技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種制備高平整度絕緣層上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，該方法首先分別在硅襯底和所需的半導(dǎo)體材料的表面生長絕緣層，對生長過絕緣層的兩個襯底進(jìn)行鍵合；其次通過光刻和刻蝕工藝在半導(dǎo)體材料層刻蝕出孔洞，直至絕緣層，并在刻蝕好的孔洞中填充高硬度物質(zhì)充當(dāng)阻擋層；最后對半導(dǎo)體材料層進(jìn)行研磨，直到研磨到阻擋層，得到高平整度絕緣層上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將阻擋層注入需要研磨的半導(dǎo)體表面，阻擋層會阻止研磨機(jī)對低于阻擋層的半導(dǎo)體材料的研磨，對研磨過程中SOI材料的厚度有一定的控制作用，從而得到高平整的SOI材料，有效解決了傳統(tǒng)SOI研磨工藝中表面傾斜和不平整的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：趙毅;鄭澤杰;張睿;玉虓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江大學(xué)
文檔號碼：201610612933
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.29
技術(shù)公布日：2016.12.21