技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭示了一種微電子結(jié)構(gòu)及其形成方法。該微電子結(jié)構(gòu)的形成方法，包括在一襯底上形成多個(gè)摻雜區(qū)域，并選擇性地在摻雜區(qū)域上形成一石墨烯層。此石墨烯層包括至少一層石墨烯結(jié)構(gòu)，且具有大于300meV的能隙。由此獲得的微電子結(jié)構(gòu)應(yīng)用高能隙的石墨烯材料，可提升其電子特性。

技術(shù)研發(fā)人員：肖德元;張汝京
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.05
技術(shù)公布日：2017.11.14