技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及用于調(diào)節(jié)薄膜中的殘余應(yīng)力的方法。在半導體襯底上形成應(yīng)力減小的介電膜的方法，其包括通過沉積具有厚度tm和應(yīng)力水平sm的主要部分；以及沉積具有厚度tl和應(yīng)力水平sl的低應(yīng)力部分，其中sl<sm，從而沉積介電膜的第一應(yīng)力減小的雙層。雙層的特征可以在于整體的應(yīng)力水平stot<90％*(sm*tm+sl*tl)/(tm+tl)，在一些情況下，stot<sl。在一些情況下，stot<90％*sm，且對于每種單獨的元素成分，在每單位體積5mol％的差數(shù)內(nèi)，主要和低應(yīng)力部分可有基本相同的化學組成。主要和低應(yīng)力部分其特征可在于：相應(yīng)的漏電流Im和Il，相應(yīng)的擊穿電壓Vm和Vl，且雙層的特征可在于整體漏電流Itot和擊穿電壓Vtot使得stot<90％*sm，且Itot<90％*(Im*tm+Il*tl)/(tm+tl)或Vtot>110％*(Vm*tm+Vl*tl)/(tm+tl)或兩者。

技術(shù)研發(fā)人員：普魯肖塔姆·庫馬爾;康胡;錢俊;阿德里安·拉瓦伊
受保護的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
文檔號碼：201610300671
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.09
技術(shù)公布日：2016.11.30