技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其包括：金屬載體層、第一熱擴散層、導(dǎo)熱粘附層以及半導(dǎo)體芯片。第一熱擴散層位于金屬載體層上；導(dǎo)熱粘附層位于熱擴散層上；半導(dǎo)體芯片位于導(dǎo)熱粘附層上；第一熱擴散層至少包括石墨烯層。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，由于第一熱擴散層含有石墨烯層，而石墨烯層的熱傳導(dǎo)具有異向性，增大了熱交換的面積，解決了由于芯片熱源導(dǎo)致的導(dǎo)熱粘附層散熱不均勻的問題，減小了芯片與金屬載體層間的熱阻，提高了芯片的熱導(dǎo)出效能。

技術(shù)研發(fā)人員：裴風(fēng)麗
受保護的技術(shù)使用者：蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼：201610301601
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.09
技術(shù)公布日：2017.06.30