1.一種紫外半導體發(fā)光芯片，包括主要由襯底、n-AlGaN層、多量子阱層、p-AlGaN層、p-GaN層組成的外延層，p電極和n電極，其特征在于：
所述p-AlGaN層上的p-GaN層被部分刻蝕形成具有多個小島或者開孔的淺臺面；
p-GaN淺臺面上設(shè)有金屬點，在金屬點上設(shè)有石墨烯層，形成局部歐姆接觸，構(gòu)成p電極或p電極的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外半導體發(fā)光芯片，其特征在于：所述芯片為正裝結(jié)構(gòu)、垂直或倒裝結(jié)構(gòu)，所述金屬點與石墨烯共同形成透明導電的p歐姆接觸電極，在其上還設(shè)有p焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外半導體發(fā)光芯片，其特征在于：所述芯片為垂直或者倒裝結(jié)構(gòu)，所述金屬點和石墨烯層上設(shè)置有反射層，共同構(gòu)成高反射p歐姆接觸電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外半導體發(fā)光芯片，其特征在于：所述石墨烯層為單層石墨烯或2-50層的多層石墨烯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外半導體發(fā)光芯片，其特征在于：所述金屬點直徑在1nm～109μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外半導體發(fā)光芯片，其特征在于：所述金屬點占空比在1％～50％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外半導體發(fā)光芯片，其特征在于：所述金屬點為隨機分布，或者金屬層為點陣分布，或者按照金屬層為網(wǎng)格狀分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外半導體發(fā)光芯片，其特征在于：所述金屬為Ag，Ni，或者Ni/Ag，或者Ni/Au。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紫外半導體發(fā)光芯片，其特征在于：所述反射層為Al，Ti/Al或者Ni/Al。
10.一種紫外半導體發(fā)光芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在襯底上依次生長AlN或AlGaN緩沖層、n-AlGaN層、多量子阱層、p-AlGaN層、p-GaN層組成的外延層；
通過蒸發(fā)或濺射方法在p-GaN上沉積金屬層，并通過退火的方法在p-GaN層上表面形成金屬點，或者用光刻方法形成金屬點陣或網(wǎng)格，然后以該金屬層上作為掩膜刻蝕p-GaN，得到權(quán)利要求1中所述的p-GaN淺臺面，開孔深度恰好至p-AlGaN層或略深；
將石墨烯層轉(zhuǎn)移到芯片表面并和金屬點接觸。