技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于GOA電路的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和GOA電路。該用于GOA電路的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括：該薄膜晶體管的漏極或源極僅其中之一為LDD結(jié)構(gòu)，與該具有LDD結(jié)構(gòu)的漏極或源極相對應(yīng)的源極或漏極在該GOA電路中一直處于低位準(zhǔn)。該GOA電路包括第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管的漏極或源極僅其中之一為LDD結(jié)構(gòu)，與該具有LDD結(jié)構(gòu)的漏極或源極相對應(yīng)的源極或漏極在該GOA電路中一直處于低位準(zhǔn)。本發(fā)明用于GOA電路的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和GOA電路可提升開電流，并且兼顧減緩TFT元件劣化及低關(guān)電流特性，本發(fā)明可增加TFT元件在電路內(nèi)拉低電位的效率，或可降低TFT元件的設(shè)計(jì)尺寸。

技術(shù)研發(fā)人員：林建宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
文檔號碼：201610589464
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.22
技術(shù)公布日：2016.11.16