技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述方法包括：提供包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的基底；在基底上形成層間介質(zhì)層；在第一區(qū)域的層間介質(zhì)層中形成露出基底的第一開口，在第二區(qū)域的層間介質(zhì)層中形成露出基底的第二開口；在第一開口底部和側(cè)壁以及第二開口底部和側(cè)壁上形成柵介質(zhì)層；在第二區(qū)域的柵介質(zhì)層上形成第二功函數(shù)層；將部分厚度的第二功函數(shù)層轉(zhuǎn)化為阻擋層；在第一區(qū)域的柵介質(zhì)層和第二區(qū)域的阻擋層上形成第一功函數(shù)層；形成填充第一開口和第二開口的金屬層。本發(fā)明將部分厚度的第二功函數(shù)層轉(zhuǎn)化為阻擋層，所述阻擋層可以避免第一功函數(shù)層中的金屬離子擴散進第二功函數(shù)層中，且未引入額外的膜層，從而避免對第二功函數(shù)層的性能造成不良影響。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.06
技術(shù)公布日：2017.11.14