技術(shù)編號：12916851
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子制造領(lǐng)域，尤其涉及一種微電子結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)目前，在微電子制造領(lǐng)域愈來越重視石墨烯的應(yīng)用，以期將具有低電阻率及輕薄結(jié)構(gòu)的石墨烯應(yīng)用于其中，助于提升微電子組件的電子移動速度跟尺寸的微型化。現(xiàn)有技術(shù)中，應(yīng)用石墨烯制作微電子組件的發(fā)展非常迅速，已提出數(shù)種模型。首先請參考圖1所示的結(jié)構(gòu)示意圖，金氧半場效晶體管(MOSFET)1是將制作于硅襯底120上的石墨烯層140作為連結(jié)在源極160與漏極150之間的溝道層，以二氧化硅層130作為絕緣層，藉由后柵極110控制溝道層內(nèi)的電子流通...
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