技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種防止重?fù)诫s的硅襯底邊緣的離子析出的方法，包括：提供一硅襯底，硅襯底為含有第一種離子的重?fù)诫s硅襯底；對硅襯底邊緣區(qū)域進(jìn)行第二種離子注入，以在硅襯底邊緣區(qū)域形成防止硅襯底邊緣的重?fù)诫s離子析出的阻擋層；其中，第一種離子和第二種離子不相同。本發(fā)明通過對硅襯底邊緣進(jìn)行離子注入，從而形成防止硅襯底邊緣重?fù)诫s離子析出的阻擋層，有效避免了硅襯底邊緣離子擴(kuò)散析出，確保了后續(xù)工藝質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：張召;王智;蘇俊銘;倪立華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號碼：201610703032
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.22
技術(shù)公布日：2016.12.21