技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)器件結(jié)構(gòu)包括在襯底上方形成的鰭結(jié)構(gòu)和橫越在鰭結(jié)構(gòu)上方的柵極結(jié)構(gòu)。該柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極層，所述柵電極層包括鰭結(jié)構(gòu)之上的上部和鰭結(jié)構(gòu)之下的下部。該上部具有第一寬度的頂面，該下部具有第二寬度的底面，并且第一寬度大于第二寬度。

技術(shù)研發(fā)人員：陳建穎;張家瑋;廖家陽;楊柏峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610516949
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.01
技術(shù)公布日：2017.01.11