本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝體及一種晶片封裝體的制造方法。

背景技術(shù)：

當(dāng)制作晶片封裝體時(shí)，通常會(huì)將玻璃片覆蓋于晶片的表面，用以保護(hù)晶片的感測(cè)區(qū)。在現(xiàn)有具有玻璃片的晶片封裝體中，以間隔元件(dam)設(shè)置在晶片與玻璃片之間，因此間隔元件的厚度等同玻璃片與晶片之間的距離。也就是說，間隔元件的厚度越大時(shí)，玻璃片與晶片之間的間隙也會(huì)越大。現(xiàn)有間隔元件的材料為環(huán)氧樹脂(epoxy)，受限于制程能力，間隔元件的厚度難以降低。當(dāng)影像感測(cè)區(qū)接收影像時(shí)，易產(chǎn)生眩光的問題(flare issue)。

在制作晶片封裝體的制程中，若晶圓的厚度較薄時(shí)，將會(huì)受限于制程能力而使晶圓移動(dòng)的難度增加，且因晶圓的強(qiáng)度不足，易受外力而破裂。此外，厚度較薄的晶圓易在制程中產(chǎn)生翹曲的問題(warpage issue)，且晶圓上的感測(cè)區(qū)也易于制程中受到污染，使良率難以提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種晶片封裝體。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種晶片封裝體包含晶片、粘膠層與支撐件。晶片具有感測(cè)區(qū)、相對(duì)的第一表面與第二表面。感測(cè)區(qū)位于第一表面上。粘膠層覆蓋晶片的第一表面。支撐件位于粘膠層上且圍繞感測(cè)區(qū)。支撐件的厚度介于20μm至750μm，且支撐件圍繞感測(cè)區(qū)的壁面為粗糙面。

本發(fā)明的另一技術(shù)態(tài)樣為一種晶片封裝體的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種晶片封裝體的制造方法包含下列步驟。研 磨載體。圖案化載體，使載體具有凹槽，其中凹槽由載體的槽底與支撐件定義，且支撐件圍繞槽底。使用粘膠層將載體貼附于晶圓的第一表面上，且凹槽位于粘膠層與槽底之間。研磨槽底，使槽底的厚度介于10μm至250μm。同步撞擊與吸附槽底，使槽底脫離支撐件，并使支撐件原本連接槽底的壁面形成粗糙面。切割晶圓與支撐件，以形成晶片封裝體。

在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，由于晶片封裝體的支撐件是經(jīng)圖案化載體及研磨槽底后，撞擊減薄后的槽底而產(chǎn)生，因此支撐件原本連接槽底的壁面會(huì)形成粗糙面，使得支撐件圍繞感測(cè)區(qū)的壁面為粗糙面。本發(fā)明的晶片封裝體及其制造方法可有效控制支撐件的厚度，避免支撐件過厚而造成感測(cè)區(qū)在感測(cè)時(shí)產(chǎn)生花瓣形眩光缺陷(petal flare defect)影像。此外，在制作晶片封裝體時(shí)，因晶圓的第一表面通過粘膠層貼附載體，因此即使厚度薄的晶圓也不會(huì)受限于制程能力而難以移動(dòng)，且不易產(chǎn)生翹曲的問題。另外，晶片封裝體的制造方法在撞擊槽底前，都有載體設(shè)置在晶圓上，使得晶片的感測(cè)區(qū)不易于制程中受到污染，進(jìn)而提升產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝體的俯視圖。

圖2繪示圖1的晶片封裝體沿線段2-2的剖面圖。

圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝體的制造方法的流程圖。

圖4繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的載體的剖面圖。

圖5繪示圖4的載體研磨且圖案化后的剖面圖。

圖6繪示圖5的載體貼附于晶圓后的剖面圖。

圖7繪示圖6的晶圓形成通孔與重布線層后的剖面圖。

圖8繪示圖7的結(jié)構(gòu)形成阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)并貼附于保護(hù)膠帶后的剖面圖。

圖9繪示圖8的槽底研磨后的剖面圖。

圖10繪示圖9的槽底被撞擊與吸附后的示意圖。

圖11繪示圖10去除槽底的結(jié)構(gòu)貼附于切割膠帶且移除保護(hù)膠帶后的剖面圖。

其中，附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下：

100：晶片封裝體

110：晶片

110a：晶圓

111：感測(cè)區(qū)

112：第一表面

114：第二表面

117：通孔

120：粘膠層

130：支撐件

130a：載體

131：凹槽

132：槽底

133：壁面

150：重布線層

160：阻隔層

162：開口

170：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)

202：撞擊裝置

204：噴嘴頭

206：泵

220：保護(hù)膠帶

230：切割膠帶

2-2：線段

D1、D2：方向

H1、H2：厚度

L-L：線段

S1～S6：步驟。

具體實(shí)施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示。

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝體100的俯視圖。圖2繪示圖1的晶片封裝體100沿線段2-2的剖面圖。同時(shí)參閱圖1與圖2，晶片封裝體100包含晶片110、粘膠層120與支撐件130。其中，晶片110具有感測(cè)區(qū)111、相對(duì)的第一表面112與第二表面114。感測(cè)區(qū)111位于第一表面112上。粘膠層120覆蓋晶片110的第一表面112。支撐件130位于粘膠層120上且圍繞感測(cè)區(qū)111。支撐件130的厚度H1介于20μm至750μm，且支撐件130圍繞感測(cè)區(qū)111的壁面133為粗糙面。

晶片110為半導(dǎo)體晶圓經(jīng)切割制程而產(chǎn)生。在本實(shí)施方式中，支撐件130的材質(zhì)與晶片110的材質(zhì)相同，均包含硅。支撐件130可采用研磨、圖案化與撞擊另一晶圓的方式產(chǎn)生(將于后述)，使得支撐件130的壁面133因撞擊而呈粗糙面，并使支撐件130的厚度H1得以降低至20μm。本發(fā)明的晶片封裝體100 可有效控制支撐件130的厚度H1，避免支撐件130過厚而造成感測(cè)區(qū)111在感測(cè)時(shí)產(chǎn)生花瓣形眩光缺陷(petal flare defect)影像。

在本實(shí)施方式中，晶片110具有位在第一表面112與第二表面114間的通孔117。晶片封裝體100還包含重布線層150、阻隔層160與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170。重布線層150位于晶片110的通孔117中，且重布線層150延伸至第二表面114。阻隔層160位于重布線層150與晶片110的第二表面114上，且阻隔層160具有開口162使部分的重布線層150裸露。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170位于阻隔層160開口162中的重布線層150上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170凸出阻隔層160，用以電性連接電路板。

重布線層150的材質(zhì)可以包含鋁。阻隔層160的材質(zhì)可以包含環(huán)氧樹脂(epoxy)，例如防焊綠漆。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170可以為球柵陣列(Ball Grid Array；BGA)的錫球(Solder Ball)或?qū)щ娡箟K，其形狀與材質(zhì)并不用以限制本發(fā)明。支撐件130的材質(zhì)除了可包含硅，其他如玻璃、氮化鋁、膠帶或藍(lán)寶石等材料也可作為支撐件130的材質(zhì)。

應(yīng)了解到，已敘述過的元件材料與元件連接關(guān)系將不再重復(fù)贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明圖2晶片封裝體100的制造方法。

圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶片封裝體的制造方法的流程圖。晶片封裝體的制造方法包含下列步驟。在步驟S1中，研磨載體。接著在步驟S2中，圖案化載體，使載體具有凹槽，其中凹槽由載體的槽底與支撐件定義，且支撐件圍繞槽底。之后在步驟S3中，使用粘膠層將載體貼附于晶圓的第一表面上，且凹槽位于粘膠層與槽底之間。接著在步驟S4中，研磨槽底，使槽底的厚度介于10μm至250μm。之后在步驟S5中，同步撞擊與吸附槽底，使槽底脫離支撐件，并使支撐件原本連接槽底的壁面形成粗糙面。最后在步驟S6中，切割晶圓與支撐件，以形成晶片封裝體。在以下敘述中，將詳細(xì)說明上述各步驟。

圖4繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的載體130a的剖面圖。圖5繪示圖4的載 體130a研磨且圖案化后的剖面圖。同時(shí)參閱圖4與圖5，載體130a可以為硅晶圓。首先，研磨載體130a。接著，圖案化載體130a，使研磨后的載體130a具有凹槽131。凹槽131由載體130a的槽底132與支撐件130定義，且支撐件130圍繞槽底132?！皥D案化”可意指經(jīng)曝光、顯影與蝕刻制程的光微影技術(shù)。

圖6繪示圖5的載體130a貼附于晶圓110a后的剖面圖。晶圓110a意指經(jīng)切割制程后可形成圖1的晶片110的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。同時(shí)參閱圖5與圖6，載體130a可利用粘膠層120貼附于晶圓110a的第一表面112上，使凹槽131位于粘膠層120與槽底132之間。凹槽131的位置對(duì)應(yīng)晶圓110a感測(cè)區(qū)111的位置。待載體130a貼附于晶圓110a的第一表面112后，可研磨晶圓110a背對(duì)第一表面112的第二表面114，使晶圓110a的厚度減小。載體130a可提供研磨后的晶圓110a支撐力。

圖7繪示圖6的晶圓110a形成通孔117與重布線層150后的剖面圖。圖8繪示圖7的結(jié)構(gòu)形成阻隔層160與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170并貼附于保護(hù)膠帶220后的剖面圖。同時(shí)參閱圖7與圖8，待研磨晶圓110a后，可于晶圓110a的第二表面114形成通孔117。接著，可形成圖案化的重布線層150于通孔117中與第二表面114上。待圖案化的重布線層150形成后，可于重布線層150與晶圓110a的第二表面114上形成阻隔層160。接著，圖案化阻隔層160，使阻隔層160具有開口162，使部分的重布線層150從開口162裸露。之后，便可于開口162中的重布線層150上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170。

待導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170形成后，可將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170貼附于保護(hù)膠帶220上，以保護(hù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170。

圖9繪示圖8的槽底132研磨后的剖面圖。同時(shí)參閱圖8與圖9，待導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170貼附于保護(hù)膠帶220后，可研磨載體130a的槽底132，使槽底132的厚度H2介于10μm至250μm。

圖10繪示圖9的槽底132被撞擊與吸附后的示意圖。同時(shí)參閱圖9與圖10， 待載體130a的槽底132研磨后，位于凹槽131上方的槽底132其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度將會(huì)降低。接著，可同步撞擊與吸附槽底132，使槽底132脫離支撐件130，并使支撐件130原本連接槽底132的壁面133形成粗糙面。也就是說，此粗糙面為槽底132從支撐件130斷開而產(chǎn)生。在本實(shí)施方式中，使用撞擊裝置202來撞擊與吸附槽底132。撞擊裝置202具有噴嘴頭204與泵206，且噴嘴頭204連接泵206。當(dāng)噴嘴頭204以方向D1撞擊槽底132時(shí)，泵206同步抽氣，使噴嘴頭204吸附從支撐件130脫離的槽底132。此時(shí)，噴嘴頭204能以方向D2移動(dòng)，將槽底132移除，如圖10所示。噴嘴頭204的尺寸與形狀并不用以限制本發(fā)明，依凹槽131上方的槽底132面積與厚度而定。

圖11繪示圖10去除槽底132的結(jié)構(gòu)貼附于切割膠帶230且移除保護(hù)膠帶220后的剖面圖。同時(shí)參閱圖10與圖11，在執(zhí)行切割制程前，可將支撐件130貼附于切割膠帶230上，接著移除貼附在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)170上的保護(hù)膠帶220。在圖11的狀態(tài)下，便可沿線段L-L切割晶圓110a與支撐件130，以形成圖2的晶片封裝體100。

更具體地說，當(dāng)切割晶圓110a與支撐件130時(shí)，在切割膠帶230上切割晶圓110a與支撐件130。待切割晶圓110a與支撐件130后，便可從切割膠帶230上取下晶圓110a與支撐件130切割后所形成的晶片封裝體100，如圖2所示。

同時(shí)參閱圖2與圖9，由于晶片封裝體100的支撐件130是經(jīng)圖案化載體130a及研磨槽底132后，撞擊減薄后的槽底132而產(chǎn)生，因此支撐件130原本連接槽底132的壁面133會(huì)形成粗糙面，使得支撐件130圍繞感測(cè)區(qū)111的壁面133為粗糙面。本發(fā)明的晶片封裝體100的制造方法可有效控制支撐件130的厚度，避免支撐件130過厚而造成感測(cè)區(qū)111在感測(cè)時(shí)產(chǎn)生花瓣形眩光缺陷影像。此外，在制作晶片封裝體時(shí)，因晶圓110a的第一表面112通過粘膠層120貼附載體130a，因此即使厚度薄的晶圓110a也不會(huì)受限于制程能力而難以移動(dòng)，且不易產(chǎn)生翹曲的問題。另外，晶片封裝體100的制造方法在撞擊槽底 132前，都有載體130a設(shè)置在晶圓110a上，使得晶片110的感測(cè)區(qū)111不易于制程中受到污染，進(jìn)而提升產(chǎn)品良率。

以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。