本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有薄膜電阻器的半導(dǎo)體元件及其制造方法。

背景技術(shù)：

一般而言，電子元件可簡單分為主動(dòng)元件與被動(dòng)元件。在電路中能夠執(zhí)行數(shù)據(jù)運(yùn)算、數(shù)據(jù)處理的元件被稱為主動(dòng)元件。而被動(dòng)元件則泛指沒有信號放大功能的元件，其可包括電阻(resister)、電容(capacitor)以及電感(inductor)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn)，各類電子元件皆朝向高速、高效能、且輕薄短小的趨勢發(fā)展，而在這趨勢之下，上述被動(dòng)元件的微型化，以薄膜電阻器(thinfilmresister，tfr)為例，將逐漸受到重視。然而，由于薄膜電阻的厚度過薄，現(xiàn)有的蝕刻制造工藝難以精準(zhǔn)控制接觸窗開口的深度，使得后續(xù)形成的接觸窗與薄膜電阻器之間的電連接不佳，其導(dǎo)致良率下降與不穩(wěn)定的電阻溫度系數(shù)(temperatureco-efficientofresistivity，tcr)。因此，如何在提升良率與保持電阻溫度系數(shù)的前提下，形成具有薄膜電阻器的半導(dǎo)體元件，將是未來重要的課題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種薄膜電阻器、半導(dǎo)體元件及其制造方法，具有薄膜電阻器的半導(dǎo)體元件及其制造方法，具有較低的電阻溫度系數(shù)，且可應(yīng)用在較廣泛的溫度范圍的電子產(chǎn)品。

本發(fā)明提供一種薄膜電阻器、半導(dǎo)體元件及其制造方法，具有薄膜電阻器的半導(dǎo)體元件及其制造方法，可在不增加制造工藝步驟與制造工藝成本的情況下，增加制造工藝廣域度(processwindow)并提升半導(dǎo)體元件的良率。

本發(fā)明提供一種具有薄膜電阻器的半導(dǎo)體元件，其包括具有第一區(qū)與第二區(qū)的基底。第二區(qū)配置有至少一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。第一區(qū)包括多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、第一介電層、電阻層、第二介電層以及多個(gè)接觸窗。第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于第一區(qū)的基底上。第一介電層覆蓋第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以電性隔離第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。電阻層位于第一介電層上。第二介電層位于電阻層上。接觸窗至少貫穿第二介電層，并分別與電阻層電連接。

本發(fā)明提供一種薄膜電阻器，其包括至少兩個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、介電層、電阻層以及至少兩個(gè)接觸窗。第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于基底上。第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有第一電阻值。介電層覆蓋第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以電性隔離第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。電阻層嵌入介電層中，且未與第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)接觸。電阻層具有第二電阻值，且第二電阻值與第一電阻值不同。接觸窗貫穿部分介電層與電阻層，以分別與第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)接觸。接觸窗之一藉由電阻層與接觸窗之另一電連接。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其步驟如下。提供具有第一區(qū)與第二區(qū)的基底。形成多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于第一區(qū)的基底上。形成第一介電層于第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上，以電性隔離第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。形成電阻層于第一介電層上。形成第二介電層于電阻層上。形成至少貫穿第二介電層的多個(gè)接觸窗，其中接觸窗分別與電阻層電連接。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。

圖1是依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。

圖2a至圖2g是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的制造流程的剖面示意圖。

圖3是依照本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。

圖4是依照本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。

符號說明：

10、20、30、40：半導(dǎo)體元件

100：基底

102：隔離結(jié)構(gòu)

104：第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

106：第一介電層

108：電阻材料層

108a、108b、208、308：電阻層

110：第二介電層

112a、112b、212a、212b、312a、312b：接觸窗開口

114a、114b、214a、214b、314a、314b：接觸窗

116a、116b、216a、216b、316a、316b：第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

202：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

204：金屬柵極結(jié)構(gòu)

204a：柵介電層

204b：柵導(dǎo)體層

206：間隙壁

207：源極/漏極區(qū)

210：介電層

r1：第一區(qū)

r2：第二區(qū)

具體實(shí)施方式

參照本實(shí)施例的圖式以更全面地闡述本發(fā)明。然而，本發(fā)明亦可以各種不同的形式體現(xiàn)，而不應(yīng)限于本文中所述的實(shí)施例。圖式中的層與區(qū)域的厚度會(huì)為了清楚起見而放大。相同或相似的參考號碼表示相同或相似的元件，以下段落將不再一一贅述。

圖1是依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。

請參照圖1，第一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件10包括具有第一區(qū)r1與第二區(qū)r2的基底100，其中隔離結(jié)構(gòu)102內(nèi)埋于第一區(qū)r1的基底100中。在一實(shí)施例中，第一區(qū)r1可例如是非主動(dòng)元件區(qū)，所述非主動(dòng)元件區(qū)包括被動(dòng)元件(例如是薄膜電阻器)設(shè)置區(qū)域；而第二區(qū)r2可例如是主動(dòng)元件區(qū)，所述主動(dòng)元件區(qū)包括晶體管設(shè)置區(qū)域?；?00可以是具有導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基底，例如n型或p型基底。半導(dǎo)體基底的材料例如是選自于由si、ge、sige、gap、gaas、sic、sigec、inas與inp所組成的群組中的至少一種材料?；?00也可以是非摻雜外延(non-epi)層、摻雜外延層、覆硅絕緣(soi)基底或其組合。隔離結(jié)構(gòu)102的材料可例如是摻雜或未摻雜的氧化硅、高密度等離子體氧化物、氮氧化硅或其組合。在一實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)102可例如是淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)(sti)、場氧化層(fox)或其組合。

詳細(xì)地說，第一區(qū)r1包括多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104、第一介電層106、電阻層108b、第二介電層110、多個(gè)接觸窗114a、114b以及多個(gè)第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)116a、116b。

第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104位于第一區(qū)r1的基底100上。第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104彼此分開配置而不互相連接。在一實(shí)施例中，第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的材料可例如是多晶硅。第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104具有第一電阻值，其介于至之間，其中，表示為單位面積。

第一介電層106覆蓋第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104，使得第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104彼此互相電性隔離。在一實(shí)施例中，第一介電層106的材料可例如是四乙氧基硅烷(tetraethosiloxane，teos)氧化硅、硼磷硅玻璃(bpsg)、磷硅玻璃(psg)、氫化硅倍半氧化物(hsq)、氟硅玻璃(fsg)、無摻雜硅玻璃(usg)、氮化硅、氮氧化硅、介電常數(shù)小于4的低介電材料或其組合。

電阻層108b位于第一介電層106上，且對應(yīng)覆蓋第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104。在本實(shí)施例中，電阻層108b可例如是薄膜電阻層，其材料可例如是鈦(ti)、氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、硅化鉻(crsi)、鎳鉻合金(nicr)或其組合。電阻層108b具有第二電阻值，其介于至之間。但本發(fā)明不以此為限，設(shè)計(jì)者可選用任意電阻值與較低的電阻溫度系數(shù)(tcr)的電阻層108b材料，使得本實(shí)施例的薄膜電阻器可應(yīng)用在較廣泛的溫度范圍(可例如介于-25℃至100℃之間或更廣的范圍)的電子產(chǎn)品，例如是電源供應(yīng)、可充電電池、電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、led驅(qū)動(dòng)器等。另外，在本實(shí)施例中，電阻層108b的厚度可介于至之間。但本發(fā)明不以此為限，在其他實(shí)施例中，設(shè)計(jì)者可藉由改變電阻層108b的厚度來調(diào)整薄膜電阻器的電阻值。

第二介電層110位于電阻層108b上。第二介電層110的材料可例如是硼磷硅玻璃(bpsg)、四乙氧基硅烷(teos)氧化硅、磷硅玻璃(psg)、氫化硅倍半氧化物(hsq)、氟硅玻璃(fsg)、無摻雜硅玻璃(usg)、氮化硅、氮氧化硅、介電常數(shù)小于4的低介電材料或其組合。在一實(shí)施例中，第二介電層110與第一介電層106的材料可以相同亦或不同，本發(fā)明不以此為限。

接觸窗114a、114b貫穿第二介電層110、電阻層108b以及部分第一介電層106，并分別與第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104接觸。值得注意的是，由于第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104彼此不連接，其電阻值大于電阻層108b的第二電阻值，因此，即便接觸窗114a、114b與第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104接觸，接觸窗114a仍會(huì)藉由電阻層108b與接觸窗114b電連接。在一實(shí)施例中，接觸窗114a、114b的材料可例如是鎢、鈦、鉭、鋁、銅或其合金。

第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)116a、116b位于第二介電層110上，以分別與接觸窗114a、114b電連接。在一實(shí)施例中，第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)116a、116b的材料可例如是鋁、銅或其合金。

另一方面，第二區(qū)r2配置有至少一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202。值得注意的是，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202的柵極結(jié)構(gòu)204可與第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104同時(shí)形成。因此，在一實(shí)施例中，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202的柵極結(jié)構(gòu)204與第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104可例如是在同一水平高度(thesamelevel)。在另一實(shí)施例中，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202的柵極結(jié)構(gòu)204的材料可與第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的材料相同。舉例來說，在一示范實(shí)施例中，可藉由在第二區(qū)r2中形成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202的柵極結(jié)構(gòu)204的步驟，同時(shí)在第一區(qū)r1中形成第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104，藉此簡化制造工藝步驟與成本。此時(shí)，所述柵極結(jié)構(gòu)204與第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的材料皆可例如是多晶硅。

在另一示范實(shí)施例中，可藉由在第二區(qū)r2中形成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202的虛擬柵極(dummygate)的步驟，同時(shí)在第一區(qū)r1中形成第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104，藉此簡化制造工藝步驟與成本。接著，可藉由置換性金屬柵極(replacementmetalgate，rmg)制造工藝將所述虛擬柵極置換成金屬柵極結(jié)構(gòu)204。因此，后續(xù)所形成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202可包括金屬柵極結(jié)構(gòu)204、間隙壁206以及源極/漏極區(qū)207(如圖1所示)。詳細(xì)地說，金屬柵極結(jié)構(gòu)204包括高介電常數(shù)材料所構(gòu)成的柵介電層204a與金屬材料所構(gòu)成的柵導(dǎo)體層204b。所謂高介電常數(shù)材料可視為介電常數(shù)大于4的材料，其包括金屬氧化物。所述金屬氧化物可選自由li、be、mg、ca、sr、sc、y、zr、hf、al、la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu所組成的群組的至少一者的氧化物。在一實(shí)施例中，柵導(dǎo)體層204b可例如單層結(jié)構(gòu)，其材料可例如鎢或鋁等的低電阻率的金屬材料。在另一實(shí)施例中，柵導(dǎo)體層204b可例如多層結(jié)構(gòu)(未繪示)，其包括功函數(shù)層、低阻抗金屬層或其組合。功函數(shù)層的材料可例如是tin、tac、tacno、tacn、tialx、tan或其組合。低阻抗金屬層的材料可例如是ti、tialx、富含ti的tin、al或其組合，其中x為任何可能的數(shù)值。

間隙壁206位于金屬柵極結(jié)構(gòu)204的兩側(cè)，其材料包括氧化硅、氮化硅或其組合。源極/漏極區(qū)207位于金屬柵極結(jié)構(gòu)204的兩側(cè)的基底100中。源極/漏極區(qū)207可例如是摻雜制造工藝或外延生長制造工藝或其他合適制造工藝所形成的區(qū)域。此外，第二區(qū)r2還包括介電層210覆蓋金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202。介電層210的材料可例如是四乙氧基硅烷(teos)氧化硅、硼磷硅玻璃(bpsg)、磷硅玻璃(psg)、氫化硅倍半氧化物(hsq)、氟硅玻璃(fsg)、無摻雜硅玻璃(usg)、氮化硅、氮氧化硅、介電常數(shù)小于4的低介電材料或其組合。在一實(shí)施例中，介電層210可例如是一層、兩層或多層結(jié)構(gòu)。舉例來說，當(dāng)介電層210為兩層結(jié)構(gòu)，其可與第一區(qū)r1中的第一介電層106以及第二介電層110同時(shí)形成。

由于第二區(qū)r2(例如是主動(dòng)元件區(qū))可配置不同種類的晶體管，且其制造流程為所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，于此便不再詳述。以下將詳細(xì)說明圖1的第一區(qū)r1(例如是非主動(dòng)元件區(qū))的制造流程。

圖2a至圖2g是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的制造流程的剖面示意圖。

請參照圖2a，首先，于基底100中形成隔離結(jié)構(gòu)102。接著，于基底100上形成多個(gè)第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104，其中隔離結(jié)構(gòu)102位于第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104與基底100之間?；?00、隔離結(jié)構(gòu)102以及第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的材料已于上述段落說明過，于此便不再贅述。值得注意的是，本實(shí)施例可利用形成圖1的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202的虛擬柵極(dummygate)的步驟，同時(shí)形成第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104，藉此簡化制造工藝步驟與成本。第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的形成方法是先形成第一導(dǎo)體材料層(未繪示)于基底100上。接著，圖案化第一導(dǎo)體材料層，以同時(shí)形成第一區(qū)r1的第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104與第二區(qū)r2的虛擬柵極(未繪示)。

之后，請參照圖2b，于第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104上形成第一介電層106。第一介電層106覆蓋第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的表面，以電性隔離相互分隔的第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104。第一介電層106的材料可例如是四乙氧基硅烷(teos)氧化硅，其形成方法可例如是化學(xué)氣相沉積法。

接著，請參照圖2c，于第一介電層106上形成電阻材料層108。電阻材料層108的材料可例如是鈦(ti)、氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、硅化鉻(crsi)、鎳鉻合金(nicr)或其組合，其形成方法可例如是物理氣相沉積法(可例如是濺鍍法)或化學(xué)氣相沉積法。

然后，請參照圖2d，圖案化電阻材料層108，以暴露部分第一介電層106的頂面，藉此形成電阻層108a。此圖案化步驟是用以定義薄膜電阻器的區(qū)域，其圖案化步驟可例如是光刻制造工藝與蝕刻制造工藝。

請參照圖2e，于基底100上形成第二介電層110。第二介電層110覆蓋部分第一介電層106的頂面以及電阻層108a的表面。第二介電層110的材料可例如是硼磷硅玻璃(bpsg)，其形成方法可例如是化學(xué)氣相沉積法或旋轉(zhuǎn)涂布玻璃法(sog)。

之后，請參照圖2f，于第二介電層110、電阻層108b以及部分第一介電層106中形成多個(gè)接觸窗開口112a、112b。接觸窗開口112a、112b暴露第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的頂面。在一實(shí)施例中，接觸窗開口112a、112b的形成方法包括非等向性蝕刻法，其可以是干式蝕刻，例如是反應(yīng)性離子蝕刻法(rie)。

請同時(shí)參照圖2f與圖2g，接觸窗開口112a、112b中形成接觸窗(或?qū)щ姴迦?114a、114b。在一實(shí)施利中，接觸窗(或?qū)щ姴迦?114a、114b包括以下步驟。于基底100上形成導(dǎo)電材料層(未繪示)，導(dǎo)電材料層填入接觸窗開口112a、112b中。之后，進(jìn)行平坦化制造工藝，移除多余的導(dǎo)電材料層，以暴露第二介電層110的頂面。在一實(shí)施例中，平坦化制造工藝可例如是化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)制造工藝、回蝕刻(etchback)制造工藝或其組合。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電材料層的材料可例如是鎢、鈦、鉭、鋁、銅或其合金，其形成方法可例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。

之后，于接觸窗114a、114b上形成第二導(dǎo)體結(jié)構(gòu)116a、116b。在一實(shí)施例中，接觸窗114a、114b的形成方法包括以下步驟。于基底100上形成第二導(dǎo)體材料層(未繪示)。然后，利用光刻與蝕刻制造工藝圖案化第二導(dǎo)體材料層。在一實(shí)施例中第二導(dǎo)體材料層的材料可例如是鋁、銅或其合金，其形成方法可例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。

值得注意的是，第二實(shí)施例的半導(dǎo)體元件20可利用第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104當(dāng)作形成接觸窗開口112a、112b時(shí)的蝕刻停止層(如圖2f所示)，因此，本發(fā)明可避免電阻層108a的厚度過薄，導(dǎo)致接觸窗開口無法精準(zhǔn)停在電阻層108a上，進(jìn)而可能損傷隔離結(jié)構(gòu)102或基底100表面的問題；又或者是，避免后續(xù)形成的接觸窗114a、114b與電阻層108b之間的電連接不佳的問題。因此，本發(fā)明的第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104可用以增加制造工藝廣域度并提升半導(dǎo)體元件的良率。另一方面，本發(fā)明可藉由在第二區(qū)r2中形成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的虛擬柵極的步驟，同時(shí)在第一區(qū)r1中形成第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104，藉此簡化制造工藝步驟與成本。

根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例與第四實(shí)施例，其針對接觸窗的深度不同來做說明。圖3是依照本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。圖4是依照本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。

請先參照圖3，第三實(shí)施例的半導(dǎo)體元件30與第二實(shí)施例的半導(dǎo)體元件20基本上相似，兩者差異之處在于：第三實(shí)施例的半導(dǎo)體元件30的接觸窗214a、214b僅貫穿第二介電層110，并分別與電阻層208接觸。接觸窗214a、214b的形成方法是先形成多個(gè)接觸窗開口212a、212b于第二介電層110中，以暴露電阻層208的頂面。接著，形成導(dǎo)電材料層(未繪示)于基底100上，并填入接觸窗開口212a、212b中。之后，進(jìn)行平坦化制造工藝，移除多余的導(dǎo)電材料層，以暴露第二介電層110的頂面。

請先參照圖4，第四實(shí)施例的半導(dǎo)體元件40與第二實(shí)施例的半導(dǎo)體元件20基本上相似，兩者差異之處在于：第四實(shí)施例的半導(dǎo)體元件40的接觸窗314a、314b僅貫穿第二介電層110與電阻層308，還有部分沿伸至第一介電層106中，并分別與電阻層308接觸。接觸窗314a、314b的形成方法是先形成多個(gè)接觸窗開口312a、312b于第二介電層110與電阻層308中，以暴露電阻層308的頂面。接著，形成導(dǎo)電材料層(未繪示)于基底100上，并填入接觸窗開口312a、312b中。之后，進(jìn)行平坦化制造工藝，移除多余的導(dǎo)電材料層，以暴露第二介電層110的頂面。雖然圖4中所繪示的接觸窗314a、314b的底面略低于電阻層308的底面，但本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，接觸窗314a、314b的底面與電阻層308的底面可實(shí)質(zhì)上共平面。

綜上所述，在一實(shí)施例中，可利用第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)當(dāng)作形成接觸窗開口的蝕刻停止層，其可避免由于電阻層的厚度過薄，而可能損傷其下方的隔離結(jié)構(gòu)或基底表面的問題。因此，本實(shí)施例的第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可用以增加制造工藝廣域度并提升半導(dǎo)體元件的良率。另外，在一實(shí)施例可藉由在第二區(qū)中形成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的虛擬柵極的步驟，同時(shí)在第一區(qū)中形成第一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，藉此簡化制造工藝步驟與成本。

此外，在一實(shí)施例的薄膜電阻器不僅可結(jié)合半導(dǎo)體制造工藝的薄膜、光刻以及蝕刻等方法來形成，還具有較低的電阻溫度系數(shù)(tcr)。換言之，在一實(shí)施例的薄膜電阻器可應(yīng)用在較廣泛的溫度范圍(可例如介于-25℃至100℃之間或更廣的范圍)的電子產(chǎn)品，例如是電源供應(yīng)、可充電電池、電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、led驅(qū)動(dòng)器等。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。