技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種石墨烯太赫茲探測器及其制備方法，該探測器由下至上包括硅襯底層、底部鈍化層、金屬反射層、微橋支撐層、石墨烯薄膜層和金屬圖形層，微橋支撐層跨接在金屬反射層兩側(cè)的底部鈍化層上，且微橋支撐層與底部鈍化層之間形成微橋空腔，金屬反射層位于微橋空腔內(nèi)；石墨烯薄膜層和金屬圖形層依次形成于微橋支撐層的頂面；微橋支撐層的側(cè)面依次形成有電極層和橋腿鈍化層，且電極層的一端電性連接石墨烯薄膜層，另一端連接底部鈍化層；其中，微橋空腔、微橋支撐層以及石墨烯薄膜層構(gòu)成復(fù)合介質(zhì)層，金屬反射層、復(fù)合介質(zhì)層和金屬圖形層共同構(gòu)成超材料結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)階段太赫茲探測器存在的對太赫茲輻射吸收率低和響應(yīng)低的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：王軍;牟文超;程金寶;茍君;蔣亞東
受保護的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號碼：201610575588
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.20
技術(shù)公布日：2016.11.16