晶片封裝體及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其形成方法，該晶片封裝體包括：一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自該第一表面朝該第二表面延伸；一第二凹陷，自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸，其中該第一凹陷的一側(cè)壁及該底部與該第二凹陷的一第二側(cè)壁及一第二底部共同形成該半導(dǎo)體基底的一外側(cè)表面；一導(dǎo)線層，設(shè)置于該第一表面上，且延伸進(jìn)入該第一凹陷及/或該第二凹陷；一絕緣層，位于該導(dǎo)線層與該半導(dǎo)體基底之間；以及一金屬遮光層，設(shè)置于該第一表面上，且具有至少一孔洞，其中該至少一孔洞的形狀為一四邊形。本發(fā)明有助于晶片封裝體的縮小化，且可使晶片封裝體的可靠度提升。
【專利說明】晶片封裝體及其形成方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于晶片封裝體，且特別是有關(guān)于采用晶圓級封裝制程制作的晶片封裝體。

【背景技術(shù)】
[0002]晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。
[0003]由于電子產(chǎn)品縮小化的需求仍持續(xù)，如何于有限空間中設(shè)置更多的導(dǎo)電線路成為重要課題。此外，亦有避免外界光線影響晶片封裝體的運(yùn)作的需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種晶片封裝體,包括:一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自該第一表面朝該第二表面延伸；一第二凹陷，自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸，其中該第一凹陷的一側(cè)壁及該底部與該第二凹陷的一第二側(cè)壁及一第二底部共同形成該半導(dǎo)體基底的一外側(cè)表面；一導(dǎo)線層，設(shè)置于該第一表面上，且延伸進(jìn)入該第一凹陷及/或該第二凹陷；一絕緣層，位于該導(dǎo)線層與該半導(dǎo)體基底之間；以及一金屬遮光層，設(shè)置于該第一表面上，且具有至少一孔洞，其中該至少一孔洞的形狀為一四邊形。
[0005]本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括:一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自該第一表面朝該第二表面延伸；一第二凹陷，自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸，其中該第一凹陷的一側(cè)壁及該底部與該第二凹陷的一第二側(cè)壁及一第二底部共同形成該半導(dǎo)體基底的一外側(cè)表面；一導(dǎo)線層，設(shè)置于該第一表面上，且延伸進(jìn)入該第一凹陷及/或該第二凹陷；一絕緣層，位于該導(dǎo)線層與該半導(dǎo)體基底之間；以及一金屬遮光層，設(shè)置于該第一表面上，且具有至少一孔洞，其中該至少一孔洞的形狀為一三邊形、一五邊形、一六邊形或一七邊形。
[0006]本發(fā)明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括:提供至少一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面；自該第一表面移除部分的該半導(dǎo)體基底以于該半導(dǎo)體基底之中形成一第一凹陷及一第二凹陷，其中該第一凹陷朝該第二表面延伸，而該第二凹陷自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸；于該第一表面上形成一絕緣層，該絕緣層延伸進(jìn)入該第一凹陷及該第二凹陷；于該絕緣層上形成一導(dǎo)線層，該導(dǎo)線層延伸進(jìn)入該第一凹陷及/或該第二凹陷；于該絕緣層上形成一金屬遮光層，該具有至少一孔洞，其中該至少一孔洞的形狀為一四邊形；以及沿著該半導(dǎo)體基底的至少一預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成至少一晶片封裝體，其中在該切割制程之后，該第一凹陷的一側(cè)壁及該底部與該第二凹陷的一第二側(cè)壁及一第二底部共同形成該半導(dǎo)體基底的一外側(cè)表面。
[0007]本發(fā)明有助于晶片封裝體的縮小化，且可使晶片封裝體的可靠度提升。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A-1D顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0009]圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的俯視圖。
[0010]圖3顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0011]圖4A及4B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的局部俯視圖。
[0012]附圖中符號的簡單說明如下:
[0013]100?基底；100a、100b?表面；101?介電層；102?元件區(qū)；104a、104G?導(dǎo)電墊；116?絕緣層；117?金屬層；118?導(dǎo)線層；130a、130b?凹陷；204?焊線；260a、260b?金屬遮光層；262?孔洞；302?容器；304?蝕刻液；306?放置臺；SC?預(yù)定切割道。

【具體實(shí)施方式】
[0014]以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，本發(fā)明可能于許多實(shí)施例重復(fù)使用標(biāo)號及/或文字。此重復(fù)僅為了簡化與清楚化，不代表所討論的不同實(shí)施例之間必然有關(guān)聯(lián)。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。為了簡單與清楚化，許多結(jié)構(gòu)可能會繪成不同的尺寸。
[0015]本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝影像感測器晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electronic components),例如是有關(guān)于光電元件(optoelectronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級封裝(wafer scale package;WSP)制程對影像感測元件、發(fā)光二極管(light-emitting d1des; LEDs)、太陽能電池(solarcells)、射頻元件(RF circuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動器(micro actuators)、表面聲波兀件(surface acoustic wave devices)、壓力感測器(process sensors)噴墨頭(ink printer heads)、或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體模組(powerMOSFET modules)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。
[0016]其中上述晶圓級封裝制程主要是指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級封裝制程。另外，上述晶圓級封裝制程亦適用于通過堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。在一實(shí)施中，上述切割后的封裝體為一晶片尺寸封裝體(CSP;chip scale package)。晶片尺寸封裝體(CSP)的尺寸可僅略大于所封裝的晶片。例如，晶片尺寸封裝體的尺寸不大于所封裝晶片的尺寸的120%。
[0017]圖1A-1D顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。如圖1A所示，提供半導(dǎo)體基底100，其具有表面10a及表面100b。半導(dǎo)體基底100例如包括硅基底、硅鍺基底、砷化鎵基底、其他適合的半導(dǎo)體基底、或前述的組合。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底100為一半導(dǎo)體晶圓(例如，硅晶圓)。因此，可進(jìn)行晶圓級封裝制程以節(jié)省制作成本與制作時間。半導(dǎo)體基底100可定義有至少一預(yù)定切割道SC。在后續(xù)制程中，可沿著預(yù)定切割道SC切割半導(dǎo)體基底100以形成多個彼此分離的晶片封裝體。
[0018]半導(dǎo)體基底100中可形成有元件區(qū)102。元件區(qū)102中可形成有有源元件或無源元件、數(shù)字電路或模擬電路等集成電路的電子元件，例如是有關(guān)于光電元件、微機(jī)電系統(tǒng)、微流體系統(tǒng)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器。在一實(shí)施例中，元件區(qū)102中形成有影像感測元件?；蛘?，元件區(qū)102中可形成有發(fā)光二極管、太陽能電池、射頻元件、加速計(jì)、陀螺儀、微制動器、表面聲波元件、壓力感測器、噴墨頭、或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體模組。
[0019]半導(dǎo)體基底100的表面10a上可形成有介電層101。介電層101的材質(zhì)可包括(但不限于)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或前述的組合。介電層101中可形成有多個導(dǎo)電墊104a。每一導(dǎo)電墊104a可包括多個導(dǎo)電層的疊層。導(dǎo)電墊104a可通過介電層101中的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(未顯示)而與元件區(qū)102中的對應(yīng)的元件電性連接。換言之，導(dǎo)電墊104a電性連接元件區(qū)102，可用于輸入及/或輸出電性信號。在一實(shí)施例中，可移除部分的介電層101而使導(dǎo)電墊104a露出。
[0020]如圖1B所示，在一實(shí)施例中，可通過圖案化制程及/或切割制程移除部分的半導(dǎo)體基底100以形成多個凹陷。這些凹陷可自表面10a朝表面10b延伸，并彼此相連通。此夕卜，在后續(xù)沿著預(yù)定切割道SC進(jìn)行的切割制程之后，這些凹陷的側(cè)壁與底部可共同形成半導(dǎo)體基底100的外側(cè)表面。即，在切割制程之后，半導(dǎo)體基底100的部分的外側(cè)表面由這些凹陷的側(cè)壁與底部所共同形成。在圖1B的實(shí)施例中，以兩個凹陷130b及130a為例做說明。然應(yīng)注意的是，在其他實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底100可具有三個或三個以上的相連通凹陷，且在切割制程之后，這些凹陷的底部及側(cè)邊可共同形成半導(dǎo)體基底100的外側(cè)表面。
[0021]如圖1B所示，凹陷130b可自半導(dǎo)體基底100的表面10a朝表面10b延伸。凹陷130a可自凹陷130b的底部朝表面10b延伸。在后續(xù)沿著預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程之后，凹陷130b的側(cè)壁及底部與凹陷130a的側(cè)壁及底部可共同形成半導(dǎo)體基底100的外側(cè)表面。
[0022]接著，如圖1C所示，可于半導(dǎo)體基底100的表面10a上形成絕緣層116。絕緣層116可延伸進(jìn)入凹陷130b及凹陷130a。在一實(shí)施例中，絕緣層116可順應(yīng)性形成于凹陷130b及凹陷130a的側(cè)壁及底部上。在一實(shí)施例中，可采用化學(xué)氣相沉積制程、旋轉(zhuǎn)涂布制程、噴涂制程、熱氧化制程、氮化制程、其他適合制程、或前述的組合以形成絕緣層116。絕緣層116的材質(zhì)可包括(但不限于)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高分子材料、或前述的組合。絕緣層116可具有露出導(dǎo)電墊104a的開口。
[0023]接著，可于半導(dǎo)體基底100的表面10a上的絕緣層116上形成金屬層117。金屬層117的材質(zhì)可包括(但不限于)銅、鋁、金、鉬、鎳、錫、鈦、或前述的組合。在一實(shí)施例中，金屬層117可包括鋁銅層(其可例如具有1.2μπι的厚度)及晶種層。晶種層例如為鈦層或鈦鎢(TiW)層。金屬層117可延伸進(jìn)入凹陷130b及/或凹陷130a。例如，在一實(shí)施例中，金屬層117可延伸于凹陷130b的側(cè)壁與底部上，且更進(jìn)一步延伸于凹陷130a的側(cè)壁與底部上,如圖1C所示。
[0024]接著，如圖1D所示，將金屬層117圖案化以形成至少一導(dǎo)線層118。在一實(shí)施例中，導(dǎo)線層118可電性連接導(dǎo)電墊104a，且延伸于凹陷130b及/或凹陷130a之中。在一實(shí)施例中，多個導(dǎo)線層118可分別電性連接對應(yīng)的導(dǎo)電墊104a，并延伸于凹陷130a的底部上。
[0025]圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的俯視圖，其中相同或相似的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或相似的元件。圖1D可相應(yīng)于圖2中的切線a-b處的剖面圖。如圖2及圖1D所示，導(dǎo)線層118可通過絕緣層116及介電層101的開口而電性接觸所露出的導(dǎo)電墊104a。雖然圖2僅顯示出一導(dǎo)線層118，然更多的導(dǎo)線層118可形成于絕緣層116之上，且可分別電性連接對應(yīng)的導(dǎo)電墊104a，并延伸于凹陷130a的底部上。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底100可形成有其他不與凹陷130b及130a連通的其他凹陷，其中部分的導(dǎo)線層118亦可延伸進(jìn)入其他凹陷之中。換言之，在其他實(shí)施例中，不同的導(dǎo)線層可能延伸進(jìn)入不同的凹陷。
[0026]如圖2及圖1D所示，在一實(shí)施例中，可于半導(dǎo)體基底100的表面10a上的絕緣層116上形成金屬遮光層260a及/或金屬遮光層260b?；蛘?在其他實(shí)施例中，可形成更多的金屬遮光層。金屬遮光層260a及/或金屬遮光層260b可不電性接觸導(dǎo)線層118。在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a及/或金屬遮光層260b的位于表面10a上的投影可位于兀件區(qū)102在表面10a上的投影與導(dǎo)電墊104a在表面10a上的投影之間。金屬遮光層260a及/或金屬遮光層260b可用以阻擋部分的外界光線照射元件區(qū)102，以避免影響元件區(qū)102的運(yùn)作。在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a及/或金屬遮光層260b可選擇性通過絕緣層116及介電層101的開口而電性接觸介電層101中的接地導(dǎo)電墊104G。
[0027]如圖2所示，金屬遮光層260a或金屬遮光層260b的寬度通常較寬，因此容易具有較高的內(nèi)應(yīng)力而可能導(dǎo)致缺陷。在一實(shí)施例中，為了減輕金屬遮光層260a或金屬遮光層260b中的內(nèi)應(yīng)力，可于金屬遮光層260a或金屬遮光層260b中形成應(yīng)力釋放圖案(stressrelease pattern),其可例如為形成于金屬遮光層中的孔洞。
[0028]如圖2及圖1D所示，金屬遮光層260a或金屬遮光層260b可具有至少一孔洞262。在一實(shí)施例中，可通過圖案化制程移除部分的金屬遮光層260a或金屬遮光層260b以形成孔洞262?？锥?62例如可貫穿金屬遮光層260a。然本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在其他實(shí)施例中，孔洞262未完全貫穿金屬遮光層260a。
[0029]在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a可于形成導(dǎo)線層118之后，另以其他沉積制程及圖案化制程而形成于絕緣層116之上。或者，在其他實(shí)施例中，金屬遮光層260a可與導(dǎo)線層118同時形成。例如，在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a及導(dǎo)線層118可皆由圖案化金屬層117而形成。在此情形下,金屬遮光層260a的材質(zhì)可相同于導(dǎo)線層118的材質(zhì)。在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a的厚度可相同于導(dǎo)線層118的厚度。在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a、金屬遮光層260a中的孔洞262及導(dǎo)線層118是同時形成。
[0030]圖3顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或相似的元件。如圖3所示，可提供容器302，并于其中注入蝕刻液304。接著，可提供多個類似于圖1C所示的半導(dǎo)體基底100，并可于半導(dǎo)體基底100的表面形成具有所需圖案的光阻層。接著，可于平臺306設(shè)置多個半導(dǎo)體基底100，并浸泡于蝕刻液304之中以將金屬層107圖案化為多個導(dǎo)線層118及具有至少一孔洞262的至少一金屬遮光層260a。如此，可同時定義出多個半導(dǎo)體基底(或晶圓)上的導(dǎo)線層與金屬遮光層，可減少制程時間與成本。在一實(shí)施例中，可反復(fù)升起平臺306與放下平臺306。即，可對半導(dǎo)體基底100進(jìn)行反復(fù)地蝕刻液浸泡以完成金屬層117的圖案化。
[0031]在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a的孔洞262的形狀是設(shè)計(jì)為四邊形。因此，可較輕易地移除蝕刻液或蝕刻劑蝕刻金屬層117時所產(chǎn)生的氣泡，使金屬層117的圖案化可順利進(jìn)行。在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a中可形成有多個孔洞262，且孔洞262的尺寸或形狀可彼此不同，如圖2所示。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在其他實(shí)施例中，金屬遮光層260a的孔洞262的尺寸或形狀可大抵彼此相同。
[0032]例如，圖4A及4B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的局部俯視圖，其中相同或相似的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或相似的元件。如圖4A及4B所示，金屬遮光層260a的孔洞262的尺寸或形狀可大抵彼此相同，其可例如為長方形或具有至少一圓角的長方形。在其他實(shí)施例中，孔洞262的形狀可為其他四邊形，例如正方形、菱形、梯形、平行四邊形或其他四邊形，且可(但不限于)皆分別具有至少一圓角。在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a的孔洞262可大抵均勻分布于金屬遮光層260a之中。應(yīng)注意的是，本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在其他實(shí)施例中，金屬遮光層260a的孔洞262的形狀可為三邊形、五邊形、六邊形或七邊形。在一實(shí)施例中，金屬遮光層260a的孔洞262的形狀為非圓形且為邊數(shù)少于八邊的形狀。如此，可避免蝕刻金屬層117以形成孔洞262的過程中，蝕刻金屬層117所產(chǎn)生的氣泡附著于孔洞262而不易移除，影響孔洞262的形成。
[0033]接著，回到圖1D，在一實(shí)施例中，可選擇性形成焊線204。焊線204可電性接觸延伸進(jìn)入凹陷130b及/或凹陷130a中的導(dǎo)線層118。在一實(shí)施例中，焊線204可直接接觸這些凹陷中的最接近表面10b的最低凹陷(例如，凹陷130a)的底部正上方的導(dǎo)線層118。最低凹陷(例如，凹陷130a)的底部可大抵平行于表面100b。焊線204可用于使其他電子構(gòu)件(例如，印刷電路板)的電性信號通過導(dǎo)線層118而傳遞至晶片封裝體。接著，可沿著半導(dǎo)體基底100的預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成至少一晶片封裝體?；蛘撸谄渌麑?shí)施例中，可于形成焊線204之前，進(jìn)行半導(dǎo)體基底100的切割制程。
[0034]在本發(fā)明實(shí)施例中，通過堆疊晶片與將導(dǎo)線層導(dǎo)引至凹陷之中，可于有限空間之中，設(shè)置更多的導(dǎo)電線路，有助于晶片封裝體的縮小化。由于導(dǎo)線線路的傳遞距離減小，信號傳遞速度可獲提升。此外，由于焊線形成于凹陷之中，可受到凹陷的保護(hù)而使晶片封裝體的可靠度提升。由于焊線形成于凹陷之中，可使晶片封裝體的整體體積縮小。本發(fā)明實(shí)施例所形成的凹陷包括多個相連通的凹陷，可使導(dǎo)線層于更為緩和的輪廓上沉積，可提升導(dǎo)線層的可靠度。本發(fā)明實(shí)施例所形成的金屬遮光層可避免光線影響元件區(qū)的運(yùn)作，可提升效能。金屬遮光層的孔洞有助于釋放金屬遮光層中的應(yīng)力以增進(jìn)晶片封裝體的可靠度。通過金屬遮光層的孔洞的形狀設(shè)計(jì)，可使晶片封裝體的制作時間與制作成本顯著降低。
[0035]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面； 一第一凹陷，自該第一表面朝該第二表面延伸； 一第二凹陷，自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸，其中該第一凹陷的一側(cè)壁及該底部與該第二凹陷的一第二側(cè)壁及一第二底部共同形成該半導(dǎo)體基底的一外側(cè)表面；一導(dǎo)線層，設(shè)置于該第一表面上，且延伸進(jìn)入該第一凹陷及/或該第二凹陷； 一絕緣層，位于該導(dǎo)線層與該半導(dǎo)體基底之間；以及 一金屬遮光層，設(shè)置于該第一表面上，且具有至少一孔洞，其中該至少一孔洞的形狀為一四邊形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該四邊形具有至少一圓角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該四邊形為一長方形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一孔洞貫穿該金屬遮光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該金屬遮光層的材質(zhì)相同于該導(dǎo)線層的材質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該金屬遮光層的厚度相同于該導(dǎo)線層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一孔洞包括多個孔洞，且所述孔洞的尺寸或形狀彼此不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一孔洞包括多個孔洞，且所述孔洞的尺寸或形狀彼此大抵相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，所述孔洞大抵均勻分布于該金屬遮光層之中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括: 一介電層，位于該第一表面與該絕緣層之間； 一元件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中；以及 多個導(dǎo)電墊，位于該介電層之中，其中該導(dǎo)線層電性連接其中一所述導(dǎo)電墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該金屬遮光層在該第一表面上的一投影位于該兀件區(qū)在該第一表面上的一投影與所述導(dǎo)電墊在該第一表面上的投影之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該金屬遮光層電性連接該介電層中的一接地導(dǎo)電墊。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一焊線，該焊線電性接觸該第二凹陷的該第二底部正上方的該導(dǎo)線層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)線層不電性接觸該金屬遮光層。
15.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面； 一第一凹陷，自該第一表面朝該第二表面延伸； 一第二凹陷，自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸，其中該第一凹陷的一側(cè)壁及該底部與該第二凹陷的一第二側(cè)壁及一第二底部共同形成該半導(dǎo)體基底的一外側(cè)表面；一導(dǎo)線層，設(shè)置于該第一表面上，且延伸進(jìn)入該第一凹陷及/或該第二凹陷； 一絕緣層，位于該導(dǎo)線層與該半導(dǎo)體基底之間；以及 一金屬遮光層，設(shè)置于該第一表面上，且具有至少一孔洞，其中該至少一孔洞的形狀為一三邊形、一五邊形、一六邊形或一七邊形。
16.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括: 提供至少一半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底具有一第一表面及一第二表面； 自該第一表面移除部分的該半導(dǎo)體基底以于該半導(dǎo)體基底之中形成一第一凹陷及一第二凹陷，其中該第一凹陷朝該第二表面延伸，而該第二凹陷自該第一凹陷的一底部朝該第二表面延伸； 于該第一表面上形成一絕緣層，該絕緣層延伸進(jìn)入該第一凹陷及該第二凹陷； 于該絕緣層上形成一導(dǎo)線層，該導(dǎo)線層延伸進(jìn)入該第一凹陷及/或該第二凹陷； 于該絕緣層上形成一金屬遮光層，該金屬遮光層具有至少一孔洞，其中該至少一孔洞的形狀為一四邊形；以及 沿著該半導(dǎo)體基底的至少一預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成至少一晶片封裝體，其中在該切割制程之后 ，該第一凹陷的一側(cè)壁及該底部與該第二凹陷的一第二側(cè)壁及一第二底部共同形成該半導(dǎo)體基底的一外側(cè)表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該金屬遮光層與該導(dǎo)線層是同時形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該金屬遮光層與該導(dǎo)線層的形成步驟包括: 于該絕緣層上形成一金屬層；以及 將該金屬層圖案化以形成出該金屬遮光層及該導(dǎo)線層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，提供該至少一半導(dǎo)體基底的步驟包括提供多個半導(dǎo)體基底，且將該金屬層圖案化以形成出該金屬遮光層及該導(dǎo)線層的步驟包括: 提供一容器； 于該容器中注入一蝕刻液；以及 將所述半導(dǎo)體基底放置于該蝕刻液之中蝕刻移除部分的該金屬層以形成該金屬遮光層及該導(dǎo)線層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該金屬遮光層、該金屬遮光層的該至少一孔洞及該導(dǎo)線層是同時形成。
【文檔編號】H01L23/31GK104051359SQ201410080425
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月14日
【發(fā)明者】林義閔, 張義民, 張恕銘, 何彥仕, 劉滄宇, 鄭家明 申請人:精材科技股份有限公司