技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種在有源裝置區(qū)中具有埋入介電區(qū)的雙極結(jié)晶體管。一種雙極結(jié)晶體管的裝置結(jié)構(gòu)及制造方法。形成溝槽隔離區(qū)沿側(cè)壁環(huán)繞有源裝置區(qū)。形成介電區(qū)從該有源裝置區(qū)的側(cè)壁橫向延伸進入該有源裝置區(qū)。該介電區(qū)位于該有源裝置區(qū)的頂面之下，使得該有源裝置區(qū)的一部分位于該頂面及該介電區(qū)之間。

技術(shù)研發(fā)人員：R·卡米洛卡斯蒂略;V·賈殷;M·H·哈提爾
受保護的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
文檔號碼：201610465839
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.23
技術(shù)公布日：2017.01.04