1.一種防止重?fù)诫s的硅襯底邊緣的離子析出的方法，其特征在于，包括：
步驟01：提供一硅襯底，所述硅襯底為含有第一種離子的重?fù)诫s硅襯底；
步驟02：對硅襯底邊緣區(qū)域進行第二種離子注入，以在硅襯底邊緣區(qū)域形成防止硅襯底邊緣的重?fù)诫s離子析出的阻擋結(jié)構(gòu)；其中，第一種離子和第二種離子不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟01和所述步驟02之間還包括：在硅襯底背面沉積低溫氧化物薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟02中，在阻擋結(jié)構(gòu)形成之后，還在硅襯底背面沉積低溫氧化物薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟02之后，還包括：在硅襯底正面進行外延層生長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅襯底邊緣區(qū)域為所述硅襯底邊緣向外凸出的區(qū)域且不與低溫氧化物薄膜重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅襯底邊緣區(qū)域為所述硅襯底邊緣向外凸出的區(qū)域最外側(cè)向內(nèi)不大于3mm的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二種離子注入時采用的注入元素包括N和/或O。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一種離子為硼，第二種離子為氮。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二種離子注入時采用的離子注入劑量為1E9-1E18/cm2。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二種離子注入時采用的離子注入能量為10KeV-16KeV。