(或間隔層材料116c)與導(dǎo)電墊106之間仍可大抵無間隙。接著，如圖2F所示，可沿著基底100的預(yù)定切割道進(jìn)行切割制程以形成多個(gè)彼此分離的晶片封裝體。由于間隔層116”包括凹陷117，且部分的間隔層材料116c雖延伸進(jìn)入凹陷117但未將之填滿，因此預(yù)定切割道S C之上仍具有未被間隔層材料116c填充的凹陷。在進(jìn)行切割制程時(shí)，凹陷117可釋放應(yīng)力而避免晶片封裝體受損。此外，由于間隔層材料116c與導(dǎo)電墊106之間大抵無間隙，晶片封裝體的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性因而更佳且不因切割制程而脫層或損壞。如圖2F所示，在一實(shí)施例中，間隔層材料116c與間隔層116”由于材質(zhì)相同，因此在硬烤制程之后，可能彼此互溶。在此情形下，間隔層材料116c與間隔層116”之間的界面將消失或不易發(fā)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，間隔層116’可作為晶片封裝體的第一間隔層，而間隔層材料116c與間隔層116”可共同作為晶片封裝體的第二間隔層。第一間隔層的高度可小于第二間隔層。第二間隔層可包括本體部(例如，間隔層116”)及延伸部(例如，間隔層材料116c)。延伸部(間隔層材料116c)可覆蓋本體部(間隔層116”)的側(cè)表面。在一實(shí)施例中，延伸部(間隔層材料116c)可延伸于透明基板114的表面上，并可能朝第一間隔層(間隔層116’ )延伸而直接接觸第一間隔層(間隔層116’ )。在本發(fā)明實(shí)施例中，即使平坦層109的上表面與導(dǎo)電墊106的上表面之間的垂直距離d大于約2微米，透明基板114仍可穩(wěn)固地接合于基底100之上。間隔層可將介電層104的開口完全填滿而接觸導(dǎo)電墊106，且間隔層與導(dǎo)電墊106之間大抵無間隙。因此，后續(xù)切割制程將大抵不對晶片封裝體造成損壞。此外，本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體具有圍繞著光學(xué)構(gòu)件的多重的間隔層，可確保晶片封裝體的重要元件免于受到外界環(huán)境污染。以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一基底，具有一第一表面及一第二表面； 一元件區(qū)，形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上； 一介電層，設(shè)置于該基底的該第一表面上； 至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)； 一平坦層，設(shè)置于該介電層之上，其中該平坦層的一上表面與該導(dǎo)電墊的一上表面之間的一垂直距離大于2微米； 一透明基板，設(shè)置于該基底的該第一表面上； 一第一間隔層，設(shè)置于該透明基板與該平坦層之間；以及 一第二間隔層，設(shè)置于該透明基板與該基底之間，且延伸進(jìn)入該介電層的一開口而接觸該導(dǎo)電墊，其中該第二間隔層與該導(dǎo)電墊之間大抵無間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層直接接觸該平坦層，且不接觸該介電層或該基底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層、該透明基板及該平坦層共同于該元件區(qū)上圍繞一大抵密閉的空腔，且該第二間隔層圍繞該第一間隔層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一光學(xué)構(gòu)件，該光學(xué)構(gòu)件設(shè)置于該平坦層之上，且位于該空腔之中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4 所述的晶片封裝體，其特征在于，該光學(xué)構(gòu)件包括濾光層、彩色濾光層、偏光層、透鏡、遮光層、或前述的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層的高度小于該第二間隔層的聞度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層直接接觸該第二間隔層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層不直接接觸該第二間隔層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層與該第二間隔層的材質(zhì)相同。
10.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一基底，具有一第一表面及一第二表面； 一元件區(qū)，形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上； 一介電層，設(shè)置于該基底的該第一表面上； 至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)； 一平坦層，設(shè)置于該介電層之上； 一透明基板，設(shè)置于該基底的該第一表面上； 一第一間隔層，設(shè)置于該透明基板與該平坦層之間；以及 一第二間隔層，設(shè)置于該透明基板與該基底之間，其中該第二間隔層包括一本體部及一延伸部，該延伸部覆蓋于該本體部的表面且延伸至該介電層的一開口中而接觸該導(dǎo)電墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二間隔層的該延伸部覆蓋該本體部的一側(cè)表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，該延伸部直接接觸該透明基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體，其特征在于，該延伸部直接接觸該第一間隔層。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二間隔層的該本體部與該延伸部的材質(zhì)相同。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層與該第二間隔層的材質(zhì)相同。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層、該透明基板及該平坦層共同于該元件區(qū)上圍繞一大抵密閉的空腔，且該第二間隔層圍繞該第一間隔層。
17.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括: 提供一基底，該基底具有一第一表面及一第二表面，其中一兀件區(qū)形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上，一介電層設(shè)置于該基底的該第一表面上，至少一導(dǎo)電墊設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)，及一平坦層設(shè)置于該介電層之上； 提供一透明基板； 于該透明基板的表面上形成一圖案化間隔層，該圖案化間隔層包括一第一間隔層及一第二間隔層，該第一間隔層于該透明基板上圍繞一區(qū)域，且該第二間隔層圍繞該第一間隔層； 于該第二間隔層的一上表面設(shè)置一間隔層材料；以及 將該基底設(shè)置于該透明基板上，其中該第一間隔層接合于該平坦層上，且該間隔層材料接合于該介電層，并填入該介電層的一開口中而接觸該導(dǎo)電墊。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，設(shè)置該間隔層材料的步驟包括: 于該圖案化間隔層上設(shè)置一遮罩，該遮罩具有露出該第二間隔層的該上表面的孔洞； 于該遮罩上涂布一間隔層涂層，其中部分的該間隔層涂層填入該遮罩的該孔洞而直接接觸該第二間隔層的該上表面；以及 移除該遮罩而于該第二間隔層的該上表面留下該間隔層材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行將該基底設(shè)置于該透明基板上的步驟之前，還包括對該間隔層材料進(jìn)行一固化制程。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該固化制程包括對該間隔層材料進(jìn)行軟烤制程、照光制程、或前述的組合。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括對該圖案化間隔層及該間隔層材料進(jìn)行一硬烤制程。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行將該基底設(shè)置于該透明基板上的步驟之后，還包括對該間隔層材料進(jìn)行一固化制程。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該固化制程包括對該間隔層材料進(jìn)行軟烤制程、照光制程、或前述的組合。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括對該圖案化間隔層及該間隔層材料進(jìn)行一硬烤制程。
25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括沿著該基底的多個(gè)預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成多個(gè)晶片封裝體。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該第二間隔層包括一凹陷，且部分的該間隔層材料延伸進(jìn)入該凹陷，其中該凹陷位于其中一所述預(yù)定切割道之上 。
全文摘要
一種晶片封裝體及其形成方法，該晶片封裝體包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件區(qū)，形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上；一介電層，設(shè)置于該基底的該第一表面上；一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)；一平坦層，設(shè)置于該介電層之上，其中該平坦層與該導(dǎo)電墊的上表面之間的一垂直距離大于約2微米；一透明基板，設(shè)置于該基底的該第一表面上；一第一間隔層，設(shè)置于該透明基板與該平坦層之間；及一第二間隔層，設(shè)置于該透明基板與該基底之間，且延伸進(jìn)入該介電層的一開口而接觸該導(dǎo)電墊，其中該第二間隔層與該導(dǎo)電墊之間大抵無間隙。本發(fā)明使得透明基板穩(wěn)固地接合于基底之上，且在后續(xù)切割制程不會損壞晶片封裝體。
文檔編號H01L21/56GK103165545SQ20121055539
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者劉國華, 張義民, 林錫堅(jiān) 申請人:精材科技股份有限公司