1.一種基板處理方法，其特征在于，所述方法包括：
預(yù)濕操作，將純水排放到基板的上表面；
處理操作，在所述預(yù)濕操作之后，通過將處理液供應(yīng)到所述基板的上表面以處理所述基板；
其中，所述方法進(jìn)一步包括：在所述處理操作之前，將靜電去除液排放到所述基板的下表面以去除靜電的靜電去除操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，在所述預(yù)濕操作之后，執(zhí)行所述靜電去除操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，同時(shí)執(zhí)行所述靜電去除操作和所述預(yù)濕操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，所述處理液為導(dǎo)電性液體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，所述處理液為氫氟酸(HF)溶液或包含氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)和水(H2O)的溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，所述靜電去除液為化學(xué)品。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其特征在于，所述靜電去除液為導(dǎo)電性液體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法，其特征在于，所述靜電去除液為氫氟酸(HF)溶液或包含氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)和水(H2O)的溶液。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法，其特征在于，所述處理液為化學(xué)品。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，所述方法進(jìn)一步包括：在所述處理操作之后，干燥所述基板的干燥操作。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，靜電從所述基板的上表面流經(jīng)所述基板的內(nèi)部，然后隨著在基板的下表面上流動(dòng)的所述靜電去除液被排放到所述基板的下側(cè)，以被去除。
12.一種基板處理設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：
支撐單元，所述支撐單元支撐基板；
注射單元，所述注射單元具有純水注射構(gòu)件和處理液注射構(gòu)件，所述純水注射構(gòu)件將純水排放到所述基板的上表面，所述處理液注射構(gòu)件將處理液供應(yīng)到所述基板的上表面；
背部噴嘴單元，所述背部噴嘴單元將靜電去除液注射到所述基板的下表面；以及
控制器，所述控制器控制所述注射單元和所述背部噴嘴單元；
其中，所述控制器將所述注射單元和所述背部噴嘴單元控制為：在所述純水注射構(gòu)件將所述純水排放到所述基板的上表面之后，使所述處理液注射構(gòu)件將處理液供應(yīng)到所述基板的上表面，并且，在供應(yīng)所述處理液之前，所述背部噴嘴單元將所述靜電去除液排放到所述基板的下表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述控制器將所述注射單元和所述背部噴嘴單元控制為：同時(shí)排放所述靜電去除液和所述純水。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述控制器將所述注射單元和所述背部噴嘴單元控制為：在排放所述純水之后，排放所述靜電去除液。
15.根據(jù)權(quán)利要求12-14任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述處理液為導(dǎo)電性液體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述處理液為氫氟酸(HF)溶液或包含氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)和水(H2O)的溶液。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述靜電去除液為化學(xué)品。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述靜電去除液為導(dǎo)電性液體。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述靜電去除液為氫氟酸(HF)溶液或包含氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)和水(H2O)的溶液。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述處理 液為化學(xué)品。
21.根據(jù)權(quán)利要求12-14任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備，其特征在于，所述注射單元進(jìn)一步包括：
氣體注射構(gòu)件，所述氣體注射構(gòu)件將干燥氣體供應(yīng)到所述基板的上表面；
其中，所述控制器將所述注射單元控制為：在所述注射單元將所述處理液供應(yīng)到所述基板之后，所述氣體注射構(gòu)件將氣體注射到所述基板的上表面。