而重布線層300自導(dǎo)電墊160及通孔240下方橫向延伸至絕緣層260下方。為清楚表示，此處以虛線繪示出重布線層300的輪廓。多個(gè)開(kāi)口 400形成于絕緣層260內(nèi)，以露出對(duì)應(yīng)的重布線層300。可以理解的是，圖2所示的部件的數(shù)量、形狀及位置取決于設(shè)計(jì)需求而不限定于此。
[0074]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1H，沿著相鄰晶片區(qū)120之間的切割道(未繪示)，對(duì)絕緣層260及第二基底320進(jìn)行切割制程，以形成多個(gè)獨(dú)立的晶片封裝體。
[0075]接著，可通過(guò)一粘著層(未繪示)，將一外部元件420貼附于獨(dú)立的晶片封裝體中的第二基底320上。在本實(shí)施例中，外部元件420可為電路板、晶片或中介層。
[0076]接著，可通過(guò)打線接合(Wire Bonding)制程，將一個(gè)或一個(gè)以上的外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440形成于對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 400內(nèi)，以通過(guò)露出的重布線層300電性連接至對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電墊160，并將外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440延伸至外部元件420上，以將導(dǎo)電墊160與外部元件420電性連接。在其他實(shí)施例中，外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440可設(shè)置于絕緣層140的開(kāi)口 180內(nèi)，而電性連接至對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電墊160?？梢岳斫獾氖牵獠繉?dǎo)電結(jié)構(gòu)440的實(shí)際數(shù)量及位置取決于設(shè)計(jì)需求。雖然未繪示于圖式中，可選擇性將一個(gè)以上的外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440分別設(shè)置于開(kāi)口 400及開(kāi)口 180內(nèi)。在一實(shí)施例中，外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440可由開(kāi)口 400內(nèi)的接合球及自接合球延伸至外部元件420的接線所構(gòu)成。再者，外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440可包括金或其他適合的導(dǎo)電材料。
[0077]在一實(shí)施例中，外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440的最高部分低于第一基底100的上表面100a。在其他實(shí)施例中，外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440的最高部分可突出于第一基底100的上表面100a。
[0078]接著，可通過(guò)模塑成型(molding)制程或沉積制程(例如，涂布制程、物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程或其他適合的制程)，在外部元件420及獨(dú)立的晶片封裝體上形成選擇性的封裝層460，其可覆蓋外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)440及一部分的第一基底100，或可還延伸至第一基底100上表面100a上，以于感測(cè)區(qū)或元件區(qū)110上方形成一扁平化接觸表面。此處僅繪示出封裝層460于感測(cè)區(qū)或元件區(qū)110上方形成扁平化接觸表面的實(shí)施例作為范例說(shuō)明。在本實(shí)施例中，封裝層460可由形塑材料或密封材料所構(gòu)成。
[0079]根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，由于在晶片內(nèi)形成電性連接至導(dǎo)電墊的硅通孔電極，且將硅通孔電極中的重布線層自晶片的非有源面橫向延伸至突出于晶片的側(cè)壁，因此晶片的外部電性連接路徑自晶片的內(nèi)部經(jīng)由晶片的非有源面而延伸至晶片的外側(cè)，進(jìn)而能夠避免由于在有源面上沉積過(guò)多膜層造成感測(cè)敏感度降低的問(wèn)題。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)晶片封裝體內(nèi)具有感光元件時(shí)，本發(fā)明的上述實(shí)施例能夠增加感測(cè)區(qū)或元件區(qū)的光線穿透率，進(jìn)而提升晶片封裝體的感測(cè)敏感度。
[0080]再者，由于本發(fā)明實(shí)施例的重布線層橫向突出于晶片的側(cè)壁，因此用以將晶片與外部元件彼此電性連接的外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，打線)可形成于晶片的外側(cè)，而非晶片的有源面上，使得晶片封裝體的尺寸能夠進(jìn)一步縮小。
[0081]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一第一基底，具有一上表面、一下表面及一側(cè)壁，其中一感測(cè)區(qū)或元件區(qū)及一導(dǎo)電墊鄰近于該上表面； 一通孔，貫穿該第一基底；以及 一重布線層，自該下表面延伸至該通孔內(nèi)，且與該導(dǎo)電墊電性連接，其中該重布線層還自該下表面橫向延伸而突出于該第一基底的該側(cè)壁。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該重布線層還延伸突出于該上表面，以電性連接至該導(dǎo)電墊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一絕緣層，該絕緣層設(shè)置于該第一基底與該重布線層之間，其中該絕緣層自該下表面橫向延伸而突出于該側(cè)壁，且該絕緣層具有一開(kāi)口，該開(kāi)口露出突出于該側(cè)壁的該重布線層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于該開(kāi)口內(nèi)，且電性連接至突出于該側(cè)壁的該重布線層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一絕緣層，其中該導(dǎo)電墊位于該絕緣層內(nèi)，且該絕緣層自該上表面橫向延伸而突出于該側(cè)壁。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二基底，其中通過(guò)一接合層將該第一基底的該下表面設(shè)置于該第二基底上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該接合層填入該通孔。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二基底內(nèi)包括特定應(yīng)用集成電路或信號(hào)處理器。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該感測(cè)區(qū)或元件區(qū)內(nèi)包括影像感測(cè)元件、生物特征感測(cè)元件或環(huán)境特征感測(cè)元件。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一側(cè)邊凹陷，其中該側(cè)邊凹陷的一側(cè)壁構(gòu)成該第一基底的該側(cè)壁，且該側(cè)邊凹陷沿著該第一基底的一側(cè)邊的至少一部分長(zhǎng)度橫向延伸。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該側(cè)邊凹陷沿著該側(cè)邊的全部長(zhǎng)度橫向延伸。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，該側(cè)邊凹陷還延伸至與該側(cè)邊相鄰的至少一另一側(cè)邊的至少一部分長(zhǎng)度。13.—種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括: 提供一第一基底，該第一基底具有一上表面、一下表面及一側(cè)壁，其中一感測(cè)區(qū)或元件區(qū)及一導(dǎo)電墊鄰近于該上表面； 形成一通孔，該通孔貫穿該第一基底；以及 形成一重布線層，該重布線層自該下表面延伸至該通孔內(nèi)，且與該導(dǎo)電墊電性連接，其中該重布線層還自該下表面橫向延伸而突出于該第一基底的該側(cè)壁。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該重布線層還延伸突出于該上表面，以電性連接至該導(dǎo)電墊。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該第一基底與該重布線層之間形成一絕緣層，其中該絕緣層自該下表面橫向延伸而突出于該側(cè)壁，且該絕緣層具有一開(kāi)口，該開(kāi)口露出突出于該側(cè)壁的該重布線層。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該開(kāi)口內(nèi)形成一外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至突出于該側(cè)壁的該重布線層。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電墊位于一絕緣層內(nèi)，且該絕緣層自該上表面橫向延伸而突出于該側(cè)壁。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括通過(guò)一接合層，將該第一基底的該下表面設(shè)置于一第二基底上。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該接合層填入該通孔。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二基底內(nèi)包括特定應(yīng)用集成電路或信號(hào)處理器。21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該感測(cè)區(qū)或元件區(qū)內(nèi)包括影像感測(cè)元件、生物特征感測(cè)元件或環(huán)境特征感測(cè)元件。22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括形成一側(cè)邊凹陷，其中該側(cè)邊凹陷的一側(cè)壁構(gòu)成該第一基底的該側(cè)壁，且該側(cè)邊凹陷沿著該第一基底的一側(cè)邊的至少一部分長(zhǎng)度橫向延伸。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該側(cè)邊凹陷沿著該側(cè)邊的全部長(zhǎng)度橫向延伸。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該側(cè)邊凹陷還延伸至與該側(cè)邊相鄰的至少一另一側(cè)邊的至少一部分長(zhǎng)度。
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種晶片封裝體及其制造方法，該晶片封裝體包括：一第一基底，具有一上表面、一下表面及一側(cè)壁，其中一感測(cè)區(qū)或元件區(qū)及一導(dǎo)電墊鄰近于上表面；一通孔，貫穿第一基底；以及一重布線層，自下表面延伸至通孔內(nèi)，且與導(dǎo)電墊電性連接，其中重布線層還自下表面橫向延伸而突出于第一基底的側(cè)壁。本發(fā)明不僅能夠提升晶片封裝體的感測(cè)敏感度，還可縮小晶片封裝體的尺寸。
【IPC分類】H01L31/18, H01L31/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105489659
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510641258
【發(fā)明人】黃玉龍
【申請(qǐng)人】精材科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年9月30日
【公告號(hào)】US20160099195