技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種紫外發(fā)光二極管芯片，包括主要由襯底、n?AlGaN層、多量子阱層、p?AlGaN層、p?GaN層組成的外延層，p電極和n電極，其特征在于：所述p?AlGaN上的p?GaN層被部分刻蝕形成具有多個小島或者開孔的淺臺面；p?GaN淺臺面上設(shè)有金屬點，并與石墨烯形成局部歐姆接觸。相對于現(xiàn)在的技術(shù)，本發(fā)明所述的技術(shù)方案通過石墨烯作為擴散層，提高了電子的遷移，提高了電流分布的均勻性；通過金屬點接觸，降低接觸電阻，提高發(fā)光效率；通過刻蝕GaN層，減少紫外波段的吸收，提高整體紫外出光率。

技術(shù)研發(fā)人員：周玉剛;陳偉;張榮
受保護的技術(shù)使用者：南京大學(xué)
文檔號碼：201610545536
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.07
技術(shù)公布日：2016.11.16