1.一種微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于，所述微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器包括：微納光纖及超導(dǎo)納米線；其中，
所述超導(dǎo)納米線位于所述微納光纖表面，且所述超導(dǎo)納米線的長度方向與所述微納光纖的長度方向一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：所述微納光纖由單模光纖拉制而成，所述微納光纖的材料為SiO2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：所述微納光纖的形狀為圓柱形或圓錐形，所述微納光纖端面的直徑為0.1微米～3微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：所述超導(dǎo)納米線為直線或折線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：所述超導(dǎo)納米線的材料包括：NbN、Nb、TaN、MoSi、MoGe、NbTiN或WSi。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：所述超導(dǎo)納米線的長度為10微米～500微米，寬度為20納米～300納米，厚度為3納米～20納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：所述超導(dǎo)納米線的根數(shù)為1根～20根。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：所述超導(dǎo)納米線的根數(shù)為2根或多根時，兩個或多根所述超導(dǎo)納米線平行間隔分布于所述微納光纖的表面，且依次串接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：還包括襯底，所述襯底的折射率小于所述微納光纖的折射率；表面形成有所述超導(dǎo)納米線的所述微納光纖位于所述襯底的表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微納光纖表面制備的超導(dǎo)納米線單光子探測器，其特征在于：所述襯底的材料為MgF2。