技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開一種半導體元件及其制作方法。其中半導體元件包含：一基底，一柵極結構設于基底上，以及一間隙壁設于柵極結構旁，其中間隙壁延伸至柵極結構上表面，間隙壁上表面包含一平坦表面，間隙壁包圍住一氣孔且間隙壁由單一材料所構成。柵極結構較佳包含一高介電常數介電層、一功函數金屬層以及一低阻抗金屬層，其中高介電常數介電層為U型。此外半導體元件另包含一層間介電層環(huán)繞柵極結構以及一硬掩模設于間隙壁上，其中硬掩模上表面切齊層間介電層上表面。

技術研發(fā)人員：張競予;傅思逸;洪裕祥;許智凱;程偉麒;鄭志祥
受保護的技術使用者：聯華電子股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.05.05
技術公布日：2017.11.14