本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種防止重?fù)诫s的硅襯底邊緣的離子析出的方法。

背景技術(shù)：

CMOS圖像傳感器(CIS，CMOS Image sensor)制程中，目前硅襯底均采用重?fù)诫s的基底(約0.01ohm阻值基底)，以便于提高硅襯底對金屬污染的捕獲能力以及對硅襯底的研磨速率，以便于優(yōu)化器件白點(diǎn)的狀況以及后段背照式圖像傳感器(BSI)工藝的加工制造。

目前業(yè)界12寸CIS為防止基底硼析出采用了背封低溫氧化物薄膜(LTO)的方法，包括：在硅襯底中進(jìn)行重?fù)诫s，然后，在硅襯底背面形成LTO薄膜，再在硅襯底表面形成外延層(EPI)。然而，在實(shí)際工藝過程中，在形成LTO薄膜之后的后續(xù)CIS工藝中，硅襯底中的重?fù)诫s的離子仍然會(huì)通過硅襯底邊緣擴(kuò)散出去，影響到后續(xù)其它工藝，例如，采用重硼摻雜硅襯底，在爐管熱工藝制程中，硼會(huì)通過硅襯底邊緣擴(kuò)散，從而影響到整個(gè)爐管內(nèi)環(huán)境的潔凈度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服以上問題，本發(fā)明旨在提供一種防止重?fù)诫s的硅襯底邊緣的離子析出的方法。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明防止重?fù)诫s的硅襯底邊緣的離子析出的方法,包括：

步驟01：提供一硅襯底，所述硅襯底為含有第一種離子的重?fù)诫s硅襯底；

步驟02：對硅襯底邊緣區(qū)域進(jìn)行第二種離子注入，以在硅襯底邊緣區(qū)域形成防止硅襯底邊緣的重?fù)诫s離子析出的阻擋結(jié)構(gòu)；其中，第一種離子和第二種離子不相同。

優(yōu)選地，在所述步驟01和所述步驟02之間還包括：在硅襯底背面沉積低溫氧化物薄膜。

優(yōu)選地，在所述步驟02中，在阻擋結(jié)構(gòu)形成之后，還在硅襯底背面沉積低溫氧化物薄膜。

優(yōu)選地，所述步驟02之后，還包括：在硅襯底正面進(jìn)行外延層生長。

優(yōu)選地，所述硅襯底邊緣區(qū)域?yàn)樗龉枰r底邊緣向外凸出的區(qū)域且不與低溫氧化物薄膜重疊。

優(yōu)選地，所述硅襯底邊緣區(qū)域?yàn)樗龉枰r底邊緣向外凸出的區(qū)域最外側(cè)向內(nèi)不大于3mm的區(qū)域。

優(yōu)選地，所述第二種離子注入時(shí)采用的注入元素包括N和/或O。

優(yōu)選地，所述第一種離子為硼，第二種離子為氮。

優(yōu)選地，所述第二種離子注入時(shí)采用的離子注入劑量為1E9-1E18/cm²。

優(yōu)選地，所述第二種離子注入時(shí)采用的離子注入能量為10KeV-16KeV。

本發(fā)明通過對硅襯底邊緣進(jìn)行離子注入，從而形成防止硅襯底邊緣重?fù)诫s離子析出的阻擋層，有效避免了硅襯底邊緣離子擴(kuò)散析出，確保了后續(xù)工藝質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的防止重?fù)诫s的硅襯底邊緣的離子析出的方法的流程示意圖

圖2-5為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的防止重?fù)诫s的硅襯底邊緣的等離子析出的方法的各制備步驟示意圖

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

以下結(jié)合附圖1-5和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實(shí)施例的目的。

請參閱圖1，本實(shí)施例的防止重?fù)诫s的硅襯底邊緣的離子析出的方法，包括：

步驟01：請參閱圖2，提供一硅襯底1，硅襯底1為含有第一種離子的重?fù)诫s硅襯底；

具體的，硅襯底1可以為單晶硅襯底、多晶硅襯底或非晶硅襯底。本實(shí)施例中，重?fù)诫s的硅襯底的形成可以但不限于采用含有第一種離子經(jīng)注入形成，可以采用硼(B)離子或者氟化硼(BF₂)進(jìn)行離子注入，在硅襯底中形成B離子重?fù)诫s。

步驟02：請參閱圖3，在硅襯底1背面沉積低溫氧化物薄膜2；

具體的，采用氣相沉積法來沉積低溫氧化物薄膜2；

步驟03：請參閱圖4，對硅襯底1邊緣區(qū)域進(jìn)行第二種離子注入，以在硅襯底1邊緣區(qū)域形成防止硅襯底1邊緣的重?fù)诫s離子析出的阻擋結(jié)構(gòu)3；其中，第一種離子和第二種離子不相同；

具體的，硅襯底1邊緣區(qū)域可以為硅襯底1邊緣向外凸出的區(qū)域且不與低溫氧化物薄膜2重疊，較佳的，硅襯底1邊緣區(qū)域?yàn)楣枰r底1邊緣向外凸出的區(qū)域最外側(cè)向內(nèi)不大于3mm的區(qū)域，較佳的，為硅襯底1邊緣向外凸出的區(qū)域最外側(cè)向內(nèi)1-2mm之內(nèi)的區(qū)域；第二種離子注入時(shí)可以采用的注入元素包括N和/或O。本實(shí)施例中，第二種離子為N。較佳的，第二種離子注入時(shí)采用的離子注入劑量為1E9-1E18/cm²。第二種離子注入時(shí)采用的離子注入能量為10KeV-16KeV。這里，第二種離子注入時(shí)可以從硅襯底邊緣區(qū)域正面和背面注入，也可以僅從硅襯底邊緣區(qū)域正面注入，也可以僅從硅襯底邊緣區(qū)域背面注入。

步驟04：請參閱圖5，在硅襯底1正面進(jìn)行外延層生長4。

需要說明的是，本發(fā)明的其它實(shí)施例中，還可以在第二種離子注入形成阻擋結(jié)構(gòu)之后，再在硅襯底背面沉積低溫氧化物薄膜。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。