晶片封裝體及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝技術(shù)，特別為有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使其免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。
[0003]具有感測功能的晶片封裝體通常通過在晶片的上表面形成導(dǎo)電層作為信號接墊的外部電性連接路徑，并通過打線將導(dǎo)電層電性連接至電路板。
[0004]然而，上述制造方法通常在晶片的感測區(qū)上方沉積了多層膜層(例如，絕緣層)，造成感測區(qū)的敏感度降低。再者，上述晶片封裝體的整體高度也受限于打線高度，導(dǎo)致具有感測功能的電子產(chǎn)品的尺寸難以進(jìn)一步縮小。
[0005]因此，有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括:一第一基底，具有一上表面、一下表面及一側(cè)壁，其中一感測區(qū)或元件區(qū)及一導(dǎo)電墊鄰近于上表面；一通孔，貫穿第一基底；以及一重布線層，自下表面延伸至通孔內(nèi)，且與導(dǎo)電墊電性連接，其中重布線層還自下表面橫向延伸而突出于第一基底的側(cè)壁。
[0007]本發(fā)明提供一種晶片封裝體的制造方法，包括:提供一第一基底，第一基底具有一上表面、一下表面及一側(cè)壁，其中一感測區(qū)或元件區(qū)及一導(dǎo)電墊鄰近于上表面；形成一通孔，通孔貫穿第一基底；以及形成一重布線層，重布線層自下表面延伸至通孔內(nèi)，且與導(dǎo)電墊電性連接，其中重布線層還自下表面橫向延伸而突出于第一基底的側(cè)壁。
[0008]本發(fā)明不僅能夠提升晶片封裝體的感測敏感度，還可縮小晶片封裝體的尺寸。
【附圖說明】
[0009]圖1A至1H是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。
[0010]圖2是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的平面示意圖。
[0011]其中，附圖中符號的簡單說明如下:
[0012]100 第一基底
[0013]100a 上表面
[0014]100b 下表面
[0015]101 側(cè)壁
[0016]110感測區(qū)或元件區(qū)
[0017]120晶片區(qū)
[0018]140、260 絕緣層
[0019]160 導(dǎo)電墊
[0020]180、280、400 開口
[0021]200暫時(shí)性基底
[0022]220粘著層
[0023]240 通孔
[0024]300重布線層
[0025]320 第二基底
[0026]340接合層
[0027]360、380 側(cè)邊凹陷
[0028]420外部元件
[0029]440外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
[0030]460 封裝層。
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然而應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
[0032]本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝微機(jī)電系統(tǒng)晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electronic components)，例如是有關(guān)于光電元件(optoelectronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System，MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線、電容及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級封裝(wafer scale package，WSP)制程對影像感測元件、發(fā)光二極管(light-emitting d1des，LEDs)、太陽能電池(solarcells)、射頻元件(RF circuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、表面聲波元件(surface acoustic wave devices)、壓力感測器(process sensors)或噴墨頭(ink printer heads)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。
[0033]其中上述晶圓級封裝制程主要指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級封裝制程。另外，上述晶圓級封裝制程亦適用于通過堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。
[0034]請參照圖1H，其繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面示意圖。在本實(shí)施例中，晶片封裝體包括一第一基底100、一通孔240及一重布線層(redistribut1nlayer, RDL)300。第一基底100具有一上表面100a及一下表面100b，且具有一側(cè)壁101。在一實(shí)施例中，第一基底100可為一硅基底或其他半導(dǎo)體基底。
[0035]一絕緣層140設(shè)置于第一基底100的上表面100a上。一般而言，絕緣層140可由層間介電層(interlayer dielectric，ILD)、金屬間介電層(inter-metal dielectric,IMD)及覆蓋的鈍化層(passivat1n)組成。為簡化圖式，此處僅繪示出單層絕緣層140。在本實(shí)施例中，絕緣層140可包括無機(jī)材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合或其他適合的絕緣材料。
[0036]在本實(shí)施例中，絕緣層140內(nèi)具有一個(gè)或一個(gè)以上的導(dǎo)電墊160，鄰近于第一基底100的上表面100a。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電墊160可為單層導(dǎo)電層或具有多層的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)。為簡化圖式，此處僅以單層導(dǎo)電層作為范例說明，并以絕緣層140內(nèi)的一個(gè)導(dǎo)電墊160作為范例說明。在本實(shí)施例中，絕緣層140內(nèi)包括一個(gè)或一個(gè)以上的開口 180，以露出對應(yīng)的導(dǎo)電墊160。舉例來說，當(dāng)導(dǎo)電墊160為具有多層的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)時(shí)，開口 180可露出多層導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)中的頂層導(dǎo)電層。
[0037]在本實(shí)施例中，晶片封裝體包括一感測區(qū)或元件區(qū)110，其可鄰近于第一基底100的上表面100a，且可通過內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(未繪示)與導(dǎo)電墊160電性連接。在一實(shí)施例中，感測區(qū)或元件區(qū)110內(nèi)可包括一影像感測元件。在另一實(shí)施例中，感測區(qū)或元件區(qū)110可用以感測生物特征。舉例來說，感測區(qū)或元件區(qū)110內(nèi)可包括指紋辨識感測元件或其他生物特征感測元件。在其他實(shí)施例中，感測區(qū)或元件區(qū)110可用以感測環(huán)境特征，例如感測區(qū)或元件區(qū)110內(nèi)可包括一溫度感測元件、一濕度感測元件、一壓力感測元件或其他適合的感測元件。
[0038]一個(gè)或一個(gè)以上的通孔240對應(yīng)于導(dǎo)電墊160，自第一基底100的下表面100b朝上表面100a延伸，且貫穿第一基底100而露出鄰近于導(dǎo)電墊160的絕緣層140。
[0039]一絕緣層260設(shè)置于第一基底100的下表面100b，且延伸至通孔240的側(cè)壁及底部。在本實(shí)施例中，絕緣層260可包括環(huán)氧樹脂、無機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹脂、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。
[0040]一開口 280貫穿通孔240底部上的絕緣層260，且延伸至絕緣層140內(nèi)，以露出導(dǎo)電墊160的一部分。舉例來說，當(dāng)導(dǎo)電墊160為具有多層的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)時(shí)，開口