技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種瞬變電壓抑制二極管的制備方法和瞬變電壓抑制二極管，上述制備方法包括：在N型襯底上形成P型外延層，以完成光電二極管的制備；在所述P型外延層上形成隔離槽，以每個所述隔離槽劃分所述光電二極管為兩個光電二極管單元；在所述光電二極管單元的P型外延層中，依次形成P型注入?yún)^(qū)域和N型注入?yún)^(qū)域，以形成與每個所述光電二極管串聯(lián)連接的齊納二極管；在形成所述齊納二極管的N型襯底上，形成正面金屬電極和背面金屬電極。通過本發(fā)明的技術(shù)方案，改善了半導(dǎo)體器件的反向特性，降低了電壓浪涌對集成電路的影響程度，減小了附加電容，同時提高了半導(dǎo)體器件的集成化和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：李理;趙圣哲;馬萬里
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.06
技術(shù)公布日：2017.11.14